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Mémoire (70838)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Sic programmable	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type programmable	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page	Type de Contrôleur	Sic programmable
93LC46BT-E / OT	0,3600	RFQ	4	Technologie des micropuces	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	SOT-23-6	93lc46	Eeprom		2,5 V ~ 5,5 V	SOT-23-6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0051	3 000	2 MHz		Non volatile	1kbit		Eeprom	64 x 16	Microwire	6 ms
MT48LC4M16A2B4-6A IT: J TR	-	RFQ	7374	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54-VFBGA	MT48LC4M16A2	Sdram		3V ~ 3,6 V	54-VFBGA (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 000	167 MHz		Volatil	64mbitons	5.4 ns	Drachme	4m x 16	Parallèle	12ns
IS62C10248AL-55TLI	10.5176	RFQ	1108	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS62C10248	Sram - asynchrone		4,5 V ~ 5,5 V	44-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	135			Volatil	8mbitons	55 ns	Sram	1m x 8	Parallèle	55ns
Gd25le64enigr	0,8863	RFQ	9284	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	Gd25le	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-UDFN		Flash - Ni (SLC)		1,65 V ~ 2V	8-USON (3x4)	télécharger				1970-gd25le64enigrtr			3 000	133 MHz		Non volatile	64mbitons	6 ns	Éclair	8m x 8	Spi - quad e / o, qpi	60 µs, 2,4 ms
7025L55FB	-	RFQ	6959	Renesas Electronics America Inc	-	Plateau	Obsolète	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	84 Flatpack	7025L55	Sram - double port, asynchrone		4,5 V ~ 5,5 V	84-fpack	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		3A001A2C	8542.32.0041	6			Volatil	128kbit	55 ns	Sram	8k x 16	Parallèle	55ns
S29Al008J70BFI020	10.3400	RFQ	2	Cypress Semiconductor Corp	Al-j	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-VFBGA	S29Al008	Flash - ni		2,7 V ~ 3,6 V	48-fbga (8.15x6.15)	télécharger	Rohs non conforme	Non applicable	Vendeur indéfini	2832-S29AL008J70BFI020	EAR99	8542.32.0050	49			Non volatile	8mbitons	70 ns	Éclair	1m x 8, 512k x 16	Parallèle	70ns		Non Vérifié
FW82810	9.3400	RFQ	1	Intel	82810	En gros	Actif	-	Support de surface	421-bbga				-	421-PBGA (31x31)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8542.39.0001	360										Ram Dynamique (DRAM)
At25160b-mehl-t	0,6600	RFQ	8636	Athel	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	8-xfdfn	AT25160	Eeprom		1,8 V ~ 5,5 V	8-xdfn (1.8x2.2)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0051	1	20 MHz		Non volatile	16kbit	80 ns	Eeprom	2k x 8	Pimenter	5 ms
AT49F1025-55JI	-	RFQ	2094	Technologie des micropuces	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	44 LCC (J-LEAD)	At49f1025	Éclair		4,5 V ~ 5,5 V	44-PLCC (16.6x16.6)	télécharger	Rohs non conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	27			Non volatile	1mbit	55 ns	Éclair	64k x 16	Parallèle	50 µs
93LC56CT-E / MNY	0,4950	RFQ	9150	Technologie des micropuces	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-WFDFN	93lc56	Eeprom		2,5 V ~ 5,5 V	8-TDFN (2x3)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0051	3 300	3 MHz		Non volatile	2kbit		Eeprom	256 x 8, 128 x 16	Microwire	6 ms
Upd46184182bf1-e33y-eq1-a	42.0700	RFQ	1	Renesas Electronics America Inc	*	En gros	Actif									télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Vendeur indéfini		3A991B2A	8542.32.0041	1
At28c256e-15ti	-	RFQ	1993	Technologie des micropuces	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	28-TSSOP (0 465 ", 11,80 mm de grosur)	AT28C256	Eeprom		4,5 V ~ 5,5 V	28 TSOP	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	At28c256e15ti	EAR99	8542.32.0051	234			Non volatile	256kbit	150 ns	Eeprom	32k x 8	Parallèle	10 ms
AT25EU0011A-SSHN-T	0,2800	RFQ	5608	Renesas Design Allemagne GmbH	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	AT25EU0011A	Flash - ni		1,65 V ~ 3,6 V	8-SOIC	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)			3A991B1A	8542.32.0051	4 000	85 MHz		Non volatile	1mbit		Éclair	128k x 8	Spi - quad e / o, qpi	8 ms
93C66BT-E / OT	0,4050	RFQ	3302	Technologie des micropuces	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	SOT-23-6	93C66B	Eeprom		4,5 V ~ 5,5 V	SOT-23-6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	93C66BT-E / OT-NDR	EAR99	8542.32.0051	3 000	2 MHz		Non volatile	4kbit		Eeprom	256 x 16	Microwire	2 ms
