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Optoisolators (1738)

Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Nombre de Canaux Type de sortie Tension - alimentation Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package COURANT - Sortie / Canal Taux de Donnés Temps de Hausse / Chute (Typ) Tension - Sortie (max) Tension - Forme (VF) (TYP) Courant - DC Forward (IF) (Max) Tension - isolement Entrées - Côté 1 / Côté 2 Immunité Transitoire en Mode Commun (min) Délai de propagation tplh / tphl (max) Ratio de Transfert Actual (Min) Ratio de Transfert de Courant (Max) Allumez / desactivez le temps (typ) Saturation VCE (max)
TLP781(D4-BLL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (D4-BLL, F) -
RFQ
 ECAD 3063 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP781 Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) 264-TLP781 (D4-BLLF) EAR99 8541.49.8000 100 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 200% @ 5mA 400% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP2955(MBD,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2955 (MBD, F) -
RFQ
 ECAD 4867 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 125 ° C Par le trou 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) Dc 1 Push-pull, pôle totem 3V ~ 20V 8 plombs télécharger 264-TLP2955 (MBDF) EAR99 8541.49.8000 1 25 mA 5Mbps 1,55 V 25m 5000vrms 1/0 20kV / µs 250ns, 250ns
TLP781(D4-GRL-FD,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (d4-grl-fd, f -
RFQ
 ECAD 2890 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP781 Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) 264-TLP781 (D4-GRL-FDF EAR99 8541.49.8000 100 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 100% @ 5mA 200% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP759F(FA1T4S,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759F (FA1T4S, J, F -
RFQ
 ECAD 3809 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) Dc 1 Base de transistor AVEC 8 plombs télécharger 264-TLP759F (FA1T4SJF EAR99 8541.49.8000 1 8m - 20V 1,65 V 25 mA 5000vrms 20% @ 16mA - - -
TLP161J(T5TL,U,C,F Toshiba Semiconductor and Storage Tlp161j (t5tl, u, c, f -
RFQ
 ECAD 9548 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Ruban Adhésif (tr) Obsolète TLP161J - 1 (illimité) 264-TLP161J (T5TLUCFTR EAR99 8541.49.8000 3 000
TLP785F(D4-TP7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (D4-TP7, F -
RFQ
 ECAD 4889 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 4 sous-marins TLP785 Dc 1 Transistor 4 md télécharger 1 (illimité) 264-TLP785F (D4-TP7FTR EAR99 8541.49.8000 2 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP2735(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2735 (D4-TP, E 1.8500
RFQ
 ECAD 3696 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) TLP2735 Dc 1 Push-pull, pôle totem 9V ~ 15V 6-SO télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 1 500 20 mA 10Mbps -, 4NS 1,61 V 15m 5000vrms 1/0 25kV / µs 100ns, 100ns
TLP105(MBS-N-TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP105 (MBS-N-TPL, F -
RFQ
 ECAD 5179 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 5 pistes Dc 1 Push-pull, pôle totem 4,5 V ~ 20V 6 MFSOP, 5 Avance télécharger 264-TLP105 (MBS-N-TPLF EAR99 8541.49.8000 1 50 mA 5Mbps 30ns, 30ns 1,57 V 20 mA 3750 VRM 1/0 10kV / µs 250ns, 250ns
TLP512(NEMIC,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP512 (Némic, F) -
RFQ
 ECAD 9991 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète TLP512 - 1 (illimité) 264-TLP512 (NEMICF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP161G(TPL,U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP161G (TPL, U, C, F) -
RFQ
 ECAD 7301 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Ruban Adhésif (tr) Obsolète TLP161 - 1 (illimité) 264-TLP161G (TPLUCF) TR EAR99 8541.49.8000 3 000
TLP734(D4-GB,M,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP734 (d4 g, m, f) -
RFQ
 ECAD 7783 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète TLP734 - 1 (illimité) 264-TLP734 (D4 GBMF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP385(D4-GRL,E Toshiba Semiconductor and Storage Tlp385 (d4-grl, e 0,5400
RFQ
 ECAD 1695 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLP385 Dc 1 Transistor 6-So, 4 Avance télécharger Rohs conforme 1 (illimité) TLP385 (D4-Grle EAR99 8541.49.8000 125 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 5000vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP2531(MAT-TP5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2531 (MAT-TP5, F) -
RFQ
 ECAD 4242 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) Dc 2 Base de transistor AVEC 8 plombs télécharger 264-TLP2531 (MAT-TP5F) EAR99 8541.49.8000 1 8m - 15V 1,65 V 25 mA 2500 VRM 19% @ 16mA - - -
TLP2530(PP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2530 (pp, f) -
RFQ
 ECAD 6811 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) TLP2530 Dc 2 Base de transistor AVEC 8 plombs télécharger 264-TLP2530 (PPF) EAR99 8541.49.8000 1 8m - 15V 1,65 V 25 mA 2500 VRM 7% @ 16mA 30% @ 16mA 300ns, 500ns -
TLP291(BLL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP291 (BLL, SE 0,5900
RFQ
 ECAD 4295 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 4-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) TLP291 Dc 1 Transistor 4-SO télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) TLP291 (BLLSE EAR99 8541.49.8000 175 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP759(FA1-T1S,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 (FA1-T1S, J, F -
