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Optoisolators (1738)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Nombre de Canaux Type de sortie Tension - alimentation Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package COURANT - Sortie / Canal Taux de Donnés Temps de Hausse / Chute (Typ) Tension - Sortie (max) Tension - Forme (VF) (TYP) Courant - DC Forward (IF) (Max) Tension - isolement Entrées - Côté 1 / Côté 2 Immunité Transitoire en Mode Commun (min) Délai de propagation tplh / tphl (max) Ratio de Transfert Actual (Min) Ratio de Transfert de Courant (Max) Allumez / desactivez le temps (typ) Saturation VCE (max) Grade Qualification
TLP2395(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2395 (TPL, E -
RFQ
 ECAD 6515 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur), 5 pistes TLP2395 Dc 1 Push-pull, pôle totem 3V ~ 20V 6-So, 5 Avance - 1 (illimité) 264-TLP2395 (TPletr EAR99 8541.49.8000 3 000 25 mA 5Mbps 15ns, 12ns 1,5 V 20 mA 3750 VRM 1/0 20kV / µs 250ns, 250ns
TLP620F-2(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620F-2 (D4, F) -
RFQ
 ECAD 9366 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) - 2 Transistor 8 plombs - 264-TLP620F-2 (D4F) EAR99 8541.49.8000 1 50m - 55V - 60 mA 5000vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA - -
TLP785F(Y-LF7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (Y-LF7, F -
RFQ
 ECAD 7022 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 4 sous-marins TLP785 Dc 1 Transistor 4 md télécharger 1 (illimité) 264-TLP785F (Y-LF7F EAR99 8541.49.8000 100 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP5772H(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5772H (D4-TP, E 2.4900
RFQ
 ECAD 6696 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) TLP5772 Dc 1 Push-pull, pôle totem 15V ~ 30V 6-SO télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 1 500 - 56ns, 25ns 1,55 V 8m 5000vrms 1/0 35kV / µs 150ns, 150ns
TLP2312(V4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2312 (V4, E 1.7100
RFQ
 ECAD 2802 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur), 5 pistes TLP2312 Dc 1 Push-pull, pôle totem 2,2V ~ 5,5 V 6-So, 5 Avance télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 125 8 mA 5Mbps 2,2ns, 1,6ns 1,53 V 8m 3750 VRM 1/0 20kV / µs 250ns, 250ns
TLP759(D4IM-F5,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 (D4IM-F5, J, F -
RFQ
 ECAD 2025 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) TLP759 Dc 1 Base de transistor AVEC 8 plombs télécharger 264-TLP759 (D4IM-F5JF EAR99 8541.49.8000 1 8m - - 1,65 V 25 mA 5000vrms 20% @ 16mA - - -
TLP759(D4-TP4,J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 (D4-TP4, J, F) -
RFQ
 ECAD 8421 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 8 mm, Aile de Mouette TLP759 Dc 1 Base de transistor AVEC 8 mm télécharger 264-TLP759 (D4-TP4JF) EAR99 8541.49.8000 1 8m - - 1,65 V 25 mA 5000vrms 20% @ 16mA - - -
TLP5702(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5702 (TP4, E 1.5600
RFQ
 ECAD 7130 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 110 ° C Support de surface 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) TLP5702 Dc 1 Push-pull, pôle totem 15V ~ 30V 6-SO télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 1 500 - 15ns, 8ns 1,55 V 20 mA 5000vrms 1/0 20kV / µs 200ns, 200ns
TLP9118(HITJ-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9118 (HITJ-TL, F) -
RFQ
 ECAD 7220 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * En gros Obsolète - 264-TLP9118 (HITJ-TLF) EAR99 8541.49.8000 1
TLP108(TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP108 (TPR, F) -
RFQ
 ECAD 9357 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 5 pistes Dc 1 Push-pull, pôle totem 4,5 V ~ 20V 6 MFSOP, 5 Avance télécharger 264-TLP108 (TPRF) EAR99 8541.49.8000 1 25 mA 5Mbps 30ns, 30ns 1,57 V 20 mA 3750 VRM 1/0 10kV / µs 250ns, 250ns
TLP785F(BL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (BL, F -
RFQ
 ECAD 6029 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) TLP785 Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) 264-TLP785F (BLF EAR99 8541.49.8000 100 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 200% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP108(DPW-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP108 (DPW-TPL, F) -
RFQ
 ECAD 9586 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 5 pistes Dc 1 Push-pull, pôle totem 4,5 V ~ 20V 6 MFSOP, 5 Avance télécharger 264-TLP108 (DPW-TPLF) EAR99 8541.49.8000 1 25 mA 5Mbps 30ns, 30ns 1,57 V 20 mA 3750 VRM 1/0 10kV / µs 250ns, 250ns
TLP785(D4GR-F6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (D4GR-F6, F -
RFQ
 ECAD 7555 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP785 Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) 264-TLP785 (D4GR-F6F EAR99 8541.49.8000 100 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLPN137(TP1,S) Toshiba Semiconductor and Storage TLPN137 (TP1, S) -
RFQ
 ECAD 5495 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Ruban Adhésif (tr) Obsolète TLPN137 - 1 (illimité) 264-TLPN137 (TP1S) TR EAR99 8541.49.8000 1 500
TLP715(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP715 (D4, F) -
