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Optoisolators (1738)

Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Approbation d'agence Nombre de Canaux Type de sortie Tension - alimentation Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package COURANT - Sortie / Canal Taux de Donnés Temps de Hausse / Chute (Typ) Tension - Sortie (max) Tension - Forme (VF) (TYP) Courant - DC Forward (IF) (Max) Tension - isolement Tension - Hors de l'ÉTAT COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entrées - Côté 1 / Côté 2 Immunité Transitoire en Mode Commun (min) Délai de propagation tplh / tphl (max) Ratio de Transfert Actual (Min) Ratio de Transfert de Courant (Max) Allumez / desactivez le temps (typ) Saturation VCE (max) Circuit de Croisment Zéro Dv / dt state (min) Courant - Trigger LED (IFT) (Max) ALLUMER LE TEMPS
TLX9291(FDKGBTLF(O Toshiba Semiconductor and Storage Tlx9291 (fdkgbtlf (o -
RFQ
 ECAD 7115 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * En gros Obsolète - 264-TLX9291 (fdkgbtlf (o EAR99 8541.49.8000 1
TLP2761(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2761 (TP4, E -
RFQ
 ECAD 7022 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) TLP2761 AC, DC 1 2,7 V ~ 5,5 V 6-SO télécharger Rohs conforme 1 (illimité) TLP2761 (TP4E EAR99 8541.49.8000 1 000 10 mA 15MBD 3NS, 3NS 1,5 V 10m 5000vrms 1/0 20kV / µs 80ns, 80ns
TLP552(MAT,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP552 (Mat, F) -
RFQ
 ECAD 3433 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète TLP552 - 1 (illimité) 264-TLP552 (MATF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP2116(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2116 (F) -
RFQ
 ECAD 6702 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) TLP2116 Dc 2 Push-pull, pôle totem 4,5 V ~ 5,5 V 8-so télécharger Rohs conforme 1 (illimité) TLP2116F EAR99 8541.49.8000 100 10 mA 15MBD 15NS, 15NS 1,65 V 20 mA 2500 VRM 2/0 10kV / µs 75ns, 75ns
TLP185(V4GRTR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (V4grtr, SE 0,5900
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLP185 Dc 1 Transistor 6-SOP télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP190B(C20TL,UC,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP190B (C20TL, UC, F -
RFQ
 ECAD 1639 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface 6 MD (4 pistes), Aile du Mouette Dc 1 Photovoltaïque 6 MFSOP, 4 Avance télécharger 264-TLP190B (C20TLUCF EAR99 8541.49.8000 1 - - 8v 1,4 V 50 mA 2500 VRM - - 200 µs, 1 ms -
TLP750(D4-SANYD,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP750 (D4-Sanyd, F) -
RFQ
 ECAD 6698 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète TLP750 - 1 (illimité) 264-TLP750 (D4-Sanydf) EAR99 8541.49.8000 50
TLP2768(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2768 (F) -
RFQ
 ECAD 8492 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,268 ", 6,80 mm de grandeur) TLP2768 Dc 1 Collectionner OUVER 2,7 V ~ 5,5 V Aile de Goéland à 6 sdip télécharger 264-TLP2768 (F) EAR99 8541.49.8000 1 25 mA 20MBD 30ns, 30ns 1,55 V 25m 5000vrms 1/0 20kV / µs 60ns, 60ns
TLP127(SONY-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 (Sony-TPL, F) -
RFQ
 ECAD 5109 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 MD (4 pistes), Aile du Mouette TLP127 Dc 1 Darlington 6 MFSOP, 4 Avance - 1 (illimité) 264-TLP127 (Sony-TPLF) TR EAR99 8541.49.8000 3 000 150m 40 µs, 15 µs 300 V 1,15 V 50 mA 2500 VRM 1000% @ 1mA - 50 µs, 15 µs 1,2 V
TLP551(Y,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP551 (Y, F) -
RFQ
 ECAD 6910 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) TLP551 Dc 1 Base de transistor AVEC 8 plombs - Rohs conforme Non applicable TLP551 (YF) EAR99 8541.49.8000 125 8m - 15V 1,65 V 25 mA 2500 VRM 10% @ 16mA - 300ns, 1 µs -
TLP2301(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2301 (TPL, E 0,6000
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLP2301 Dc 1 Transistor 6-SOP télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 50m - 40V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 50% @ 1mA 600% @ 1mA - 300 mV
TLP9114B(PED-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9114B (PED-TL, F) -
RFQ
 ECAD 8768 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * En gros Obsolète - 264-TLP9114B (PED-TLF) EAR99 8541.49.8000 1
TLP751(LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP751 (LF2, F) -
RFQ
 ECAD 5641 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) TLP751 Dc 1 Base de transistor AVEC 8 plombs - Rohs conforme Non applicable TLP751 (LF2F) EAR99 8541.49.8000 50 8m - 15V 1,65 V 25 mA 5000vrms 10% @ 16mA - 200 ns, 1 µs -
TLP731(GB-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP731 (GB-LF1, F) -
RFQ
 ECAD 7795 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète TLP731 - 1 (illimité) 264-TLP731 (GB-LF1F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP182(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP182 (e 0,5700
RFQ
 ECAD 125 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLP182 AC, DC 1 Transistor 6-SOP télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 125 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP293(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293 (TPL, E 0,5100
RFQ
