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Optoisolators (1738)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Nombre de Canaux Type de sortie Tension - alimentation Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package COURANT - Sortie / Canal Taux de Donnés Temps de Hausse / Chute (Typ) Tension - Sortie (max) Tension - Forme (VF) (TYP) Courant - DC Forward (IF) (Max) Tension - isolement Tension - Hors de l'ÉTAT COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entrées - Côté 1 / Côté 2 Immunité Transitoire en Mode Commun (min) Délai de propagation tplh / tphl (max) Ratio de Transfert Actual (Min) Ratio de Transfert de Courant (Max) Allumez / desactivez le temps (typ) Saturation VCE (max) Circuit de Croisment Zéro Dv / dt state (min) Courant - Trigger LED (IFT) (Max) ALLUMER LE TEMPS
TLP759(D4TEIGF2J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 (d4teigf2j, f -
RFQ
 ECAD 2055 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) Dc 1 Base de transistor AVEC 8 plombs télécharger 264-TLP759 (d4teigf2jf EAR99 8541.49.8000 1 8m - 20V 1,65 V 25 mA 5000vrms 20% @ 16mA - - -
TLP2348(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2348 (E 1.1200
RFQ
 ECAD 75 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -40 ° C ~ 110 ° C Support de surface 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur), 5 pistes TLP2348 Dc 1 Push-pull, pôle totem 4,5 V ~ 30V 6-So, 5 Avance télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 264-TLP2348 (E EAR99 8541.49.8000 125 50 mA 10Mbps 3NS, 3NS 1,55 V 15m 3750 VRM 1/0 30kV / µs 120ns, 120ns
TLP550(LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550 (LF5, F) -
RFQ
 ECAD 9974 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète TLP550 - 1 (illimité) 264-TLP550 (LF5F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP785(D4-GR,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (d4-gr, f 0,6200
RFQ
 ECAD 85 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP785 Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger Rohs conforme Non applicable TLP785 (D4-GRF EAR99 8541.49.8000 100 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP2745(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2745 (E -
RFQ
 ECAD 9400 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -40 ° C ~ 110 ° C Support de surface 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) TLP2745 Dc 1 Push-pull, pôle totem 4,5 V ~ 30V 6-SO - 1 (illimité) 264-TLP2745 (E EAR99 8541.49.8000 125 50 mA - 3NS, 3NS 1,55 V 15m 5000vrms 1/0 30kV / µs 120ns, 120ns
TLP750(D4COS-TP5,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP750 (D4COS-TP5, F -
RFQ
 ECAD 2015 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) Dc 1 Base de transistor AVEC 8 plombs télécharger 264-TLP750 (D4COS-TP5F EAR99 8541.49.8000 1 8m - 15V 1,65 V 25 mA 5000vrms 10% @ 16mA - 200 ns, 1 µs -
TLP385(GRH-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (GRH-TPR, E 0,5400
RFQ
 ECAD 5721 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLP385 Dc 1 Transistor 6-So, 4 Avance télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 5000vrms 150% @ 5mA 300% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP5772(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5772 (D4, E 2.4500
RFQ
 ECAD 4839 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -40 ° C ~ 110 ° C Support de surface 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) TLP5772 Dc 1 Push-pull, pôle totem 10V ~ 30V 6-SO télécharger Rohs conforme 1 (illimité) TLP5772 (D4E EAR99 8541.49.8000 125 - 15ns, 8ns 1,65 V 8m 5000vrms 1/0 35kV / µs 150ns, 150ns
TLP387(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage Tlp387 (tpr, e 0,8700
RFQ
 ECAD 5699 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes Tlp387 Dc 1 Darlington 6-So, 4 Avance télécharger Rohs conforme Non applicable EAR99 8541.49.8000 3 000 150m 40 µs, 15 µs 300 V 1,25 V 50 mA 5000vrms 1000% @ 1mA - 50 µs, 15 µs 1v
TLP715(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP715 (D4-TP, F) -
RFQ
 ECAD 6489 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6-SOIC (0,268 ", 6,80 mm de grandeur) TLP715 Dc 1 Push-pull, pôle totem 4,5 V ~ 20V Aile de Goéland à 6 sdip télécharger 264-TLP715 (D4-TPF) EAR99 8541.49.8000 1 25 mA 5Mbps 30ns, 30ns 1,6 V 20 mA 5000vrms 1/0 10kV / µs 250ns, 250ns
TLP2766A(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2766A (TP, E 1.6700
RFQ
 ECAD 7843 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) TLP2766 Dc 1 Push-pull, pôle totem 2,7 V ~ 5,5 V 6-SO télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 1 500 10 mA 20MBD 5NS, 4NS 1,8 V (max) 25m 5000vrms 1/0 20kV / µs 55ns, 55ns
TLP627MF(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627MF (D4, E 0,9000
RFQ
 ECAD 96 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) TLP627 Dc 1 Darlington À 4 plombes télécharger 1 (illimité) 264-TLP627MF (D4E EAR99 8541.49.8000 100 150m 60 µs, 30 µs 300 V 1,25 V 50 mA 5000vrms 1000% @ 1mA - 110 µs, 30 µs 1,2 V
TLP266J(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP266J (TPR, E 0,9000
RFQ
 ECAD 6709 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba TLP Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLP266 1 Triac 6-SOP télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 1,27 V 30 mA 3750 VRM 600 V 70 mA 600µA (TYP) Oui 200 V / µs 10m 30 µs
TLP2303(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2303 (E 0,8100
RFQ