RFQ
 ECAD 5372 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6-SOIC (0,268 ", 6,80 mm de grandeur) TLP715 Dc 1 Push-pull, pôle totem 4,5 V ~ 20V Aile de Goéland à 6 sdip télécharger 264-TLP715 (D4F) EAR99 8541.49.8000 1 25 mA 5Mbps 30ns, 30ns 1,6 V 20 mA 5000vrms 1/0 10kV / µs 250ns, 250ns
TLP785F(GRH,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (GRH, F -
RFQ
 ECAD 1176 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) TLP785 Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) 264-TLP785F (GRHF EAR99 8541.49.8000 100 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 150% @ 5mA 300% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP781F(LF7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (LF7, F) -
RFQ
 ECAD 4839 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 4 sous-marins TLP781F Dc 1 Transistor 4 md télécharger 1 (illimité) 264-TLP781F (LF7F) EAR99 8541.49.8000 100 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP2367(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2367 (TPL, E 0,9641
RFQ
 ECAD 4672 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur), 5 pistes TLP2367 Dc 1 Push-pull, pôle totem 2,7 V ~ 5,5 V 6-So, 5 Avance télécharger Rohs conforme 1 (illimité) TLP2367 (TPLE EAR99 8541.49.8000 3 000 10 mA 50mbd 2NS, 1NS 1,6 V 15m 3750 VRM 1/0 25kV / µs 20ns, 20ns
TLP759F(D4ISIMT4JF Toshiba Semiconductor and Storage Tlp759f (d4isimt4jf -
RFQ
 ECAD 8985 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) Dc 1 Base de transistor AVEC 8 plombs télécharger 264-TLP759F (d4isimt4jf EAR99 8541.49.8000 1 8m - 20V 1,65 V 25 mA 5000vrms 20% @ 16mA - - -
TLP2312(V4-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2312 (V4-TPR, E 1.7300
RFQ
 ECAD 7089 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur), 5 pistes TLP2312 Dc 1 Push-pull, pôle totem 2,2V ~ 5,5 V 6-So, 5 Avance télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 8 mA 5Mbps 2,2ns, 1,6ns 1,53 V 8m 3750 VRM 1/0 20kV / µs 250ns, 250ns
TLP552(MAT-TA,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP552 (Mat-Ta, F) -
RFQ
 ECAD 6505 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète TLP552 - 1 (illimité) 264-TLP552 (MAT-TAF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP731(D4-GR-TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP731 (d4-gr-tp1, f -
RFQ
 ECAD 3010 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète TLP731 - 1 (illimité) 264-TLP731 (d4-gr-tp1f EAR99 8541.49.8000 1 500
TLP750(D4-TP4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP750 (D4-TP4, F) -
RFQ
 ECAD 9240 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète TLP750 - 1 (illimité) 264-TLP750 (D4-TP4F) EAR99 8541.49.8000 1 500
TLP759F(D4IMT4,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759F (D4IMT4, J, F -
RFQ
 ECAD 7748 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) Dc 1 Base de transistor AVEC 8 plombs télécharger 264-TLP759F (D4IMT4JF EAR99 8541.49.8000 1 8m - 20V 1,65 V 25 mA 5000vrms 20% @ 16mA - - -
TLP754F(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP754F (F) -
RFQ
 ECAD 8479 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 125 ° C Par le trou 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) Dc 1 Collectionner OUVER 4,5 V ~ 30V 8 plombs télécharger 264-TLP754F (F) EAR99 8541.49.8000 1 15 mA 1Mbps - 1,55 V 20 mA 5000vrms 1/0 20kV / µs 550ns, 400ns
TLP620-4(D4-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-4 (D4-LF2, F) -
RFQ
 ECAD 5028 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 16 DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP620 AC, DC 4 Transistor 16 plombs télécharger 264-TLP620-4 (D4-LF2F) EAR99 8541.49.8000 1 50m 2 µs, 3µs 55V 1,15 V 50 mA 5000vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP754(D4-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP754 (D4-TP1, F) -
RFQ
 ECAD 1198 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 8 mm, Aile de Mouette Dc 1 Collectionnez OUVER, SCHOTTKY SERRÉ 4,5 V ~ 30V 8 mm télécharger 264-TLP754 (D4-TP1F) EAR99 8541.49.8000 1 15 mA 1Mbps - 1,55 V 20 mA 5000vrms 1/0 20kV / µs 550ns, 400ns
TLP9114B(SND-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9114B (snd-tl, f) -
RFQ
 ECAD 7866 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * En gros Obsolète - 264-TLP9114B (SND-TL, F) EAR99 8541.49.8000 1
TLX9291A(GBTPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLX9291A (GBTPL, F 3.1500
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 4-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) TLX9291 Dc 1 Transistor 4-SO télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 2 500 50m 3 µs, 5 µs 80V 1,27 V 30 mA 3750 VRM 100% @ 5mA 600% @ 5mA 5 µs, 5 µs 400 mV Automobile AEC-Q101
TLP759(D4-MBS,J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 (D4-MBS, J, F) -
RFQ
 ECAD 1349 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) Dc 1 Base de transistor AVEC 8 plombs télécharger 264-TLP759 (D4-MBSJF) EAR99 8541.49.8000 1 8m - 20V 1,65 V 25 mA 5000vrms 20% @ 16mA - - -
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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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