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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 520966231566 | - | ![]() | 9329 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Acheter la Dernière | - | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | S29GL512N11FFA020 | - | ![]() | 3538 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Gl-n | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 64 LBGA | S29GL512 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-fbga (13x11) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | Non volatile | 512mbitons | 110 ns | Éclair | 64m x 8, 32m x 16 | Parallèle | 110ns | |||
![]() | W972gg8ks-18 tr | 9.3750 | ![]() | 4026 | 0,00000000 | Electronique Winbond | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 60-TFBGA | W972gg8 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 60-WBGA (8x9,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 256-W972GG8KS-18TR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2 500 | 533 MHz | Volatil | 2 gbit | 350 PS | Drachme | 256m x 8 | Parallèle | 15NS | |
M95256-dfmc6tg | 0,9700 | ![]() | 6524 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-UFDFN | M95256 | Eeprom | 1,7 V ~ 5,5 V | 8-ufdfpn (2x3) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0051 | 5 000 | 20 MHz | Non volatile | 256kbit | Eeprom | 32k x 8 | Pimenter | 5 ms | ||||
![]() | W632GU8NB12J | - | ![]() | 2781 | 0,00000000 | Electronique Winbond | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 78-VFBGA | W632GU8 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 78-VFBGA (8x10,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 242 | 800 MHz | Volatil | 2 gbit | 20 ns | Drachme | 256m x 8 | Parallèle | 15NS | ||
![]() | Cy7c1021bn-15vxet | - | ![]() | 6205 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 44-BSOJ (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | Cy7c1021 | Sram - asynchrone | 4,5 V ~ 5,5 V | 44-soj | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 500 | Volatil | 1mbit | 15 ns | Sram | 64k x 16 | Parallèle | 15NS | |||
S70GL02GP12FAIR20 | - | ![]() | 4414 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Gl-p | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 64 LBGA | S70GL02 | Flash - ni | 3V ~ 3,6 V | 64-fbga (11x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | Non volatile | 2 gbit | 120 ns | Éclair | 256m x 8, 128m x 16 | Parallèle | - | ||||
![]() | SGIPC-000617 | - | ![]() | 1388 | 0,00000000 | Infineon Technologies | * | Plateau | Obsolète | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | AS4C512M8D4-83BCNTR | 7.3815 | ![]() | 9783 | 0,00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 78-fbga (7.5x10.6) | télécharger | 3 (168 Heures) | 1450-AS4C512M8D4-83BCNTR | 2 500 | 1,2 GHz | Volatil | 4 Gbit | 18 ns | Drachme | 512m x 8 | Coffre | 15NS | ||||||
![]() | SM671PEC-AFSS | - | ![]() | 2287 | 0,00000000 | Silicon Motion, Inc. | Ferri-UFS ™ | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | 153-TFBGA | SM671 | Flash - Nand (SLC), Flash - Nand (TLC) | - | 153-BGA (11,5x13) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 1984-SM671PEC-AFSS | 1 | Non volatile | 160 Gbit | Éclair | 20g x 8 | UFS2.1 | - | |||||
![]() | 71V65703S85BG8 | 26.1188 | ![]() | 8330 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 119-BGA | 71V65703 | Sram - Synchronous, SDR (ZBT) | 3.135V ~ 3 465V | 119-PBGA (14x22) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 000 | Volatil | 9mbitons | 8,5 ns | Sram | 256k x 36 | Parallèle | - | |||
![]() | 38049369-C | 81.7500 | ![]() | 9792 | 0,00000000 | Prolabs | * | Colis de Vente au Détail | Actif | - | Rohs conforme | 4932-38049369-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | CY62136VLL-70ZSXET | - | ![]() | 6613 | 0,00000000 | Infineon Technologies | MOBL® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | CY62136 | Sram - asynchrone | 2,7 V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 000 | Volatil | 2mbitons | 70 ns | Sram | 128k x 16 | Parallèle | 70ns | |||
![]() | 70v37l20pfgi | - | ![]() | 6083 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | 70V37 | Sram - double port, asynchrone | 3V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 6 | Volatil | 576kbit | 20 ns | Sram | 32k x 18 | Parallèle | 20ns | |||
![]() | 25LC040A-I / MS | 0,6300 | ![]() | 2886 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-TSSOP, 8 MSOP (0,118 ", 3,00 mm de grand) | 25LC040 | Eeprom | 2,5 V ~ 5,5 V | 8 MSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 10 MHz | Non volatile | 4kbit | Eeprom | 512 x 8 | Pimenter | 5 ms | |||
