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Mémoire (70838)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Sic programmable	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type programmable	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page	Type de Contrôleur	Sic programmable
IS42SM16160K-75BI-TR	5.0239	RFQ	2185	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54-TFBGA	IS42SM16160	Sdram - mobile		2,7 V ~ 3,6 V	54-TFBGA (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	2 500	133 MHz		Volatil	256mbitons	6 ns	Drachme	16m x 16	Parallèle	-
RG82852GM	11.3300	RFQ	19	Intel	Intel® 850	En gros	Actif	-	-	-				1 425V ~ 1 575 V	-	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Vendeur indéfini		EAR99	8542.39.0001	1										Ram Dynamique (DRAM)
MB85R4M2TFN-G-ALE1	-	RFQ	3671	Kaga Fei America, Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	MB85R4	Fram (Ferroelectric RAM)		1,8 V ~ 3,6 V	44-tsop	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	500			Non volatile	4mbbitons	150 ns	Fracture	256k x 16	Parallèle	150ns
Gd25lb64enigr	0,9126	RFQ	6403	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	GD25lb	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-UDFN		Flash - Ni (SLC)		1,65 V ~ 2V	8-USON (3x4)	télécharger				1970-gd25lb64enigrtr			3 000	133 MHz		Non volatile	64mbitons	6 ns	Éclair	8m x 8	Spi - quad e / o, qpi	60 µs, 2,4 ms
CY7C244-45WC	8.0000	RFQ	145	Cypress Semiconductor Corp	-	En gros	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)			CY7C244	Eprom - uv		4,5 V ~ 5,5 V		télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre Affeté		EAR99	8542.32.0061	1			Non volatile	32kbit	45 ns	Eprom	4k x 8	Parallèle	-
Ds1245y-120 +	39.3800	RFQ	119	Analog Devices Inc./Maxim Integrée	-	Tube	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Par le trou	Module 32-DIP (0,600 ", 15,24 mm)	DS1245Y	Nvsram (SRAM non volatile)		4,5 V ~ 5,5 V	32-Edip	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	-4941-DS1245Y-120 +	3A991B2A	8542.32.0041	11			Non volatile	1mbit	120 ns	Nvsram	128k x 8	Parallèle	120ns
STK16C88-3WF35	-	RFQ	9467	Infineon Technologies	-	Tube	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Par le trou	28 DIP (0,600 ", 15,24 mm)	STK16C88	Nvsram (SRAM non volatile)		4,5 V ~ 5,5 V	28 PDICES	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0041	65			Non volatile	256kbit	35 ns	Nvsram	32k x 8	Parallèle	35ns
AS4C32M16D1A-5TAN	5.0129	RFQ	2049	Alliance Memory, Inc.	Automobile, AEC-Q100	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	Support de surface	66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	AS4C32	Sdram - ddr		2,3V ~ 2,7 V	66-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	108	200 MHz		Volatil	512mbitons	700 PS	Drachme	32m x 16	Parallèle	15NS
FM24C16ulzmt8	-	RFQ	8164	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur)	FM24C16	Eeprom		2,7 V ~ 5,5 V	8-TSSOP	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Vendeur indéfini		EAR99	8542.32.0051	1	100 kHz		Non volatile	16kbit	3,5 µs	Eeprom	2k x 8	I²c	15 ms
A7990613-C	102.2500	RFQ	9783	Prolabs	*	Colis de Vente au Détail	Actif									-	Rohs conforme			4932-A7990613-C	EAR99	8473.30.5100	1
Idt71124s15yi8	-	RFQ	1558	Renesas Electronics America Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	32-BSOJ (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	Idt71124	Sram - asynchrone		4,5 V ~ 5,5 V	32-soj	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	71124S15YI8	3A991B2B	8542.32.0041	1 000			Volatil	1mbit	15 ns	Sram	128k x 8	Parallèle	15NS
MT47H64M16U88BWC1	-	RFQ	3667	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète	-			MT47H64M16	Sdram - ddr2		1,7 V ~ 1,9 V		-			Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	1			Volatil	1 gbit		Drachme	64m x 16	Parallèle
S98WS01GP00HW0210A	-	RFQ	6268	Infineon Technologies	-	En gros	Obsolète									-		Vendeur indéfini	Atteindre non affecté		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1
AS4C32M16MD1-6BCN	-	RFQ	2380	Alliance Memory, Inc.	-	Plateau	Obsolète	-25 ° C ~ 85 ° C (TJ)	Support de surface	60-TFBGA	AS4C2M32	SDRAM - LPDDR MOBILE		1,7 V ~ 1,9 V	60-fbga (8x9)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	348	166 MHz		Volatil	512mbitons	700 PS	Drachme	32m x 16	Parallèle	15NS