RFQ
 ECAD 2446 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) TLP759 Dc 1 Base de transistor AVEC 8 plombs télécharger 264-TLP759 (FA1-T1SJF EAR99 8541.49.8000 1 8m - - 1,65 V 25 mA 5000vrms 20% @ 16mA - - -
4N26(SHORT-LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4N26 (Short-LF5, F) -
RFQ
 ECAD 9927 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 mm, Aile de Mouette 4N26 Dc 1 Base de transistor AVEC 6 mm télécharger Rohs conforme 1 (illimité) 4N26 (Court-LF5f) EAR99 8541.49.8000 50 100 mA 2µs, 2µs 30V 1,15 V 80 mA 2500 VRM 20% @ 10mA - - 500 mV
TLP131(TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP131 (TPL, F) -
RFQ
 ECAD 7460 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 5 pistes TLP131 Dc 1 Base de transistor AVEC 6 MFSOP, 5 Avance - Rohs conforme 1 (illimité) TLP131 (TPLF) EAR99 8541.49.8000 3 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 50 mA 3750 VRM 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP121(Y-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121 (Y-TPL, F) -
RFQ
 ECAD 2514 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 MD (4 pistes), Aile du Mouette TLP121 Dc 1 Transistor 6 MFSOP, 4 Avance - Rohs conforme 1 (illimité) TLP121 (Y-TPLF) EAR99 8541.49.8000 3 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 50 mA 3750 VRM 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP781(D4-GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (d4 g, f) -
RFQ
 ECAD 9663 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP781 Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) 264-TLP781 (D4 GBF) EAR99 8541.49.8000 100 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP627M(E(OX4 Toshiba Semiconductor and Storage TLP627M (E (OX4 -
RFQ
 ECAD 7369 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP627 Dc 1 Darlington À 4 plombes - 1 (illimité) 264-TLP627M (E (OX4 EAR99 8541.49.8000 25 150m 60 µs, 30 µs 300 V 1,25 V 50 mA 5000vrms 1000% @ 1mA - 110 µs, 30 µs 1,2 V
TLP292-4(GB-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4 (GB-TP, E 1.8100
RFQ
 ECAD 8927 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 125 ° C Support de surface 16-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) TLP292 AC, DC 4 Transistor 16-SO télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 2 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP531(GRL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP531 (Grl, F) -
RFQ
 ECAD 5523 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète TLP531 - 1 (illimité) 264-TLP531 (GRLF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP185(GB-TPL,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (GB-TPL, E) -
RFQ
 ECAD 4003 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLP185 Dc 1 Transistor 6-SOP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) TLP185 (GB-TPLE) EAR99 8541.49.8000 3 000 50m 5 µs, 9µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 100% @ 5mA 400% @ 5mA 9µs, 9µs 300 mV
TLP385(D4-GB,E Toshiba Semiconductor and Storage Tlp385 (d4 g, e 0,5400
RFQ
 ECAD 9333 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLP385 Dc 1 Transistor 6-So, 4 Avance télécharger Rohs conforme 1 (illimité) TLP385 (D4-GBE EAR99 8541.49.8000 125 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 5000vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP2395(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2395 (TPL, E -
RFQ
 ECAD 6515 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur), 5 pistes TLP2395 Dc 1 Push-pull, pôle totem 3V ~ 20V 6-So, 5 Avance - 1 (illimité) 264-TLP2395 (TPletr EAR99 8541.49.8000 3 000 25 mA 5Mbps 15ns, 12ns 1,5 V 20 mA 3750 VRM 1/0 20kV / µs 250ns, 250ns
TLP292-4(LGBTR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4 (LGBTR, E 1.7900
RFQ
 ECAD 7026 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 125 ° C Support de surface 16-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) TLP292 AC, DC 4 Transistor 16-SO télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 2 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 100% @ 500µA 600% à 500 µA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP383(E Toshiba Semiconductor and Storage Tlp383 (e -
RFQ
 ECAD 7187 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes Tlp383 Dc 1 Transistor 6-So, 4 Avance télécharger 1 (illimité) 264-TLP383 (E EAR99 8541.49.8000 125 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 5000vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP183(YH-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183 (YH-TPL, E 0 4600
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLP183 Dc 1 Transistor 6-SOP télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 75% @ 5mA 150% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP185(GR-TPR,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (GR-TPR, E) -
RFQ
 ECAD 6321 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLP185 Dc 1 Transistor 6-SOP télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 50m 5 µs, 9µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 100% @ 5mA 300% @ 5mA 9µs, 9µs 300 mV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

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    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

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  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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