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Mémoire (70500)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page	Sic programmable
S29CL016J0PQFM030	-	RFQ	9899	Infineon Technologies	Cl-j	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	80-BQFP	S29CL016	Flash - ni	1,65 V ~ 3,6 V	80 PQFP (14x20)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	66	66 MHz	Non volatile	16mbitons	54 ns	Éclair	512k x 32	Parallèle	60ns
AS4C64M8D2-25BIN	5.9900	RFQ	21	Alliance Memory, Inc.	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	60-TFBGA	AS4C64	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	60-fbga (8x10)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	1450-1129	EAR99	8542.32.0028	264	400 MHz	Volatil	512mbitons	400 PS	Drachme	64m x 8	Parallèle	15NS
MTFC128GBCAVTC-AAT ES	60 4800	RFQ	1573	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Actif								-				557-MTFC128GBCAVTC-AATES			1
SM662GXE BESS	91.4600	RFQ	5	Silicon Motion, Inc.	Ferri-EMMC®	Plateau	Actif	-	Support de surface	100 lbga		Flash - Nand (TLC)	-	100-BGA (14x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	1984-SM662GXEBESS	3A991B1A	8542.32.0071	980		Non volatile	-		Éclair		EMMC	-
CY7C1360A1-150AJC	7.0600	RFQ	1	Cypress Semiconductor Corp	-	En gros	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	CY7C1360	Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3,6 V	100-TQFP (14x20)	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre Affeté		3A991B2A	8542.32.0041	1	150 MHz	Volatil	9mbitons	3,5 ns	Sram	256k x 36	Parallèle	-
W631GU8NB-15 TR	2.9626	RFQ	1507	Electronique Winbond	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-VFBGA	W631GU8	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V, 1 425V ~ 1 575 V	78-VFBGA (8x10,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	256-W631GU8NB-15TR	EAR99	8542.32.0032	2 000	667 MHz	Volatil	1 gbit	20 ns	Drachme	128m x 8	Parallèle	15NS
GS8662D36BGD-400I	194.5700	RFQ	15	GSI Technology Inc.	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 100 ° C (TJ)	Support de surface	165 LBGA	GS8662d	Sram - Port Quad, Synchrone, Qdr II	1,7 V ~ 1,9 V	165-FPBGA (13x15)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	2364-GS8662D36BGD-400I	3A991B2B	8542.32.0041	15	400 MHz	Volatil	72mbitons		Sram	2m x 36	Parallèle	-
Cy14b104n-ba20xc	-	RFQ	6851	Infineon Technologies	-	Tube	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	48-TFBGA	CY14B104	Nvsram (SRAM non volatile)	2,7 V ~ 3,6 V	48-fbga (6x10)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	299		Non volatile	4mbbitons	20 ns	Nvsram	256k x 16	Parallèle	20ns
4x70G00093-C	68.7500	RFQ	4024	Prolabs	*	Colis de Vente au Détail	Actif								-	Rohs conforme			4932-4x70G00093-C	EAR99	8473.30.5100	1
NAND512W3A2DZA6E	-	RFQ	2127	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	63-TFBGA	NAND512	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	63-VFBGA (9x11)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	-Nand512w3a2dza6e	3A991B1A	8542.32.0071	1 260		Non volatile	512mbitons	50 ns	Éclair	64m x 8	Parallèle	50ns
Cy6264-55snxi	-	RFQ	4589	Infineon Technologies	MOBL®	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	28-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur)	CY6264	Sram - asynchrone	4,5 V ~ 5,5 V	28-Sic	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0041	270		Volatil	64kbit	55 ns	Sram	8k x 8	Parallèle	55ns
IS43TR82560DL-107MBLI	5.2177	RFQ	8327	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA		Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	78-TWBGA (8x10,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS43TR82560DL-107MBLI			242	933 MHz	Volatil	2 gbit	20 ns	Drachme	256m x 8	Parallèle	15NS
M29DW256G7ANF6E	-	RFQ	9211	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	M29DW256	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	56 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	96		Non volatile	256mbitons	70 ns	Éclair	16m x 16	Parallèle	70ns
IS25LX064-JHLA3-TR	2.2957	RFQ	5169	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	24 TBGA	IS25LX064	Éclair	2,7 V ~ 3,6 V	24-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS25LX064-JHLA3-TR	3A991B1A	8542.32.0071	2 500	133 MHz	Non volatile	64mbitons		Éclair	8m x 8	Spi - e / s octal	-
Cy7s1041g30-10zsxi	-	RFQ	1668	Cypress Semiconductor Corp	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	CY7S1041	Sram - asynchrone	2.2V ~ 3,6 V	44-TSOP II	télécharger							1		Volatil	4mbbitons	10 ns	Sram	256k x 16	Parallèle	10ns	Non Vérifié
