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Optoisolators (1738)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Approbation d'agence | Nombre de Canaux | Type de sortie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | COURANT - Sortie / Canal | Taux de Donnés | Temps de Hausse / Chute (Typ) | Tension - Sortie (max) | Tension - Forme (VF) (TYP) | Courant - DC Forward (IF) (Max) | Tension - isolement | Tension - Hors de l'ÉTAT | COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) | Current - Hold (IH) | Entrées - Côté 1 / Côté 2 | Immunité Transitoire en Mode Commun (min) | Délai de propagation tplh / tphl (max) | Ratio de Transfert Actual (Min) | Ratio de Transfert de Courant (Max) | Allumez / desactivez le temps (typ) | Saturation VCE (max) | Circuit de Croisment Zéro | Dv / dt state (min) | Courant - Trigger LED (IFT) (Max) | ALLUMER LE TEMPS | Grade | Qualification |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP120 (TPR, F) | - |  | 1673 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 6 MD (4 pistes), Aile du Mouette | TLP120 | AC, DC | 1 | Transistor | 6 MFSOP, 4 Avance | - | Rohs conforme | 1 (illimité) | TLP120 (TPRF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3 000 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 50 mA | 3750 VRM | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | ||||||||||||||||
| TLP9121A (FD-GBTL, F | - | | 5947 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | * | En gros | Obsolète | - | 264-TLP9121A (FD-GBTLF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP127 (Ome-TPR, F) | - | | 4020 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 6 MD (4 pistes), Aile du Mouette | TLP127 | Dc | 1 | Darlington | 6 MFSOP, 4 Avance | - | 1 (illimité) | 264-TLP127 (OME-TPRF) TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3 000 | 150m | 40 µs, 15 µs | 300 V | 1,15 V | 50 mA | 2500 VRM | 1000% @ 1mA | - | 50 µs, 15 µs | 1,2 V | |||||||||||||||||
 | TLP785 (GRL-TP6, F | - | | 4625 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 4 sous-marins | TLP785 | Dc | 1 | Transistor | 4 md | télécharger | 1 (illimité) | 264-TLP785 (GRL-TP6FTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2 000 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000vrms | 100% @ 5mA | 200% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | |||||||||||||||||
| TLP759 (D4-MBS3, J, F | - | | 7467 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Par le trou | 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) | TLP759 | Dc | 1 | Base de transistor AVEC | 8 plombs | télécharger | 264-TLP759 (D4-MBS3JF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8m | - | - | 1,65 V | 25 mA | 5000vrms | 20% @ 16mA | - | - | - | ||||||||||||||||||
 | TLP2768A (TP, E | 1.3800 | | 7783 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | TLP2768 | Dc | 1 | Collectionner OUVER | 2,7 V ~ 5,5 V | 6-SO | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 500 | 25 mA | 20MBD | 30ns, 30ns | 1,55 V | 25m | 5000vrms | 1/0 | 20kV / µs | 60ns, 60ns | |||||||||||||||||
| TLP2066 (V4-TPL, F) | - | | 7211 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 5 pistes | Dc | 1 | Push-pull, pôle totem | 3V ~ 3,6 V | 6 MFSOP, 5 Avance | - | 264-TLP2066 (V4-TPLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 10 mA | 20 Mbps | 5NS, 4NS | 1,6 V | 25m | 3750 VRM | 1/0 | 15kV / µs | 60ns, 60ns | |||||||||||||||||||
 | TLP2304 (TPR, E | 1.4100 | | 3 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur), 5 pistes | TLP2304 | Dc | 1 | Collectionner OUVER | 4,5 V ~ 30V | 6-So, 5 Avance | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3 000 | 15 mA | 1MBD | - | 1,55 V | 25m | 3750 VRM | 1/0 | 20kV / µs | 550ns, 400ns | |||||||||||||||||
 | TLP292 (GB-TPL, E | 0,5500 | | 15 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 4-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) | TLP292 | AC, DC | 1 | Transistor | 4-SO | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2 500 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,25 V | 50 mA | 3750 VRM | 100% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 300 mV | |||||||||||||||||
| TLP781 (GRH, F) | - | | 3019 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 110 ° C | Par le trou | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TLP781 | Dc | 1 | Transistor | À 4 plombes | télécharger | 1 (illimité) | 264-TLP781 (GRHF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000vrms | 150% @ 5mA | 300% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | |||||||||||||||||
| TLP781F (D4GRH-F7, F | - | | 3128 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 110 ° C | Par le trou | 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) | TLP781F | Dc | 1 | Transistor | À 4 plombes | télécharger | 1 (illimité) | 264-TLP781F (D4GRH-F7F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000vrms | 150% @ 5mA | 300% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | |||||||||||||||||
 | Tlx9000 (TPL, F | 3.1500 | | 6185 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 4-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) | Tlx9000 | Dc | 1 | Transistor | 4-SO | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2 500 | 50m | - | 40V | 1,25 V | 30 mA | 3750 VRM | 100% @ 5mA | 900% @ 5mA | 15 µs, 50 µs | 400 mV | Automobile | AEC-Q101 | |||||||||||||||
| TLP2348 (V4-TPL, E | 1.1200 | | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur), 5 pistes | TLP2348 | Dc | 1 | Push-pull, pôle totem | 4,5 V ~ 30V | 6-So, 5 Avance | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3 000 | 50 mA | 10Mbps | 3NS, 3NS | 1,55 V | 15m | 3750 VRM | 1/0 | 30kV / µs | 120ns, 120ns | |||||||||||||||||
