SIC
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Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Approbation d'agence Nombre de Canaux Type de sortie Tension - alimentation Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package COURANT - Sortie / Canal Taux de Donnés Temps de Hausse / Chute (Typ) Tension - Sortie (max) Tension - Forme (VF) (TYP) Courant - DC Forward (IF) (Max) Tension - isolement Tension - Hors de l'ÉTAT COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entrées - Côté 1 / Côté 2 Immunité Transitoire en Mode Commun (min) Délai de propagation tplh / tphl (max) Ratio de Transfert Actual (Min) Ratio de Transfert de Courant (Max) Allumez / desactivez le temps (typ) Saturation VCE (max) Circuit de Croisment Zéro Dv / dt state (min) Courant - Trigger LED (IFT) (Max) ALLUMER LE TEMPS Grade Qualification
TLP785F(D4Y-T7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (D4Y-T7, F -
RFQ
ECAD 5839 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) TLP785 Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) 264-TLP785F (D4Y-T7FTR EAR99 8541.49.8000 2 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP5702H(D4TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5702H (D4TP4, E 1.8300
RFQ
ECAD 8950 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) TLP5702 Dc 1 Push-pull, pôle totem 15V ~ 30V 6-SO télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 1 500 - 37ns, 50ns 1,55 V 20 mA 5000vrms 1/0 50kV / µs 200ns, 200ns
TLP781(YH-LF6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (YH-LF6, F) -
RFQ
ECAD 5929 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 4 sous-marins TLP781 Dc 1 Transistor 4 md télécharger 1 (illimité) 264-TLP781 (YH-LF6F) EAR99 8541.49.8000 100 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 75% @ 5mA 150% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP385(D4Y-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage Tlp385 (d4y-tpl, e 0,5600
RFQ
ECAD 1433 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLP385 Dc 1 Transistor 6-So, 4 Avance télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 5000vrms 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLX9905(TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLX9905 (TPL, F 4.0500
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLX9905 Dc 1 Photovoltaïque 6-SOP télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 - - 7v 1,65 V 30 mA 3750 VRM - - 300 µs, 1 ms - Automobile AEC-Q101
TLP759F(D4FA1T4SJF Toshiba Semiconductor and Storage TLP759F (D4FA1T4SJF -
RFQ
ECAD 3610 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) TLP759 Dc 1 Base de transistor AVEC 8 plombs télécharger 264-TLP759F (D4FA1T4SJF EAR99 8541.49.8000 1 - - - 1,65 V 25 mA 5000vrms 20% @ 16mA - - -
TLP160J(T7TL,U,C,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP160J (T7TL, U, C, F -
RFQ
ECAD 4923 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Ruban Adhésif (tr) Obsolète TLP160J - 1 (illimité) 264-TLP160J (T7TLUCFTR EAR99 8541.49.8000 3 000
TLP3031(S,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP3031 (S, C, F) -
RFQ
ECAD 8120 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète - Par le trou 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm), 5 pistes TLP3031 Semko, ur 1 Triac 6-Dip (coupé), 5 plomb - Rohs conforme 1 (illimité) TLP3031 (SCF) EAR99 8541.49.8000 50 - 5000vrms 250 V 100 mA - Oui - 15m -
TLP571(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP571 (TP1, F) -
RFQ
ECAD 9818 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Ruban Adhésif (tr) Obsolète TLP571 - 1 (illimité) 264-TLP571 (TP1F) TR EAR99 8541.49.8000 1 500
6N136F Toshiba Semiconductor and Storage 6N136F -
RFQ
ECAD 2215 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) 6N136 Dc 1 Base de transistor AVEC 8 plombs télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 50 8m - 15V 1,65 V 25 mA 2500 VRM 19% @ 16mA - 200 ns, 500ns -
TLP120(GB-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP120 (GB-TPR, F) -
RFQ
ECAD 6747 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 MD (4 pistes), Aile du Mouette TLP120 AC, DC 1 Transistor 6 MFSOP, 4 Avance - Rohs conforme 1 (illimité) TLP120 (GB-TPRF) EAR99 8541.49.8000 3 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 50 mA 3750 VRM 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP181(GR,T) Toshiba Semiconductor and Storage TLP181 (Gr, T) -
RFQ
ECAD 1568 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 6 MD (4 pistes), Aile du Mouette TLP181 Dc 1 Transistor 6 MFSOP, 4 Avance télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 50 mA 3750 VRM 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP2770(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2770 (TP, E 2.2400
RFQ
ECAD 11 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) TLP2770 Dc 1 Push-pull, pôle totem 2,7 V ~ 5,5 V 6-SO télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 1 500 10 mA 20MBD 1,3ns, 1ns 1,5 V 8m 5000vrms 1/0 20kV / µs 60ns, 60ns
TLP512(TOJS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP512 (TOJS, F) -
RFQ
