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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FW82801CA | 17.3400 | ![]() | 20 | 0,00000000 | Intel | * | En gros | Actif | - | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.39.0001 | 360 | |||||||||||||||||
![]() | Gd25wd80ckigr | 0,4514 | ![]() | 3465 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd25wd | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-XFDFN | Flash - Ni (SLC) | 1,65 V ~ 3,6 V | 8-USON (1,5x1,5) | télécharger | 1970-GD25WD80CKIGRTR | 3 000 | 100 MHz | Non volatile | 8mbitons | 12 ns | Éclair | 1m x 8 | Spi - double e / s | 60 µs, 6 ms | |||||||
![]() | S25FL132K0XMFB040 | - | ![]() | 1033 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q100, FL1-K | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | S25FL132 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 280 | 108 MHz | Non volatile | 32mbitons | Éclair | 4m x 8 | Spi - quad e / o | 3 ms | |||
![]() | 71342LA25JI | - | ![]() | 1367 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 52 LCC (J-LEAD) | 71342la | Sram - double port, asynchrone | 4,5 V ~ 5,5 V | 52-PLCC (19.13x19.13) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0041 | 24 | Volatil | 32kbit | 25 ns | Sram | 4k x 8 | Parallèle | 25ns | |||
![]() | S29gl064n11tfiv23 | - | ![]() | 3996 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Gl-n | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | S29GL064 | Flash - ni | 1,65 V ~ 3,6 V | 56 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 64mbitons | 110 ns | Éclair | 8m x 8, 4m x 16 | Parallèle | 110ns | |||
![]() | 70v24l20pf8 | - | ![]() | 7149 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | 70V24L | Sram - double port, asynchrone | 3V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x14) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0041 | 750 | Volatil | 64kbit | 20 ns | Sram | 4K x 16 | Parallèle | 20ns | |||
![]() | S25FL128SAGMFI000 | 5.8100 | ![]() | 5164 | 0,00000000 | Infineon Technologies | FL-S | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | S25FL128 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 16 ans | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 240 | 133 MHz | Non volatile | 128mbitons | Éclair | 16m x 8 | Spi - quad e / o | - | |||
![]() | M58LR256KB70ZQ5F TR | - | ![]() | 5690 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 88-TFBGA | M58LR256 | Flash - ni | 1,7 V ~ 2V | 88-TFBGA (8x10) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 500 | 66 MHz | Non volatile | 256mbitons | 70 ns | Éclair | 16m x 16 | Parallèle | 70ns | ||
![]() | S29PL032J70BAI120A | - | ![]() | 1585 | 0,00000000 | Infineon Technologies | PL-J | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | 48-VFBGA | S29PL032 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-fbga (8.15x6.15) | - | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 338 | Non volatile | 32mbitons | 70 ns | Éclair | 2m x 16 | Parallèle | 70ns | |||
![]() | IS25WP016D-JBLE-TR | 0,7574 | ![]() | 5361 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur) | IS25WP016 | Flash - ni | 1,65 V ~ 1,95 V | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 2 000 | 133 MHz | Non volatile | 16mbitons | Éclair | 2m x 8 | Spi - quad e / o, qpi, dtr | 800 µs | |||
![]() | MT29F2G08ABAFAH4-IT: F | - | ![]() | 9052 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 63-VFBGA | MT29F2G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 260 | Non volatile | 2 gbit | Éclair | 256m x 8 | Parallèle | - | |||||
![]() | 90y3149-c | 44.5000 | ![]() | 2995 | 0,00000000 | Prolabs | * | Colis de Vente au Détail | Actif | - | Rohs conforme | 4932-90Y3149-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | CY7C1372D-167BGC | - | ![]() | 9046 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Nobl ™ | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 119-BGA | CY7C1372 | Sram - synchrone, d. | 3.135V ~ 3,6 V | 119-PBGA (14x22) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 84 | 167 MHz | Volatil | 18mbitons | 3,4 ns | Sram | 1m x 18 | Parallèle | - | ||
![]() | Cy7c1512av18-250bzxit | - | ![]() | 1213 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 165 LBGA | CY7C1512 | Sram - Synchrone, Qdr II | 1,7 V ~ 1,9 V | 165-fbga (15x17) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 000 | 250 MHz | Volatil | 72mbitons | Sram | 4m x 18 | Parallèle | - | |||
7132SA100CB | 171.4590 | ![]() | 6219 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tube | Acheter la Dernière | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | Par le trou | 48-DIP (0,600 ", 15,24 mm) | 7132SA | Sram - double port, asynchrone | 4,5 V ~ 5,5 V | Bradé à 48 | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 8 | Volatil | 16kbit | 100 ns | Sram | 2k x 8 | Parallèle | 100ns | ||||
