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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page | Sic programmable |
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S71KS512SC0BHB000 | 25.0200 | ![]() | 4992 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q100, Hyperflash ™ + Hyperram ™ KL | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 24-VBGA | S71KS512 | Flash, dram | 1,7 V ~ 1,95 V | 24-fbga (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 676 | 166 MHz | Non volatile, volatile | 512mbit (flash), 64mbit (RAM) | Flash, Bélier | - | Parallèle | - | |||||
![]() | Mt55v512v36ft-10 | 17.3600 | ![]() | 620 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | MT55V512V | Sram - synchrone, zbt | 3.135V ~ 3 465V | 100-TQFP (14x20.1) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Volatil | 18mbitons | 7,5 ns | Sram | 512k x 36 | Parallèle | - | |||
![]() | 70261l12pfi | - | ![]() | 8981 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Plateau | Acheter la Dernière | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | Sram - double port, asynchrone | 4,5 V ~ 5,5 V | 100-TQFP (14x14) | - | 800-70261l12pfi | 1 | Volatil | 256kbit | 12 ns | Sram | 16k x 16 | Parallèle | 12ns | |||||||||
![]() | CY7C1413KV18-333BZXI | - | ![]() | 2560 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 165 LBGA | CY7C1413 | Sram - Synchrone, Qdr II | 1,7 V ~ 1,9 V | 165-fbga (13x15) | télécharger | 6 | 333 MHz | Volatil | 36mbitons | Sram | 2m x 18 | Parallèle | - | Non Vérifié | ||||||||
![]() | S34MS01G200TFI003 | - | ![]() | 3125 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | Ms-2 | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | S34MS01 | Flash - Nand | 1,7 V ~ 1,95 V | 48 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 1 gbit | 45 ns | Éclair | 128m x 8 | Parallèle | 45ns | ||||
![]() | BR93L56RFV-WE2 | 0 4600 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban de Coupé (CT) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8 LSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | BR93L56 | Eeprom | 1,8 V ~ 5,5 V | 8-SSOP-B | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0051 | 2 500 | 2 MHz | Non volatile | 2kbit | Eeprom | 128 x 16 | Microwire | 5 ms | ||||
![]() | CYD09S72V-133BBI | - | ![]() | 6939 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 484-BGA | CYD09S72 | Sram - double port, synchrone | 1,42 V ~ 1,58 V, 1,7 V ~ 1,9 V | 484-fbga (23x23) | - | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 60 | 133 MHz | Volatil | 9mbitons | 4.4 ns | Sram | 128k x 72 | Parallèle | - | |||
![]() | M58WR064KU70ZA6F TR | - | ![]() | 7982 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 88-VFBGA | M58WR064 | Flash - ni | 1,7 V ~ 2V | 88-VFBGA (8x10) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 500 | 66 MHz | Non volatile | 64mbitons | 70 ns | Éclair | 4m x 16 | Parallèle | 70ns | |||
![]() | 71421LA55J8 | - | ![]() | 9436 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 52 LCC (J-LEAD) | 71421la | Sram - double port, asynchrone | 4,5 V ~ 5,5 V | 52-PLCC (19.13x19.13) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0041 | 400 | Volatil | 16kbit | 55 ns | Sram | 2k x 8 | Parallèle | 55ns | ||||
![]() | 7007S20pfi8 | - | ![]() | 5107 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 80 LQFP | 7007S20 | Sram - double port, asynchrone | 4,5 V ~ 5,5 V | 80-TQFP (14x14) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.32.0041 | 750 | Volatil | 256kbit | 20 ns | Sram | 32k x 8 | Parallèle | 20ns | |||||
![]() | MT29C4G96MAYBACJG-5 WT TR | - | ![]() | 3551 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 168-VFBGA | MT29C4G96 | Flash - NAND, LPDRAM MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 168-VFBGA (12x12) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 200 MHz | Non volatile, volatile | 4gbit (nand), 4gbit (lpdram) | Flash, Bélier | 512m x 8 (NAND), 128m x 32 (LPDRAM) | Parallèle | - | |||||
![]() | Upd44165184bf5-e40-eq3-a | 37.1700 | ![]() | 8779 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | En gros | Actif | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | S25HL512TDPBHM010 | - | ![]() | 8165 | 0,00000000 | Nexperia USA Inc. | - | En gros | Actif | - | 2156-S25HL512TDPBHM010 | 1 | ||||||||||||||||||||||
MT40A1G8AG-062E AUT: R TR | - | ![]() | 7620 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | Atteindre non affecté | 557-MT40A1G8AG-062EAUT: RTR | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | S25fl032p0xmfi013 | 3.5900 | ![]() | 8797 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | Plat | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur) | S25FL032 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 70 | 104 MHz | Non volatile | 32mbitons | Éclair | 4m x 8 | Spi - quad e / o | 5 µs, 3ms | ||||||
![]() | 70261S20PF8 | - | ![]() | 7876 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | 70261S20 | Sram - double port, asynchrone | 4,5 V ~ 5,5 V | 100-TQFP (14x14) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0041 | 750 | Volatil | 256kbit | 20 ns | Sram | 16k x 16 | Parallèle | 20ns | ||||
![]() | SM662PAE-BDSS | - | ![]() | 7521 | 0,00000000 | Silicon Motion, Inc. | Ferri-EMMC® | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C | Support de surface | 153-TFBGA | SM662 | Flash - Nand (SLC), Flash - Nand (TLC) | - | 153-BGA (11,5x13) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 1984-SM662PAE-BDSS | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | Non volatile | 640gbit | Éclair | 80g x 8 | EMMC | - | |||||
![]() | CG8273AA | - | ![]() | 6791 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Obsolète | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
MT29F4G01ABBFD12-AATES: F Tr | - | ![]() | 7691 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 24 TBGA | MT29F4G01 | Flash - Nand | 1,7 V ~ 1,95 V | 24-T-PBGA (6x8) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 000 | Non volatile | 4 Gbit | Éclair | 4G x 1 | Pimenter | - | ||||||
![]() | SST39VF800A-70-4C-B3KE | 1.9600 | ![]() | 42 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | SST39 MPF ™ | Plateau | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFBGA | Sst39vf800 | Éclair | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | Sst39vf800a704cb3ke | EAR99 | 8542.32.0071 | 480 | Non volatile | 8mbitons | 70 ns | Éclair | 512k x 16 | Parallèle | 20 µs | |||
![]() | MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D | - | ![]() | 9010 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | - | - | MT29RZ4C8 | Flash - Nand, dram - lpddr2 | 1,8 V | - | - | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 533 MHz | Non volatile, volatile | 4Gbit (NAND), 4GBit (LPDDR2) | Flash, Bélier | 256m x 16 (NAND), 128m x 32 (LPDDR2) | Parallèle | - |
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