| TLP360JF (D4-Mur) | - | | 4800 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 100 ° C | Par le trou | 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) | TLP360 | CQC, Cul, UL, VDE | 1 | Triac | À 4 plombes | - | 264-TLP360JF (D4-Mur) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 1,15 V | 25 mA | 5000vrms | 600 V | 100 mA | 1 mA | Non | 500 V / µs (TYP) | 10m | 100 µs | ||||||||||||||||||
| TLP2366 (V4-TPL, E | 1.5200 | | 10 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur), 5 pistes | TLP2366 | Dc | 1 | Push-pull, pôle totem | 2,7 V ~ 5,5 V | 6-So, 5 Avance | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3 000 | 10 mA | 20MBD | 15NS, 15NS | 1,61 V | 25m | 3750 VRM | 1/0 | 20kV / µs | 40ns, 40ns | |||||||||||||||||
 | Tlp383 (tpl, e | - | | 4280 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes | Tlp383 | Dc | 1 | Transistor | 6-So, 4 Avance | télécharger | 1 (illimité) | 264-TLP383 (TPletr | EAR99 | 8541.49.8000 | 3 000 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,25 V | 50 mA | 5000vrms | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 300 mV | |||||||||||||||||
| TLP785F (F | - | | 9190 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Par le trou | 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) | TLP785 | Dc | 1 | Transistor | À 4 plombes | télécharger | 1 (illimité) | 264-TLP785F (F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000vrms | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | |||||||||||||||||
| TLP385 (D4-TPR, E | 0,5600 | | 6071 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes | TLP385 | Dc | 1 | Transistor | 6-So, 4 Avance | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3 000 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,25 V | 50 mA | 5000vrms | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 300 mV | |||||||||||||||||
| TLP781F (D4YH-LF7, F | - | | 4721 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 4 sous-marins | TLP781F | Dc | 1 | Transistor | 4 md | télécharger | 1 (illimité) | 264-TLP781F (D4YH-LF7F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000vrms | 75% @ 5mA | 150% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | |||||||||||||||||
 | TLP2160 (F) | - | | 3836 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | TLP2160 | Dc | 2 | Push-pull, pôle totem | 2,7 V ~ 5,5 V | 8-so | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | TLP2160F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 10 mA | 20MBD | 15NS, 15NS | 1,55 V | 25m | 2500 VRM | 2/0 | 20kV / µs | 40ns, 40ns | ||||||||||||||||
| TLP632 (Grl, F) | - | | 3400 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | * | Tube | Obsolète | TLP632 | - | 1 (illimité) | 264-TLP632 (GRLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP785F (yh, f | - | | 9936 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Par le trou | 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) | TLP785 | Dc | 1 | Transistor | À 4 plombes | télécharger | 1 (illimité) | 264-TLP785F (YHF | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000vrms | 75% @ 5mA | 150% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | |||||||||||||||||
 | TLP759 (LF1, J, F) | - | | 6163 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 8 mm, Aile de Mouette | TLP759 | Dc | 1 | Transistor | 8 mm | télécharger | Rohs conforme | Non applicable | TLP759 (LF1JF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 8m | - | 20V | 1,65 V | 25 mA | 5000vrms | 20% @ 16mA | - | 200ns, 300ns | - | ||||||||||||||||
| TLP732F (D4-BL, F) | - | | 6804 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | * | Tube | Obsolète | TLP732 | - | 1 (illimité) | 264-TLP732F (D4-BLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP630 (MBS-H, F) | - | | 5139 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Par le trou | 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TLP630 | AC, DC | 1 | Base de transistor AVEC | 6 plombs | télécharger | 264-TLP630 (MBS-HF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50m | 2 µs, 3µs | 55V | 1,15 V | 60 mA | 5000vrms | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | ||||||||||||||||||
| TLP620-2 (D4 Go, F) | - | | 2946 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Par le trou | 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) | TLP620 | AC, DC | 2 | Transistor | 8 plombs | télécharger | 264-TLP620-2 (D4 GBF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50m | 2 µs, 3µs | 55V | 1,15 V | 50 mA | 5000vrms | 100% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | ||||||||||||||||||
| TLP630 (F) | - | | 6206 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Par le trou | 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TLP630 | AC, DC | 1 | Base de transistor AVEC | 6 plombs | télécharger | 264-TLP630 (F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50m | 2 µs, 3µs | 55V | 1,15 V | 60 mA | 5000vrms | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | ||||||||||||||||||
| TLP293 (BL-TPL, E | 0,5100 | | 7531 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 4-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) | TLP293 | Dc | 1 | Transistor | 4-SO | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2 500 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,25 V | 50 mA | 3750 VRM | 200% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 300 mV | |||||||||||||||||
| TLP293 (YH-TPL, E | 0,5800 | | 6964 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 4-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) | TLP293 | Dc | 1 | Transistor | 4-SO | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2 500 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,25 V | 50 mA | 3750 VRM | 75% à 500 µA | 150% à 500 µA | 3 µs, 3µs | 300 mV | |||||||||||||||||
| TLP512 (NEMIC-LF1, F | - | | 7059 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | * | Tube | Obsolète | TLP512 | - | 1 (illimité) | 264-TLP512 (NEMIC-LF1F | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 |
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