 ECAD 125 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur), 5 pistes TLP2303 Dc 1 Transistor 6-So, 5 Avance télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 125 80m - 18V - 20 mA 3750 VRM 500% @ 5mA - - -
TLP2370(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2370 (TPR, E 1.7700
RFQ
 ECAD 1016 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur), 5 pistes TLP2370 Dc 1 Push-pull, pôle totem 2,7 V ~ 5,5 V 6-So, 5 Avance télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 10 mA 20 Mbps 3NS, 2NS 1,5 V 8m 3750 VRM 1/0 20kV / µs 60ns, 60ns
TLP620-4(BL-FNC,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-4 (BL-FNC, F) -
RFQ
 ECAD 6875 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 16 DIP (0,300 ", 7,62 mm) AC, DC 4 Transistor 16 plombs télécharger 264-TLP620-4 (BL-FNCF) EAR99 8541.49.8000 1 50m 2 µs, 3µs 55V 1,15 V 50 mA 5000vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP731(GR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP731 (Gr, F) -
RFQ
 ECAD 7253 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète TLP731 - 1 (illimité) 264-TLP731 (GRF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP5702H(D4LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5702H (D4LF4, E 1.8300
RFQ
 ECAD 3288 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) TLP5702 Dc 1 Push-pull, pôle totem 15V ~ 30V 6-SO télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 125 - 37ns, 50ns 1,55 V 20 mA 5000vrms 1/0 50kV / µs 200ns, 200ns
TLP733F(D4-C174,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP733F (D4-C174, F) -
RFQ
 ECAD 4345 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète TLP733 - 1 (illimité) 264-TLP733F (D4-C174F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP2768F(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2768F (D4-TP, F) -
RFQ
 ECAD 4795 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,268 ", 6,80 mm de grandeur) TLP2768 Dc 1 Collectionner OUVER 2,7 V ~ 5,5 V Aile de Goéland à 6 sdip télécharger 264-TLP2768F (D4-TPF) EAR99 8541.49.8000 1 25 mA 20MBD 30ns, 30ns 1,55 V 25m 5000vrms 1/0 20kV / µs 60ns, 60ns
TLP2391(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2391 (E 1,3000
RFQ
 ECAD 125 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur), 5 pistes TLP2391 AC, DC 1 Push-pull, pôle totem 2,7 V ~ 5,5 V 6-So, 5 Avance télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 125 10 mA 10mbd 3NS, 3NS 1,55 V 10m 3750 VRM 1/0 20kV / µs 100ns, 100ns
TLP184(BL-TPL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP184 (BL-TPL, SE 0,5100
RFQ
 ECAD 6089 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLP184 AC, DC 1 Transistor 6-SOP télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 200% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP9114B(PED-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9114B (PED-TL, F) -
RFQ
 ECAD 8768 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * En gros Obsolète - 264-TLP9114B (PED-TLF) EAR99 8541.49.8000 1
TLP5705H(LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5705H (LF4, E 1.9900
RFQ
 ECAD 5551 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) Dc 1 Push-pull, pôle totem 15V ~ 30V 6-SO télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 125 - 37ns, 50ns 1,55 V 20 mA 5000vrms 1/0 50kV / µs 200ns, 200ns
TLP191B(TPL,U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP191B (TPL, U, C, F) -
RFQ
 ECAD 9293 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface 6 MD (4 pistes), Aile du Mouette TLP191 Dc 1 Photovoltaïque 6 MFSOP, 4 Avance télécharger 264-TLP191B (TPLUCF) EAR99 8541.49.8000 1 - - 8v 1,4 V 50 mA 2500 VRM - - 200 µs, 3 ms -
TLP250H(D4-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250H (D4-TP1, F) 1.7900
RFQ
 ECAD 7192 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 8 mm, Aile de Mouette TLP250 Dc 1 Push-pull, pôle totem 10V ~ 30V 8 mm télécharger Rohs conforme Non applicable EAR99 8541.49.8000 1 500 2.5 A - 50ns, 50ns 1,57 V 20 mA 3750 VRM 1/0 40kV / µs 500ns, 500ns
TLP2105(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2105 (TP, F) 1 5759
RFQ
 ECAD 6457 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) TLP2105 Dc 2 Push-pull, pôle totem 4,5 V ~ 20V 8-so télécharger Rohs conforme 1 (illimité) TLP2105 (TPF) EAR99 8541.49.8000 2 500 25 mA 5Mbps 30ns, 30ns 1,65 V 20 mA 2500 VRM 2/0 10kV / µs 250ns, 250ns
TLP183(YH,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183 (yh, e 0,5100
RFQ
 ECAD 1248 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLP183 Dc 1 Transistor 6-SOP télécharger Rohs conforme 1 (illimité) TLP183 (yhe EAR99 8541.49.8000 125 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 75% @ 5mA 150% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP781(D4GRT6-SD,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (D4GRT6-SD, F -
RFQ
 ECAD 6920 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP781 Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) 264-TLP781 (D4GRT6-SDFTR EAR99 8541.49.8000 2 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP2768(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2768 (F) -
RFQ
 ECAD 8492 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,268 ", 6,80 mm de grandeur) TLP2768 Dc 1 Collectionner OUVER 2,7 V ~ 5,5 V Aile de Goéland à 6 sdip télécharger 264-TLP2768 (F) EAR99 8541.49.8000 1 25 mA 20MBD 30ns, 30ns 1,55 V 25m 5000vrms 1/0 20kV / µs 60ns, 60ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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