S34ML01G200TFI900	-	RFQ	3519	Skyhigh Memory Limited	-	Plateau	Abandonné à sic				S34ML01					-	Rohs conforme	3 (168 Heures)		2120-S34ML01G200TFI900	3A991B1A	8542.32.0071	96											Non Vérifié
W25q16jwzpim tr	0,5485	RFQ	3185	Electronique Winbond	SPIFLASH®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-WDFN	W25Q16	Flash - ni		1,65 V ~ 1,95 V	8-wson (6x5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	256-W25Q16JWZPIMTR	EAR99	8542.32.0071	5 000	133 MHz		Non volatile	16mbitons		Éclair	2m x 8	Spi - quad e / o	3 ms
W972gg8ks-25	9.9998	RFQ	1771	Electronique Winbond	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	60-TFBGA	W972gg8	Sdram - ddr2		1,7 V ~ 1,9 V	60-WBGA (8x9,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	Q11542956	EAR99	8542.32.0036	189	400 MHz		Volatil	2 gbit	400 PS	Drachme	256m x 8	Parallèle	15NS
Fm93c66alm8	-	RFQ	2595	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	93C66A	Eeprom		2,7 V ~ 5,5 V	8-SOIC	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Vendeur indéfini		EAR99	8542.32.0051	1	250 kHz		Non volatile	4kbit		Eeprom	512 x 8, 256 x 16	Microwire	15 ms
AT17F16-30BJC	-	RFQ	1425	Technologie des micropuces	-	Tube	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C	Support de surface	44 LCC (J-LEAD)	AT17F16		Non Vérifié	2 97V ~ 3,63 V	44-PLCC (16.6x16.6)	télécharger	Rohs non conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	25		Éclair		16 mois
A4188276-C	62.5000	RFQ	3630	Prolabs	*	Colis de Vente au Détail	Actif									-	Rohs conforme			4932-A4188276-C	EAR99	8473.30.5100	1
MT53E128M32D2DS-053 AAT: A	12.1200	RFQ	2	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	Support de surface	200-WFBGA	MT53E128	SDRAM - MOBILE LPDDR4		1,1 V	200-WFBGA (10x14,5)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 360	1 866 GHz		Volatil	4 Gbit		Drachme	128m x 32	-	-
S29gl032n90ffi023	-	RFQ	5858	Infineon Technologies	Gl-n	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	64 LBGA	S29GL032	Flash - ni		2,7 V ~ 3,6 V	64-fbga (13x11)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 600			Non volatile	32mbitons	90 ns	Éclair	4m x 8, 2m x 16	Parallèle	90ns
Nl674aa-c	51.2500	RFQ	7285	Prolabs	*	Colis de Vente au Détail	Actif									-	Rohs conforme			4932-NL674AA-C	EAR99	8473.30.5100	1
W29N01HZDINA	3.7011	RFQ	2556	Electronique Winbond	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-VFBGA	W29N01	Flash - Nand (SLC)		1,7 V ~ 1,95 V	48-VFBGA (8x6,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	256-W29N01HZDINA	3A991B1A	8542.32.0071	260			Non volatile	1 gbit	25 ns	Éclair	128m x 8	Parallèle	25ns
S34ML02G100TFI900	-	RFQ	7469	Skyhigh Memory Limited	-	Plateau	Abandonné à sic				S34ML02					-	Rohs conforme	3 (168 Heures)		2120-S34ML02G100TFI900	3A991B1A	8542.32.0071	96											Non Vérifié
S29GL01GT10FHI010	-	RFQ	5986	Cypress Semiconductor Corp	Gl-t	En gros	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	64 LBGA	S29GL01	Flash - ni		2,7 V ~ 3,6 V	64-fbga (13x11)	télécharger	Rohs non conforme	Non applicable	Vendeur indéfini		3A991B1A	8542.32.0051	1			Non volatile	1 gbit	100 ns	Éclair	128m x 8	Parallèle	60ns		Vérifié
MTFC64GBCAVTC-AAT ES	38.4600	RFQ	6452	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Actif									-				557-MTFC64GBCAVTC-AATES			1
CY7C1320BV18-167BZC	-	RFQ	5750	Infineon Technologies	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165 LBGA	CY7C1320	Sram - Synchrones, DDR II		1,7 V ~ 1,9 V	165-fbga (13x15)	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	136	167 MHz		Volatil	18mbitons		Sram	512k x 36	Parallèle	-
CAT24C64YGI	-	RFQ	2565	Catalyst Semiconductor Inc.	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur)	CAT24C64	Eeprom		1,7 V ~ 5,5 V	8-TSSOP	télécharger	Non applicable	3 (168 Heures)	Vendeur indéfini		EAR99	8542.32.0051	1	1 MHz		Non volatile	64kbit	400 ns	Eeprom	8k x 8	I²c	5 ms
MT29F1T208ECCBBJ4-37ES: B Tr	-	RFQ	7470	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	132-VBGA	MT29F1T208	Flash - Nand		2,7 V ~ 3,6 V	132-VBGA (12x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000	267 MHz		Non volatile	1,125 tbit		Éclair	144g x 8	Parallèle	-

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
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Entrepôt en stock

Mémoire (70838)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²