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Optoisolators (1738)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Approbation d'agence | Nombre de Canaux | Type de sortie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | COURANT - Sortie / Canal | Taux de Donnés | Temps de Hausse / Chute (Typ) | Tension - Sortie (max) | Tension - Forme (VF) (TYP) | Courant - DC Forward (IF) (Max) | Tension - isolement | Tension - Hors de l'ÉTAT | COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) | Current - Hold (IH) | Entrées - Côté 1 / Côté 2 | Immunité Transitoire en Mode Commun (min) | Délai de propagation tplh / tphl (max) | Ratio de Transfert Actual (Min) | Ratio de Transfert de Courant (Max) | Allumez / desactivez le temps (typ) | Saturation VCE (max) | Circuit de Croisment Zéro | Dv / dt state (min) | Courant - Trigger LED (IFT) (Max) | ALLUMER LE TEMPS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Tlp3905 (e | 1 8000 |  | 22 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes | TLP3905 | Dc | 1 | Photovoltaïque | 6-SOP | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 30 µA (TYP) | - | 7v | 1,65 V | 30 mA | 3750 VRM | - | - | 300 µs, 1 ms | - | |||||||||||||||
 | TLP781F (F) | - | | 6116 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 110 ° C | Par le trou | 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) | TLP781F | Dc | 1 | Transistor | À 4 plombes | télécharger | 1 (illimité) | 264-TLP781F (F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000vrms | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | |||||||||||||||
| TLP266J (TPL, E | 0,9000 | | 3 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | TLP | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes | TLP266 | 1 | Triac | 6-SOP | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3 000 | 1,27 V | 30 mA | 3750 VRM | 600 V | 70 mA | 600µA (TYP) | Oui | 200 V / µs | 10m | 30 µs | ||||||||||||||||
| TLP781F (D4GR-LF7, F | - | | 8701 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 110 ° C | Par le trou | 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) | TLP781F | Dc | 1 | Transistor | À 4 plombes | télécharger | 1 (illimité) | 264-TLP781F (D4GR-LF7F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000vrms | 100% @ 5mA | 200% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | |||||||||||||||
 | TLP781 (D4GRL-LF6, F | - | | 8041 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 4 sous-marins | TLP781 | Dc | 1 | Transistor | 4 md | télécharger | 1 (illimité) | 264-TLP781 (d4grl-lf6f | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000vrms | 100% @ 5mA | 200% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | |||||||||||||||
 | TLP291-4 (V4GBTPE | 1.0600 | | 4931 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 16-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) | TLP291 | Dc | 4 | Transistor | 16-SO | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2 000 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,2 V | 50 mA | 2500 VRM | 100% @ 5mA | 400% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | |||||||||||||||
| TLP293-4 (E | 1.6300 | | 4531 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 16-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) | TLP293 | Dc | 4 | Transistor | 16-SO | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | TLP293-4 (E (t | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,25 V | 50 mA | 3750 VRM | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 300 mV | ||||||||||||||
| TLP785 (GRH-LF6, F | - | | 5475 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Par le trou | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TLP785 | Dc | 1 | Transistor | À 4 plombes | télécharger | 1 (illimité) | 264-TLP785 (GRH-LF6F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000vrms | 150% @ 5mA | 300% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | |||||||||||||||
| TLP292-4 (4lgbtre | 1.7900 | | 8134 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 16-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) | TLP292 | AC, DC | 4 | Transistor | 16-SO | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2 000 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,25 V | 50 mA | 3750 VRM | 100% @ 500µA | 600% à 500 µA | 3 µs, 3µs | 300 mV | |||||||||||||||
 | TLP2745 (E | - | | 9400 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | TLP2745 | Dc | 1 | Push-pull, pôle totem | 4,5 V ~ 30V | 6-SO | - | 1 (illimité) | 264-TLP2745 (E | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50 mA | - | 3NS, 3NS | 1,55 V | 15m | 5000vrms | 1/0 | 30kV / µs | 120ns, 120ns | |||||||||||||||
 | TLP293-4 (TP, E | 1,6000 | | 4090 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 16-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) | TLP293 | Dc | 4 | Transistor | 16-SO | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2 000 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,25 V | 50 mA | 3750 VRM | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 300 mV | |||||||||||||||
| TLP131 (GB-TPL, F) | - | | 8605 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 5 pistes | TLP131 | Dc | 1 | Base de transistor AVEC | 6 MFSOP, 5 Avance | - | Rohs conforme | 1 (illimité) | TLP131 (GB-TPLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3 000 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 50 mA | 3750 VRM | 100% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | ||||||||||||||
| TLP716 (d4, f) | - | | 2223 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,268 ", 6,80 mm de grandeur) | Dc | 1 | Push-pull, pôle totem | 4,5 V ~ 5,5 V | Aile de Goéland à 6 sdip | télécharger | 264-TLP716 (D4F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 10 mA | 15MBD | 15NS, 15NS | 1,65 V | 20 mA | 5000vrms | 1/0 | 10kV / µs | 75ns, 75ns | |||||||||||||||||
| Tlp781f (d4funbll, f | - | | 3703 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 110 ° C | Par le trou | 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) | TLP781F | Dc | 1 | Transistor | À 4 plombes | télécharger | 1 (illimité) | 264-TLP781F (d4funblffff | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000vrms | 200% @ 5mA | 400% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | |||||||||||||||
