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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page | Sic programmable |
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![]() | Cy62136vnll-70zsxe | - | ![]() | 4483 | 0,00000000 | Infineon Technologies | MOBL® | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | CY62136 | Sram - asynchrone | 2,7 V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 270 | Volatil | 2mbitons | 70 ns | Sram | 128k x 16 | Parallèle | 70ns | ||||
![]() | AS4C512M8D3LC-12BINTR | 12.1500 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | AS4C512 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 2 500 | |||||||||||||||||
![]() | MT29F4G08ABCHC-ET: C TR | - | ![]() | 1973 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 63-VFBGA | MT29F4G08 | Flash - Nand | 1,7 V ~ 1,95 V | 63-VFBGA (10.5x13) | - | Rohs3 conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 4 Gbit | Éclair | 512m x 8 | Parallèle | - | |||||
![]() | 5962-8866514ZA | - | ![]() | 2459 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Plateau | Obsolète | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | Par le trou | 68-BPGA | 5962-8866514 | Sram - double port, synchrone | 4,5 V ~ 5,5 V | 68-PGA (29.46x29.46) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 800-5962-8866514ZA | OBSOLÈTE | 3 | Volatil | 32kbit | 45 ns | Sram | 2k x 16 | Parallèle | 45ns | ||||
93AA46AE48T-I / OT | 0,3200 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | SOT-23-6 | 93AA46 | Eeprom | 1,8 V ~ 5,5 V | SOT-23-6 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0051 | 3 000 | 2 MHz | Non volatile | 1kbit | Eeprom | 128 x 8 | Microwire | 6 ms | |||||
![]() | MT62F1536M64D8EK-023 WT: B TR | 67.8450 | ![]() | 6633 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -25 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | 441-TFBGA | Sdram - mobile lpddr5 | - | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F1536M64D8EK-023WT: BTR | 1 500 | 4.266 GHz | Volatil | 96 Gbit | Drachme | 1,5 GX 64 | Parallèle | - | |||||||||
![]() | 7130SA35pfi8 | - | ![]() | 2436 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 64 LQFP | 7130SA | Sram - double port, asynchrone | 4,5 V ~ 5,5 V | 64-TQFP (14x14) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.32.0041 | 500 | Volatil | 8kbit | 35 ns | Sram | 1k x 8 | Parallèle | 35ns | |||||
S25FS512SFABHB213 | 10.5875 | ![]() | 5067 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q100, FS-S | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | S25FS512 | Flash - ni | 1,7 V ~ 2V | 24-bga (8x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 500 | 133 MHz | Non volatile | 512mbitons | Éclair | 64m x 8 | Spi - quad e / o, qpi | - | |||||
![]() | 71V632S6PFG8 | - | ![]() | 7960 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | 71v632 | Sram - synchrone, d. | 3.135V ~ 3,63 V | 100-TQFP (14x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 000 | 83 MHz | Volatil | 2mbitons | 6 ns | Sram | 64k x 32 | Parallèle | - | |||
![]() | 5962-8764813QYA | 24h0000 | ![]() | 192 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 32-CLCC, Fenêtre | 5962-8764813 | Eprom - uv | 4,5 V ~ 5,5 V | 32-CLCC (13.97x11.43) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8542.32.0061 | 1 | Non volatile | 512kbit | 200 ns | Eprom | 64k x 8 | Parallèle | - | ||||
![]() | Gd25q40etegr | 0.4101 | ![]() | 9638 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25Q | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Flash - Ni (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-SOP | télécharger | 1970-GD25Q40ETEGRTR | 3 000 | 133 MHz | Non volatile | 4mbbitons | 7 ns | Éclair | 512k x 8 | Spi - quad e / o | 140 µs, 4 ms | ||||||||
![]() | FM24CL04B-GTR | 2.2900 | ![]() | 9961 | 0,00000000 | Infineon Technologies | F-RAM ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | FM24CL04 | Fram (Ferroelectric RAM) | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 2 500 | 1 MHz | Non volatile | 4kbit | 550 ns | Fracture | 512 x 8 | I²c | - | |||
![]() | AS6C8016B-55BIN | 5.8702 | ![]() | 6338 | 0,00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | Plateau | Actif | AS6C8016 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 1450-AS6C8016B-55BIN | EAR99 | 8542.32.0041 | 300 | ||||||||||||||||
![]() | GS88018CGT-333I | 36.5900 | ![]() | 36 | 0,00000000 | GSI Technology Inc. | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | GS88018 | Sram - synchrone, standard | 2,3V ~ 2,7 V, 3V ~ 3,6 V | 100-TQFP (20x14) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 2364-GS88018CGT-333I | EAR99 | 8542.32.0041 | 36 | 333 MHz | Volatil | 9mbitons | Sram | 512k x 18 | Parallèle | - | |||
