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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Sic programmable | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type programmable | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | A3944756-C | 30.0000 | ![]() | 2924 | 0,00000000 | Prolabs | * | Colis de Vente au Détail | Actif | - | Rohs conforme | 4932-A3944756-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | MT53E256M32D2DS-053 AUT: B | 22.0700 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Acheter la Dernière | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Support de surface | 200-WFBGA | MT53E256 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | MT53E256M32D2DS-053 AUT: B | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 360 | 1 866 GHz | Volatil | 8 Gbit | Drachme | 256m x 32 | - | - | ||||
CAT24M01WI-GT3 | 1.4400 | ![]() | 1574 | 0,00000000 | onsemi | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | CAT24M01 | Eeprom | 1,8 V ~ 5,5 V | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0051 | 3 000 | 1 MHz | Non volatile | 1mbit | 400 ns | Eeprom | 128k x 8 | I²c | 5 ms | |||||
![]() | MT62F2G32D4DS-023 WT ES: B | 45.6900 | ![]() | 7000 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | -25 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | 200-WFBGA | Sdram - mobile lpddr5 | 1,05 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | 557-MT62F2G32D4DS-023WTES: B | 1 | 2.133 GHz | Volatil | 64gbit | Drachme | 2G x 32 | Parallèle | - | ||||||||||
MR4A08BMA35 | 52.1000 | ![]() | 4258 | 0,00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | Plateau | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 48-LFBGA | MR4A08 | Mram (magnétororesistif) | 3V ~ 3,6 V | 48-fbga (10x10) | télécharger | Rohs3 conforme | 5 (48 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 240 | Non volatile | 16mbitons | 35 ns | Bélier | 2m x 8 | Parallèle | 35ns | ||||||
![]() | IS62WV6416DBLL-45BI-TR | - | ![]() | 3397 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFBGA | IS62WV6416 | Sram - asynchrone | 2,3V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0041 | 2 500 | Volatil | 1mbit | 45 ns | Sram | 64k x 16 | Parallèle | 45ns | |||||
![]() | MT49H16M18CBM-25 IT: B Tr | - | ![]() | 2698 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 144-TFBGA | MT49H16M18 | Drachme | 1,7 V ~ 1,9 V | 144 µbga (18,5x11) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 400 MHz | Volatil | 288mbitons | 20 ns | Drachme | 16m x 18 | Parallèle | - | ||||
![]() | S29GL128P10TFI010 | 6.8800 | ![]() | 4818 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Gl-p | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | S29GL128 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 56 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 91 | Non volatile | 128mbitons | 100 ns | Éclair | 16m x 8 | Parallèle | 100ns | |||||
![]() | S25FL256SAGBHIB03 | 4.5850 | ![]() | 3422 | 0,00000000 | Infineon Technologies | FL-S | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | S25FL256 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-bga (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 500 | 133 MHz | Non volatile | 256mbitons | Éclair | 32m x 8 | Spi - quad e / o | - | |||||
![]() | Mt25qu256aba8esf-0sit tr | 6.4700 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | Mt25qu256 | Flash - ni | 1,7 V ~ 2V | 16-SO | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 133 MHz | Non volatile | 256mbitons | Éclair | 32m x 8 | Pimenter | 8 ms, 2,8 ms | |||||
![]() | AS4C16M16MD1-6BIN | - | ![]() | 5696 | 0,00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 60-TFBGA | AS4C16 | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 60-fbga (8x9) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 312 | 166 MHz | Volatil | 256mbitons | Drachme | 16m x 16 | Parallèle | 15NS | |||||
![]() | 852261-001-C | 87,5000 | ![]() | 5086 | 0,00000000 | Prolabs | * | Colis de Vente au Détail | Actif | - | Rohs conforme | 4932-852261-001-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||||
IS61LV25616AL-10KLI | - | ![]() | 8389 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 44-BSOJ (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS61LV25616 | Sram - asynchrone | 3.135V ~ 3,6 V | 44-soj | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 16 | Volatil | 4mbbitons | 10 ns | Sram | 256k x 16 | Parallèle | 10ns | ||||||
![]() | Mtfc64gjtdn-4m it | - | ![]() | 5378 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | - | Mtfc64 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | - | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 512gbit | Éclair | 64g x 8 | MMC | - | |||||||
![]() | CY7C1350S-133AXCT | 7.3325 | ![]() | 7111 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | CY7C1350 | Sram - synchrone, d. | 3.135V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x14) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 750 | 133 MHz | Volatil | 4,5 Mbit | 4 ns | Sram | 128k x 36 | Parallèle | - | ||||