| TLP127 (NS-TPL, F) | - | | 2554 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 6 MD (4 pistes), Aile du Mouette | TLP127 | Dc | 1 | Darlington | 6 MFSOP, 4 Avance | - | 1 (illimité) | 264-TLP127 (NS-TPLF) TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3 000 | 150m | 40 µs, 15 µs | 300 V | 1,15 V | 50 mA | 2500 VRM | 1000% @ 1mA | - | 50 µs, 15 µs | 1,2 V | |||||||||||||||
 | TLP290 (GB, SE | 0,5100 | | 2539 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Pas de designs les nouveaux | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 4-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) | TLP290 | AC, DC | 1 | Transistor | 4-SO | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 175 | 50m | 4µs, 7µs | 80V | 1,25 V | 50 mA | 3750 VRM | 100% @ 5mA | 400% @ 5mA | 7µs, 7µs | 300 mV | |||||||||||||||
| TLP531 (BL-LF2, F) | - | | 4859 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | * | Tube | Obsolète | TLP531 | - | 1 (illimité) | 264-TLP531 (BL-LF2F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP718F (D4-FA-TP, F | - | | 5186 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,268 ", 6,80 mm de grandeur) | Dc | 1 | Push-pull, pôle totem | 4,5 V ~ 20V | Aile de Goéland à 6 sdip | télécharger | 264-TLP718F (D4-FA-TPF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 5Mbps | - | - | - | 5000vrms | 1/0 | 10kV / µs | 250ns, 250ns | ||||||||||||||||||
| TLP182 (Y-TPL, E | 0,5500 | | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes | TLP182 | AC, DC | 1 | Transistor | 6-SOP | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3 000 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,25 V | 50 mA | 3750 VRM | 50% @ 5mA | 150% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 300 mV | |||||||||||||||
| TLP2958 (F) | - | | 3778 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 125 ° C | Par le trou | 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) | Dc | 1 | Push-pull, pôle totem | 3V ~ 20V | 8 plombs | télécharger | 264-TLP2958 (F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 mA | 5Mbps | 15NS, 10NS | 1,55 V | 25m | 5000vrms | 1/0 | 20kV / µs | 250ns, 250ns | |||||||||||||||||
 | TLP2361 (V4, E | 1.0400 | | 7 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur), 5 pistes | TLP2361 | Dc | 1 | Push-pull, pôle totem | 2,7 V ~ 5,5 V | 6-So, 5 Avance | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 10 mA | 15MBD | 3NS, 3NS | 1,5 V | 10m | 3750 VRM | 1/0 | 20kV / µs | 80ns, 80ns | |||||||||||||||
| TLP626 (BV-LF2, F) | - | | 9710 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Par le trou | 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) | TLP626 | AC, DC | 1 | Transistor | À 4 plombes | télécharger | 264-TLP626 (BV-LF2F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50m | 8 µs, 8 µs | 55V | 1,15 V | 60 mA | 5000vrms | 200% @ 1mA | 1200% @ 1mA | 10 µs, 8 µs | 400 mV | ||||||||||||||||
| TLP290 (GB-TP, E) | - | | 9873 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 4-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) | TLP290 | AC, DC | 1 | Transistor | 4-SO | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2 500 | 50m | 4µs, 7µs | 80V | 1,25 V | 50 mA | 3750 VRM | 100% @ 5mA | 400% @ 5mA | 7µs, 7µs | 300 mV | |||||||||||||||
 | TLP281 (GB-TP, F) | - | | 2615 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 4-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grandeur) | TLP281 | Dc | 1 | Transistor | 4-SOP | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2 500 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 50 mA | 2500 VRM | 100% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | ||||||||||||||||
| TLP121 (GR-TPL, F) | - | | 2963 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 6 MD (4 pistes), Aile du Mouette | TLP121 | Dc | 1 | Transistor | 6 MFSOP, 4 Avance | - | Rohs conforme | 1 (illimité) | TLP121 (GR-TPLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3 000 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 50 mA | 3750 VRM | 100% @ 5mA | 300% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | ||||||||||||||
| TLP265J (E | 0,8200 | | 5081 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes | TLP265 | CQC, Cur, Ur | 1 | Triac | 6-SOP | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 1,27 V | 50 mA | 3750 VRM | 600 V | 70 mA | 1MA (TYP) | Non | 500 V / µs (TYP) | 10m | 20 µs | |||||||||||||||
| TLP2370 (E | 1.7900 | | 5671 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur), 5 pistes | TLP2370 | Dc | 1 | Push-pull, pôle totem | 2,7 V ~ 5,5 V | 6-So, 5 Avance | télécharger | 1 (illimité) | 264-TLP2370 (E | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 10 mA | 20 Mbps | 3NS, 2NS | 1,5 V | 8m | 3750 VRM | 1/0 | 20kV / µs | 60ns, 60ns | |||||||||||||||
| TLP785F (D4-BL, F | - | | 1512 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Par le trou | 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) | TLP785 | Dc | 1 | Transistor | À 4 plombes | télécharger | 1 (illimité) | 264-TLP785F (D4-BLF | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000vrms | 200% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | |||||||||||||||
| TLP188 (GB, E | 0,8300 | | 4747 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes | TLP188 | Dc | 1 | Transistor | 6-SOP | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50m | 2 µs, 3µs | 350 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 VRM | 100% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | ||||||||||||||||
| TLP785F (D4GHT7, F | - | | 6227 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Par le trou | 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) | TLP785 | Dc | 1 | Transistor | À 4 plombes | télécharger | 1 (illimité) | 264-TLP785F (D4GHT7FTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2 000 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000vrms | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV |
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