IS42S32400B-6B	-	RFQ	4503	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	90-TFBGA	IS42S32400	Sdram	3V ~ 3,6 V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	240	166 MHz	Volatil	128mbitons	5.4 ns	Drachme	4m x 32	Parallèle	-
CG6719AM	-	RFQ	9873	Cypress Semiconductor Corp	*	En gros	Actif								-	Non applicable	3 (168 Heures)	Vendeur indéfini				1
NV25256MUW3VTBG	2.4600	RFQ	115	onsemi	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-UFDFN	NV25256	Eeprom	1,8 V ~ 5,5 V	8-UDFN (2x3)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0051	3 000	10 MHz	Non volatile	256kbit	40 ns	Eeprom	32k x 8	Pimenter	5 ms
P1N54AT-C	72.0000	RFQ	4034	Prolabs	*	Colis de Vente au Détail	Actif								-	Rohs conforme			4932-P1N54AT-C	EAR99	8473.30.5100	1
CAT25C08V-26735T	0.1400	RFQ	122	onsemi	-	En gros	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	CAT25C08	Eeprom	2,5 V ~ 5,5 V	8-SOIC	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté	2156-CAT25C08V-26735T-488	EAR99	8542.32.0071	1	10 MHz	Non volatile	8kbit	40 ns	Eeprom	1k x 8	Pimenter	5 ms
CAT24C64WGI	0 2900	RFQ	1	Catalyst Semiconductor Inc.	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	CAT24C64	Eeprom	1,7 V ~ 5,5 V	8-SOIC	télécharger	Non applicable	3 (168 Heures)	Vendeur indéfini		EAR99	8542.32.0051	1	1 MHz	Non volatile	64kbit	400 ns	Eeprom	8k x 8	I²c	5 ms
MT40A1G16RC-062E: B	-	RFQ	8406	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	MT40A1G16	Sdram - ddr4	1,14 V ~ 1,26 V	96-FBGA (10x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			EAR99	8542.32.0036	1 360	1,6 GHz	Volatil	16 Gbit	19 ns	Drachme	1g x 16	Parallèle	15NS
IS43LR16320C-5BI-TR	6.1327	RFQ	5612	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	60-TFBGA		SDRAM - LPDDR MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	60-TFBGA (8x10)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS43LR16320C-5BI-TR			2 000	200 MHz	Volatil	512mbitons	5 ns	Drachme	32m x 16	LVCMOS	15NS
CY7C25632KV18-450BZC	-	RFQ	7724	Infineon Technologies	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165 LBGA	CY7C25632	Sram - synchrone, qdr ii +	1,7 V ~ 1,9 V	165-fbga (13x15)	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	272	450 MHz	Volatil	72mbitons		Sram	4m x 18	Parallèle	-
7142LA5J8	-	RFQ	7119	Renesas Electronics America Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Acheter la Dernière	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	52 LCC (J-LEAD)		Sram - double port, asynchrone	4,5 V ~ 5,5 V	52-PLCC (19.13x19.13)	-				800-7142LA5J8TR			1		Volatil	16kbit		Sram	2k x 8	Parallèle	-
S29VS256RABBHI010	-	RFQ	2664	Cypress Semiconductor Corp	Vs-r	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	44-VFBGA	S29VS256	Flash - ni	1,7 V ~ 1,95 V	44-fbga (7,5x5)	télécharger	Rohs non conforme	Non applicable	Vendeur indéfini	2832-S29VS256RABBHI010			1	108 MHz	Non volatile	256mbitons	80 ns	Éclair	16m x 16	Parallèle	60ns	Non Vérifié
IS46TR16128DL-107MBLA1-T-T-T-TR	5.1404	RFQ	8120	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA		Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	96-TWBGA (9x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS46TR16128DL-107MBLA1-TR			1 500	933 MHz	Volatil	2 gbit	20 ns	Drachme	128m x 16	Parallèle	15NS
S29GL01GP11TFCR20	4.3900	RFQ	114	Cypress Semiconductor Corp	Gl-p	En gros	Obsolète	0 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	S29GL01	Flash - ni	3V ~ 3,6 V	56 TSOP	-	Rohs non conforme	Non applicable	Vendeur indéfini	2832-S29GL01GP11TFCR20	3A991B1A	8542.32.0050	114		Non volatile	1 gbit	110 ns	Éclair	64m x 16	CFI	110ns	Non Vérifié
7025L12J8	-	RFQ	3623	Renesas Electronics America Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Acheter la Dernière	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	84 LCC (J-LEAD)		Sram - double port, asynchrone	4,5 V ~ 5,5 V	84-PLCC (29.31x29.31)	-				800-7025L12J8TR			1		Volatil	128kbit	12 ns	Sram	8k x 16	Parallèle	12ns
W25N512GWBIT	-	RFQ	7410	Electronique Winbond	SPIFLASH®	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	24 TBGA	W25N512	Flash - Nand (SLC)	1,7 V ~ 1,95 V	24-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	256-W25N512GWBIT	3A991B1A	8542.32.0071	480	104 MHz	Non volatile	512mbitons	7 ns	Éclair	64m x 8	Spi - quad e / o	700 µs

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
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Mémoire (70500)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²