![]() | AT49BV802AT-70CU | - | ![]() | 6954 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 48-VFBGA, CSPBGA | At49bv802 | Éclair | 2,65 V ~ 3,6 V | 48-cbga (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 338 | Non volatile | 8mbitons | 70 ns | Éclair | 1m x 8, 512k x 16 | Parallèle | 200 µs | |||
![]() | GD25Q16CSIG | 0,3366 | ![]() | 2646 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tube | Pas de designs les nouveaux | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur) | GD25Q16 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 9 500 | 120 MHz | Non volatile | 16mbitons | Éclair | 2m x 8 | Spi - quad e / o | 50 µs, 2,4 ms | |||
![]() | T0H93AA-C | 81.7500 | ![]() | 8755 | 0,00000000 | Prolabs | * | Colis de Vente au Détail | Actif | - | Rohs conforme | 4932-T0H93AA-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | CY7C25652KV18-550BZXC | - | ![]() | 9345 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Plateau | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 165 LBGA | CY7C25652 | Sram - synchrone, qdr ii + | 1,7 V ~ 1,9 V | 165-fbga (13x15) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 360 | 550 MHz | Volatil | 72mbitons | Sram | 2m x 36 | Parallèle | - | |||
![]() | Snpr1p74c / 4g-c | 42.5000 | ![]() | 4340 | 0,00000000 | Prolabs | * | Colis de Vente au Détail | Actif | - | Rohs conforme | 4932-SNPR1P74C / 4G-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | S99GL032N90TFI030 | - | ![]() | 8766 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Plateau | Obsolète | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | Idt71t75802s133pf | - | ![]() | 6200 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | Idt71t75 | Sram - Synchronous, SDR (ZBT) | 2 375V ~ 2 625V | 100-TQFP (14x14) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 71T75802S133PF | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 133 MHz | Volatil | 18mbitons | 4.2 ns | Sram | 1m x 18 | Parallèle | - | |
![]() | W63ah2nbvadi tr | 4.3693 | ![]() | 4582 | 0,00000000 | Electronique Winbond | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 178-VFBGA | W63AH2 | Sdram - mobile lpddr3 | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 178-VFBGA (11x11,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 256-W63AH2NBVADITR | EAR99 | 8542.32.0032 | 2 000 | 1 066 GHz | Volatil | 1 gbit | 5,5 ns | Drachme | 32m x 32 | HSUL_12 | 15NS | |
![]() | W25Q256JVEJQ TR | - | ![]() | 2046 | 0,00000000 | Electronique Winbond | SPIFLASH® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-WDFN | W25Q256 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-WSON (8x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | W25Q256JVEJQTR | 3A991B1A | 8542.39.0001 | 4 000 | 133 MHz | Non volatile | 256mbitons | Éclair | 32m x 8 | Spi - quad e / o | 3 ms | ||
70T3539MS166BC | 437.3728 | ![]() | 8503 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Plateau | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 256 LBGA | 70T3539 | Sram - double port, synchrone | 2,4 V ~ 2,6 V | 256-Cabga (17x17) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 6 | 166 MHz | Volatil | 18mbitons | 3,6 ns | Sram | 512k x 36 | Parallèle | - | |||
CAT25010YGI | 0,1500 | ![]() | 1592 | 0,00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | Cat25010 | Eeprom | 1,8 V ~ 5,5 V | 8-TSSOP | télécharger | Non applicable | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | Non volatile | 1kbit | Eeprom | 128 x 8 | Pimenter | 5 ms | |||||
![]() | MT40A2G8VA-062E IT: B Tr | - | ![]() | 8812 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 78-fbga (10x11) | - | 557-MT40A2G8VA-062EIT: BTR | OBSOLÈTE | 3 000 | 1,6 GHz | Volatil | 16 Gbit | 19 ns | Drachme | 2G x 8 | Coffre | 15NS | ||||||
![]() | MT41K256M8DA-125: M | - | ![]() | 3506 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | MT41K256M8 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 78-fbga (8x10,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 800 MHz | Volatil | 2 gbit | 13,75 ns | Drachme | 256m x 8 | Parallèle | - | |||
![]() | IS66WVS2M8BLL-104NLI | 3.3300 | ![]() | 390 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | IS66WVS2M8 | Psram (pseudo sram) | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS66WVS2M8BLL-104NLI | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 100 | 104 MHz | Volatil | 16mbitons | 7 ns | Psram | 2m x 8 | Spi, qpi | - | |
![]() | CG8281AA | - | ![]() | 2753 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Plateau | Obsolète | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | OBSOLÈTE | 1 |
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