![]() | IS42RM32160C-75BL | - | ![]() | 8288 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Abandonné à sic | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 90-LFBGA | IS42RM32160 | Sdram - mobile | 2.3V ~ 3V | 90-WBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 240 | 133 MHz | Volatil | 512mbitons | 5.4 ns | Drachme | 16m x 32 | Parallèle | - | |||
![]() | CG8614AA | - | ![]() | 6039 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Obsolète | - | Vendeur indéfini | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | N25Q032A13ESC40F | 1.6200 | ![]() | 15 | 0,00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | N25Q032A13 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-so | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 1450-N25Q032A13ESC40FTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 500 | 108 MHz | Non volatile | 32mbitons | Éclair | 8m x 4 | Pimenter | 5 ms | |||
![]() | CY7C1413KV18-333BZI | 51.6500 | ![]() | 146 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 165 LBGA | CY7C1413 | Sram - Synchrone, Qdr II | 1,7 V ~ 1,9 V | 165-fbga (13x15) | télécharger | 6 | 333 MHz | Volatil | 36mbitons | Sram | 2m x 18 | Parallèle | - | Non Vérifié | ||||||||
![]() | MT29E512G08CUCABJ3-10Z: A | - | ![]() | 5939 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 132 LBGA | MT29E512G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 132 LBGA (12x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 100 MHz | Non volatile | 512gbit | Éclair | 64g x 8 | Parallèle | - | ||||
MT48H8M32LFB5-75: H | - | ![]() | 5289 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 90-VFBGA | MT48H8M32 | SDRAM - LPSDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-VFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 133 MHz | Volatil | 256mbitons | 5.4 ns | Drachme | 8m x 32 | Parallèle | 15NS | ||||
![]() | IDT71P74604S167BQ8 | - | ![]() | 7771 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 165-TBGA | Idt71p74 | Sram - Synchrone, Qdr II | 1,7 V ~ 1,9 V | 165-Cabga (13x15) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 71P74604S167BQ8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2 000 | 167 MHz | Volatil | 18mbitons | 8.4 ns | Sram | 512k x 36 | Parallèle | - | ||
![]() | MB85RS1MTPNF-G-JNE1 | 4.6134 | ![]() | 3125 | 0,00000000 | Kaga Fei America, Inc. | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Fram (Ferroelectric RAM) | 1,8 V ~ 3,6 V | 8-SOP | - | 865-MB85RS1MTPNF-G-JNE1 | 95 | 40 MHz | Non volatile | 1mbit | 9 ns | Fracture | 128k x 8 | Pimenter | - | ||||||||
![]() | IS22TF16G-JCLA1-T-T-TR | 25.1370 | ![]() | 6117 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 153-VFBGA | Flash - Nand (TLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-VFBGA (11,5x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS22TF16G-JCLA1-TR | 2 000 | 200 MHz | Non volatile | 128 GBIT | Éclair | 16g x 8 | EMMC_5.1 | - | |||||||
![]() | CY7C144-55JC | - | ![]() | 6106 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 68 LCC (J-LEAD) | CY7C144 | Sram - double port, asynchrone | 4,5 V ~ 5,5 V | 68-PLCC (24.23x24.23) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Volatil | 64kbit | 55 ns | Sram | 8k x 8 | Parallèle | 55ns | Non Vérifié | |||
![]() | At25020b-sshl-t | 0,3400 | ![]() | 7151 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | AT25020 | Eeprom | 1,8 V ~ 5,5 V | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0051 | 4 000 | 20 MHz | Non volatile | 2kbit | Eeprom | 256 x 8 | Pimenter | 5 ms | ||||
![]() | S25fl129p0xmfi000 | - | ![]() | 6900 | 0,00000000 | Nexperia USA Inc. | - | En gros | Obsolète | - | 2156-S25FL129P0XMFI000 | 1 | ||||||||||||||||||||||
S25FS512SAGBHM213 | 12.9500 | ![]() | 8718 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q100, FS-S | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | S25FS512 | Flash - ni | 1,7 V ~ 2V | 24-bga (8x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 500 | 133 MHz | Non volatile | 512mbitons | Éclair | 64m x 8 | Spi - quad e / o, qpi | - | |||||
![]() | M45PE40-VMW6TG TR | - | ![]() | 1348 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur) | M45PE40 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-So W | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 500 | 75 MHz | Non volatile | 4mbbitons | Éclair | 512k x 8 | Pimenter | 15 ms, 3 ms | ||||
![]() | Cy7c1399b-15zxit | 0,7200 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 28-TSSOP (0 465 ", 11,80 mm de grosur) | CY7C1399 | Sram - asynchrone | 3V ~ 3,6 V | 28-tsop i | télécharger | Non applicable | EAR99 | 8542.32.0041 | 417 | Volatil | 256kbit | 15 ns | Sram | 32k x 8 | Parallèle | 15NS | Non Vérifié | |||||
![]() | IM38R1388 | - | ![]() | 1056 | 0,00000000 | Ibm | * | En gros | Actif | - | Non applicable | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | 1 |
Volume de RFQ moyen quotidien
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