![]() | 5962-8687512XA | - | ![]() | 3791 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | Par le trou | 48-DIP (0,600 ", 15,24 mm) | 5962-8687512 | Sram - double port, synchrone | 4,5 V ~ 5,5 V | Bradé à 48 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 800-5962-8687512XA | OBSOLÈTE | 8 | Volatil | 8kbit | 45 ns | Sram | 1k x 8 | Parallèle | 45ns | |||||
![]() | MT45W4MW16PFA-70 IT TR | - | ![]() | 9248 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 48-VFBGA | MT45W4MW16 | Psram (pseudo sram) | 1,7 V ~ 1,95 V | 48-VFBGA (6x8) | télécharger | Rohs non conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2 000 | Volatil | 64mbitons | 70 ns | Psram | 4m x 16 | Parallèle | 70ns | |||||
![]() | CY7C1414JV18-267BZC | - | ![]() | 4961 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 165 LBGA | CY7C1414 | Sram - Synchrone, Qdr II | 1,7 V ~ 1,9 V | 165-fbga (15x17) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 267 MHz | Volatil | 36mbitons | Sram | 1m x 36 | Parallèle | - | |||||
![]() | S29GL256S11TFV020 | 3.9297 | ![]() | 4886 | 0,00000000 | Infineon Technologies | GL-S | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | S29GL256 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 56 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 91 | Non volatile | 256mbitons | 110 ns | Éclair | 16m x 16 | Parallèle | 60ns | |||||
![]() | 5962-9150808MXA | - | ![]() | 1591 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | En gros | Obsolète | - | Atteindre non affecté | 800-5962-9150808MXA | OBSOLÈTE | 1 | |||||||||||||||||||||
70V7519S166DRI | - | ![]() | 4055 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 208-BFQFP | 70V7519 | Sram - double port, synchrone | 3,15 V ~ 3 45 V | 208-PQFP (28x28) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 6 | 166 MHz | Volatil | 9mbitons | 3,6 ns | Sram | 256k x 36 | Parallèle | - | |||||
![]() | CG7925H | - | ![]() | 5694 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Plateau | Obsolète | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | S25HS01GTFABHB033 | 20.3175 | ![]() | 6312 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Semper ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 24-VBGA | Flash - Ni (SLC) | 1,7 V ~ 2V | 24-fbga (8x8) | télécharger | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 500 | 166 MHz | Non volatile | 1 gbit | Éclair | 128m x 8 | Spi - quad e / o, qpi | - | |||||||||
![]() | MT46H16M32LFCX-5: B Tr | - | ![]() | 7276 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 90-VFBGA | MT46H16M32 | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-VFBGA (9x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 200 MHz | Volatil | 512mbitons | 5 ns | Drachme | 16m x 32 | Parallèle | 15NS | ||||
![]() | Cy62137fv30ll-45bvit | - | ![]() | 3242 | 0,00000000 | Infineon Technologies | MOBL® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-VFBGA | CY62137 | Sram - asynchrone | 2V ~ 3,6 V | 48-VFBGA (6x8) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2 000 | Volatil | 2mbitons | 45 ns | Sram | 128k x 16 | Parallèle | 45ns | |||||
![]() | S80KS2562GABHM023 | 13.6850 | ![]() | 9441 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Hyperram ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 24-VBGA | Psram (pseudo sram) | 1,7 V ~ 2V | 24-fbga (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2 500 | 200 MHz | Volatil | 256mbitons | 35 ns | Psram | 32m x 8 | Hyperbus | 35ns | ||||||
![]() | At27bv010-15tc | - | ![]() | 2144 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TC) | Support de surface | 32-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | At27bv010 | Eprom - OTP | 2,7 V ~ 3,6 V, 4,5 V ~ 5,5 V | 32-tsop | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | At27bv01015tc | EAR99 | 8542.32.0061 | 156 | Non volatile | 1mbit | 150 ns | Eprom | 128k x 8 | Parallèle | - | ||||
![]() | CAT28F001N-12B | 4.0400 | ![]() | 5168 | 0,00000000 | onsemi | * | En gros | Actif | télécharger | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | Xc18v01vqg44c | - | ![]() | 1778 | 0,00000000 | DMLA | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C | Support de surface | 44-TQFP | Xc18v01 | Vérifié | 3V ~ 3,6 V | 44-VQFP (10x10) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1B2 | 8542.32.0071 | 160 | Dans le système programmable | 1 mois | ||||||||||
![]() | 71T75602S133BG | 42.2200 | ![]() | 24 | 0,00000000 | Idt, Technologie de l'appareil Integré Inc | - | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 119-BGA | 71T75602 | Sram - Synchronous, SDR (ZBT) | 2 375V ~ 2 625V | 119-PBGA (14x22) | télécharger | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Volatil | 18mbitons | 4.2 ns | Sram | 512k x 36 | Parallèle | - |
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