![]() | 70V34L15PFG8 | - | ![]() | 7326 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | 70v34 | Sram - double port, asynchrone | 3V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0041 | 750 | Volatil | 72kbit | 15 ns | Sram | 4K x 18 | Parallèle | 15NS | |||
![]() | S99-50477 | - | ![]() | 1532 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Plateau | Obsolète | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | S25FL164K0XNFI010 | - | ![]() | 7385 | 0,00000000 | Infineon Technologies | FL1-K | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-WFDFN | S25FL164 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-WSON (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 490 | 108 MHz | Non volatile | 64mbitons | Éclair | 8m x 8 | Spi - quad e / o | 3 ms | |||
![]() | STK12C68-PF55 | 53.3300 | ![]() | 972 | 0,00000000 | Simtek | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Par le trou | 28 DIP (0,300 ", 7,62 mm) | STK12C68 | Nvsram (SRAM non volatile) | 4,5 V ~ 5,5 V | 28 PDICES | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Non volatile | 64kbit | 55 ns | Nvsram | 8k x 8 | Parallèle | 55ns | |||
![]() | R1LV3216RSD-5SI # B0 | - | ![]() | 6600 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 52-TFSOP (0,350 ", 8,89 mm de grandeur) | R1LV3216 | Sram | 2,7 V ~ 3,6 V | 52-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 230 | Volatil | 32mbitons | 55 ns | Sram | 4m x 8, 2m x 16 | Parallèle | 55ns | |||
IS46DR16320C-25DBLA1 | 8.2104 | ![]() | 4126 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Pas de designs les nouveaux | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 84-TFBGA | IS46DR16320 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-TWBGA (8x12,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 209 | 400 MHz | Volatil | 512mbitons | 400 PS | Drachme | 32m x 16 | Parallèle | 15NS | |||
![]() | CY7C128A-25SC | 1.7300 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | CY7C128A | Sram - asynchrone | 4,5 V ~ 5,5 V | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Volatil | 16kbit | 25 ns | Sram | 2k x 8 | Parallèle | 25ns | ||||||
![]() | R1Q2A7236ABG-50IA1 | 35.5800 | ![]() | 315 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | En gros | Actif | - | Non applicable | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | 71V016SA10BFG | 6.5500 | ![]() | 5662 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Plateau | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 48-LFBGA | 71v016 | Sram - asynchrone | 3.15V ~ 3,6 V | 48-Cabga (7x7) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 476 | Volatil | 1mbit | 10 ns | Sram | 64k x 16 | Parallèle | 10ns | |||
![]() | 7024L25pfi | - | ![]() | 2509 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | 7024L25 | Sram - double port, asynchrone | 4,5 V ~ 5,5 V | 100-TQFP (14x14) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.32.0041 | 90 | Volatil | 64kbit | 25 ns | Sram | 4K x 16 | Parallèle | 25ns | ||||
![]() | IS42SM32800D-75BLI | - | ![]() | 4084 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Abandonné à sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 90-TFBGA | IS42SM32800 | Sdram - mobile | 3V ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 240 | 133 MHz | Volatil | 256mbitons | 5.4 ns | Drachme | 8m x 32 | Parallèle | - | ||
![]() | MT28EW512ABA1HJS-0AAT | - | ![]() | 3575 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT28EW512 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 56 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | -MT28EW512ABA1HJS-0AAT | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | Non volatile | 512mbitons | 105 ns | Éclair | 64m x 8, 32m x 16 | Parallèle | 60ns | |||
![]() | S29GL128S10TFI010 | 5.5800 | ![]() | 1120 | 0,00000000 | Infineon Technologies | GL-S | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | S29GL128 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 56 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 91 | Non volatile | 128mbitons | 100 ns | Éclair | 8m x 16 | Parallèle | 60ns | |||
![]() | BR25H080FVT-WCE2 | 1.9306 | ![]() | 1827 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | BR25H080 | Eeprom | 2,5 V ~ 5,5 V | 8-TSSOP-B | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | BR25H080FVTWCE2 | EAR99 | 8542.32.0051 | 3 000 | 5 MHz | Non volatile | 8kbit | Eeprom | 1k x 8 | Pimenter | 5 ms | ||
MT53E512M32D1ZW-046 AIT: B | 14.7000 | ![]() | 5366 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Boîte | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 200-TFBGA | Sdram - mobile lpddr4x | 1 06 V ~ 1,17 V | 200-TFBGA (10x14,5) | - | 557-MT53E512M32D1ZW-046AIT: B | 1 | 2.133 GHz | Volatil | 16 Gbit | 3,5 ns | Drachme | 512m x 32 | Parallèle | 18n |
Volume de RFQ moyen quotidien
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