AT49LV001-90JI	-	RFQ	7697	Technologie des micropuces	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	32 LCC (J-LEAD)	At49lv001	Éclair		3V ~ 3,6 V	32-PLCC (13.97x11.43)	télécharger	Rohs non conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	32			Non volatile	1mbit	90 ns	Éclair	128k x 8	Parallèle	50 µs
EPCQ16SI8N	-	RFQ	7814	Intel	EPCQ	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	EPCQ16		Vérifié	2,7 V ~ 3,6 V	8-SOIC	télécharger		3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1B1	8542.32.0071	100		Dans le système programmable		16 mois
M29w800db45ze6f tr	-	RFQ	1885	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFBGA	M29W800	Flash - ni		2,7 V ~ 3,6 V	48-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	2 500			Non volatile	8mbitons	45 ns	Éclair	1m x 8, 512k x 16	Parallèle	45ns
MT29F8T08GULCEM4-QB: C	156.3000	RFQ	4479	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Actif									-				557-MT29F8T08GULCEM4-QB: C			1
M29W800DB70N6	-	RFQ	8386	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	M29W800	Flash - ni		2,7 V ~ 3,6 V	48-tsop i	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	96			Non volatile	8mbitons	70 ns	Éclair	1m x 8, 512k x 16	Parallèle	70ns
IS43LR16400B-6BLI	-	RFQ	1855	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	60-TFBGA	IS43LR16400	SDRAM - LPDDR MOBILE		1,7 V ~ 1,95 V	60-TFBGA (8x10)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	300	166 MHz		Volatil	64mbitons	5,5 ns	Drachme	4m x 16	Parallèle	15NS
MT29F8G01ADAFD12-IT: F Tr	-	RFQ	9824	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	24 TBGA	MT29F8G01	Flash - Nand (SLC)		2,7 V ~ 3,6 V	24-T-PBGA (6x8)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		MT29F8G01ADAFD12-IT: FTR	OBSOLÈTE	8542.32.0071	2 000	83 MHz		Non volatile	8 Gbit		Éclair	8g x 1	Pimenter	-
70T3599S200BC8	236.2549	RFQ	8721	Renesas Electronics America Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	256 LBGA	70T3599	Sram - double port, synchrone		2,4 V ~ 2,6 V	256-Cabga (17x17)	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	1 000	200 MHz		Volatil	4,5 Mbit	3,4 ns	Sram	128k x 36	Parallèle	-
IS42VM16320E-6BLI	8.6117	RFQ	6990	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54-TFBGA	IS42VM16320	Sdram - mobile		1,7 V ~ 1,95 V	54-TFBGA (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	348	166 MHz		Volatil	512mbitons	5,5 ns	Drachme	32m x 16	Parallèle	-
MT40A512M8RH-083E: B Tr	-	RFQ	4444	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	MT40A512M8	Sdram - ddr4		1,14 V ~ 1,26 V	78-fbga (9x10,5)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		MT40A512M8RH-083E: BTR	OBSOLÈTE		2 000	1,2 GHz		Volatil	4 Gbit	19 ns	Drachme	512m x 8	Parallèle	15NS
Mt46h32m16lfbf-6 à: b tr	-	RFQ	9627	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	60-VFBGA	MT46H32M16	SDRAM - LPDDR MOBILE		1,7 V ~ 1,95 V	60-VFBGA (8x9)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	166 MHz		Volatil	512mbitons	5 ns	Drachme	32m x 16	Parallèle	15NS
70V05L20PFGI8	42.4681	RFQ	5143	Renesas Electronics America Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	64 LQFP	70V05L	Sram - double port, asynchrone		3V ~ 3,6 V	64-TQFP (14x14)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0041	750			Volatil	64kbit	20 ns	Sram	8k x 8	Parallèle	20ns
MT53D1G32D4BD-053 WT ES: D	-	RFQ	9774	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)			MT53D1G32	SDRAM - MOBILE LPDDR4		1,1 V		-		1 (illimité)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	1 360	1 866 GHz		Volatil	32 Gbit		Drachme	1g x 32	-	-
IS42S32200E-7TL	-	RFQ	1585	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	86-TFSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS42S32200	Sdram		3V ~ 3,6 V	86-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	108	143 MHz		Volatil	64mbitons	5,5 ns	Drachme	2m x 32	Parallèle	-
MT53B192M32D1Z0AMWC1	-	RFQ	2800	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	-	-	MT53B192	SDRAM - MOBILE LPDDR4		1,1 V	-	-		1 (illimité)			EAR99	8542.32.0036	1			Volatil	6gbit		Drachme	192m x 32	-	-
MX77L25650FMI42A	3.3592	RFQ	8500	Macronix	-	Tube	Actif									-		3 (168 Heures)		1092-MX77L25650FMI42A			44

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Mémoire (70838)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²