 ECAD 9277 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 125 ° C Support de surface 4-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) TLP293 Dc 1 Transistor 4-SO télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 2 500 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP626(MAT-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626 (MAT-LF2, F) -
RFQ
 ECAD 9349 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) TLP626 AC, DC 1 Transistor À 4 plombes télécharger 264-TLP626 (MAT-LF2F) EAR99 8541.49.8000 1 50m 8 µs, 8 µs 55V 1,15 V 60 mA 5000vrms 100% @ 1mA 1200% @ 1mA 10 µs, 8 µs 400 mV
TLP781F(D4-Y,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (D4-Y, F) -
RFQ
 ECAD 4224 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) TLP781F Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) 264-TLP781F (D4-YF) EAR99 8541.49.8000 100 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP785F(BLL-T7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (BLL-T7, F -
RFQ
 ECAD 7721 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) TLP785 Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) 264-TLP785F (BLL-T7FTR EAR99 8541.49.8000 2 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 200% @ 5mA 400% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP785F(D4-BLL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (D4-BLL, F -
RFQ
 ECAD 7615 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) TLP785 Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) 264-TLP785F (D4-BLLF EAR99 8541.49.8000 100 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 200% @ 5mA 400% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP626(FANUC,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626 (FanUC, F) -
RFQ
 ECAD 7970 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP626 AC, DC 1 Transistor À 4 plombes télécharger 264-TLP626 (FANUCF) EAR99 8541.49.8000 1 50m 8 µs, 8 µs 55V 1,15 V 60 mA 5000vrms 100% @ 1mA 1200% @ 1mA 10 µs, 8 µs 400 mV
TLP185(GR-TPR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (GR-TPR, SE 0,5900
RFQ
 ECAD 3461 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLP185 Dc 1 Transistor 6-SOP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP266J(V4T7TR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP266J (V4T7TR, E 0,9300
RFQ
 ECAD 2986 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba TLP Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLP266 1 Triac 6-SOP télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 1,27 V 30 mA 3750 VRM 600 V 70 mA 600µA (TYP) Oui 200 V / µs 10m 30 µs
TLP781F(D4BLL-F7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (D4BLL-F7, F -
RFQ
 ECAD 3316 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) TLP781F Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) 264-TLP781F (D4BLL-F7F EAR99 8541.49.8000 100 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 200% @ 5mA 400% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP785(D4-GRH,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (d4-grh, f -
RFQ
 ECAD 7042 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP785 Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) 264-TLP785 (D4-Grhf EAR99 8541.49.8000 100 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 150% @ 5mA 300% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP620-2(GR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-2 (Gr, F) -
RFQ
 ECAD 6523 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) TLP620 AC, DC 2 Transistor 8 plombs télécharger 264-TLP620-2 (GRF) EAR99 8541.49.8000 1 50m 2 µs, 3µs 55V 1,15 V 50 mA 5000vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP331(LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage Tlp331 (lf5, f) -
RFQ
 ECAD 1127 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète Tlp331 - 1 (illimité) 264-TLP331 (LF5F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP108(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP108 (F) -
RFQ
 ECAD 7760 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Acheter la Dernière -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 5 pistes TLP108 Dc 1 Push-pull, pôle totem 4,5 V ~ 20V 6 MFSOP, 5 Avance télécharger Rohs conforme 1 (illimité) 5A991 8541.49.8000 150 25 mA 5Mbps 30ns, 30ns 1,57 V 20 mA 3750 VRM 1/0 10kV / µs 250ns, 250ns
TLP265J(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP265J (TPL, E 0,8200
RFQ
 ECAD 5753 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLP265 CQC, Cur, Ur 1 Triac 6-SOP télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 1,27 V 50 mA 3750 VRM 600 V 70 mA 1MA (TYP) Non 500 V / µs (TYP) 10m 20 µs
TLP127(MAT-L-TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 (MAT-L-TPL, F -
RFQ
 ECAD 3726 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 MD (4 pistes), Aile du Mouette TLP127 Dc 1 Darlington 6 MFSOP, 4 Avance - 1 (illimité) 264-TLP127 (MAT-L-TPLFTR EAR99 8541.49.8000 3 000 150m 40 µs, 15 µs 300 V 1,15 V 50 mA 2500 VRM 1000% @ 1mA - 50 µs, 15 µs 1,2 V
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    Volume de RFQ moyen quotidien

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    30 000 000

    Unité de produit standard

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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