ECAD 5010 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète TLP512 - 1 (illimité) 264-TLP512 (TOJSF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP785F(D4TEET7F Toshiba Semiconductor and Storage Tlp785f (d4teet7f -
RFQ
ECAD 5501 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) TLP785 Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) 264-TLP785F (D4teet7ftr EAR99 8541.49.8000 2 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP124(TPRS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP124 (TPRS, F) -
RFQ
ECAD 5023 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 MD (4 pistes), Aile du Mouette TLP124 Dc 1 Transistor 6 MFSOP, 4 Avance - Rohs conforme 1 (illimité) TLP124 (TPRSF) EAR99 8541.49.8000 3 000 50m 8 µs, 8 µs 80V 1,15 V 50 mA 3750 VRM 100% @ 1mA 1200% @ 1mA 10 µs, 8 µs 400 mV
TLP183(YH,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183 (yh, e 0,5100
RFQ
ECAD 1248 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLP183 Dc 1 Transistor 6-SOP télécharger Rohs conforme 1 (illimité) TLP183 (yhe EAR99 8541.49.8000 125 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 75% @ 5mA 150% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP2303(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2303 (E 0,8100
RFQ
ECAD 125 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur), 5 pistes TLP2303 Dc 1 Transistor 6-So, 5 Avance télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 125 80m - 18V - 20 mA 3750 VRM 500% @ 5mA - - -
TLP185(GB,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (GB, E) -
RFQ
ECAD 5085 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLP185 Dc 1 Transistor 6-SOP télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 125 50m 5 µs, 9µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 100% @ 5mA 400% @ 5mA 9µs, 9µs 300 mV
TLP624-2(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP624-2 (F) -
RFQ
ECAD 3253 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) TLP624 Dc 2 Transistor 8 plombs télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 50 50m 8 µs, 8 µs 55V 1,15 V 50 mA 5000vrms 100% @ 1mA 1200% @ 1mA 10 µs, 8 µs 400 mV
TLP190B(TPL,U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP190B (TPL, U, C, F) -
RFQ
ECAD 7752 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface 6 MD (4 pistes), Aile du Mouette TLP190 Dc 1 Photovoltaïque 6 MFSOP, 4 Avance télécharger 264-TLP190B (TPLUCF) EAR99 8541.49.8000 1 12µA - 8v 1,4 V 50 mA 2500 VRM - - 200 µs, 1 ms -
TLP759(D4-IGM,J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 (D4-IGM, J, F) -
RFQ
ECAD 1741 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) TLP759 Dc 1 Base de transistor AVEC 8 plombs télécharger 264-TLP759 (D4-IGMJF) EAR99 8541.49.8000 1 8m - - 1,65 V 25 mA 5000vrms 25% @ 10mA 75% @ 10mA - -
TLP185(TPL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (TPL, SE 0,6000
RFQ
ECAD 9189 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLP185 Dc 1 Transistor 6-SOP télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP127(TEE-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 (Tee-TPR, F) -
RFQ
ECAD 8429 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 MD (4 pistes), Aile du Mouette TLP127 Dc 1 Darlington 6 MFSOP, 4 Avance - 1 (illimité) 264-TLP127 (TEE-TPRF) TR EAR99 8541.49.8000 3 000 150m 40 µs, 15 µs 300 V 1,15 V 50 mA 2500 VRM 1000% @ 1mA - 50 µs, 15 µs 1,2 V
TLP732(D4GRH-LF2,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP732 (D4GRH-LF2, F -
RFQ
ECAD 1476 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète TLP732 - 1 (illimité) 264-TLP732 (d4grh-lf2f EAR99 8541.49.8000 50
TLP731(D4-GB-TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP731 (D4-gb-TP1, F -
RFQ
ECAD 5890 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète TLP731 - 1 (illimité) 264-TLP731 (d4 gb-tp1f EAR99 8541.49.8000 1 500
TLP550(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550 (F) -
RFQ
ECAD 6265 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) TLP550 Dc 1 Transistor 8 plombs télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 50 8m - 15V 1,65 V 25 mA 2500 VRM 10% @ 16mA - 300ns, 1 µs -
TLP124(TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP124 (TPL, F) -
RFQ
ECAD 1975 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 MD (4 pistes), Aile du Mouette TLP124 Dc 1 Transistor 6 MFSOP, 4 Avance - Rohs conforme 1 (illimité) TLP124 (TPLF) EAR99 8541.49.8000 3 000 50m 8 µs, 8 µs 80V 1,15 V 50 mA 3750 VRM 100% @ 1mA 1200% @ 1mA 10 µs, 8 µs 400 mV
TLP126TPRF Toshiba Semiconductor and Storage TLP126TPRF -
RFQ
ECAD 2305 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 MD (4 pistes), Aile du Mouette TLP126 AC, DC 1 Transistor 6 MFSOP, 4 Avance télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 50m 8 µs, 8 µs 80V 1,15 V 50 mA 3750 VRM 100% @ 1mA 1200% @ 1mA 10 µs, 8 µs 400 mV
TLP250HF(D4-LF4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250HF (D4-LF4, F) -
RFQ
ECAD 2051 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 8 mm, Aile de Mouette TLP250 Dc 1 Push-pull, pôle totem 10V ~ 30V 8 mm télécharger 1 (illimité) 264-TLP250HF (D4-LF4F) EAR99 8541.49.8000 50 2 A - 50ns, 50ns 1,57 V 5ma 3750 VRM 1/0 40kV / µs 500ns, 500ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock