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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Nombre de Canaux | Type de sortie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | COURANT - Sortie / Canal | Taux de Donnés | Temps de Hausse / Chute (Typ) | Tension - Sortie (max) | Tension - Forme (VF) (TYP) | Courant - DC Forward (IF) (Max) | Tension - isolement | Entrées - Côté 1 / Côté 2 | Immunité Transitoire en Mode Commun (min) | Délai de propagation tplh / tphl (max) | Ratio de Transfert Actual (Min) | Ratio de Transfert de Courant (Max) | Allumez / desactivez le temps (typ) | Saturation VCE (max) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TLP785 (BL, F | 0 2214 | ![]() | 6329 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | TLP785 | Dc | 1 | Transistor | télécharger | 1 (illimité) | 264-TLP785 (BLF | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000vrms | 200% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | ||||||||||
![]() | TLP750 (D4-O, F) | - | ![]() | 8171 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | * | Tube | Obsolète | TLP750 | - | 1 (illimité) | 264-TLP750 (D4-OF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP5832 (D4-TP, E | 2.8300 | ![]() | 1387 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 8-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | Dc | 1 | Push-pull, pôle totem | 15V ~ 30V | 8-so | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 500 | - | 15ns, 8ns | 1,55 V | 20 mA | 5000vrms | 1/0 | 20kV / µs | 200ns, 200ns | ||||||||||
![]() | TLP531 (LF1, F) | - | ![]() | 3097 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | * | Tube | Obsolète | TLP531 | - | 1 (illimité) | 264-TLP531 (LF1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP631 (GR-TP1, F) | - | ![]() | 8592 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | * | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | TLP631 | - | 1 (illimité) | 264-TLP631 (GR-TP1F) TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 500 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP2370 (V4-TPL, E | 1.7900 | ![]() | 4245 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur), 5 pistes | TLP2370 | Dc | 1 | Push-pull, pôle totem | 2,7 V ~ 5,5 V | 6-So, 5 Avance | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3 000 | 10 mA | 20 Mbps | 3NS, 2NS | 1,5 V | 8m | 3750 VRM | 1/0 | 20kV / µs | 60ns, 60ns | ||||||||
![]() | TLP627-2 (Hitomk, F) | - | ![]() | 6037 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | * | Tube | Obsolète | TLP627 | - | 1 (illimité) | 264-TLP627-2 (Hitomkf) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP759 (Igm, J, F) | - | ![]() | 9198 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Par le trou | 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) | Dc | 1 | Base de transistor AVEC | 8 plombs | télécharger | 264-TLP759 (IGMJF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8m | - | 20V | 1,65 V | 25 mA | 5000vrms | 25% @ 10mA | 75% @ 10mA | - | - | |||||||||
![]() | TLP785 (TP6, F | 0,1515 | ![]() | 4479 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | TLP785 | Dc | 1 | Transistor | télécharger | 1 (illimité) | 264-TLP785 (TP6FTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 4 000 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000vrms | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | ||||||||||
![]() | TLP781F (GB-TP7, F) | - | ![]() | 1387 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 4 sous-marins | TLP781F | Dc | 1 | Transistor | 4 md | télécharger | 1 (illimité) | 264-tlp781f (gb-tp7f) tr | EAR99 | 8541.49.8000 | 2 000 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000vrms | 100% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | |||||||
![]() | TLP785 (BL-TP6, F | - | ![]() | 4940 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Par le trou | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TLP785 | Dc | 1 | Transistor | À 4 plombes | télécharger | 1 (illimité) | 264-TLP785 (BL-TP6FTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 4 000 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000vrms | 200% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | |||||||
![]() | TLP785 (YH-TP6, F | - | ![]() | 3725 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 4 sous-marins | TLP785 | Dc | 1 | Transistor | 4 md | télécharger | 1 (illimité) | 264-TLP785 (YH-TP6FTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2 000 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000vrms | 75% @ 5mA | 150% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | |||||||
![]() | TLP785F (GR-LF7, F | - | ![]() | 3252 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Par le trou | 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) | TLP785 | Dc | 1 | Transistor | À 4 plombes | télécharger | 1 (illimité) | 264-TLP785F (GR-LF7F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000vrms | 100% @ 5mA | 200% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | |||||||
![]() | TLP719F (ABB-TP, F) | - | ![]() | 4749 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,268 ", 6,80 mm de grandeur) | TLP719 | Dc | 1 | Base de transistor AVEC | 6 sdip | - | 264-TLP719F (ABB-TPF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8m | - | - | 1,65 V | 25 mA | 5000vrms | 20% @ 16mA | - | - | - | ||||||||
![]() | TLP781 (D4-gb-TP6, F | - | ![]() | 7972 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 4 sous-marins | TLP781 | Dc | 1 | Transistor | 4 md | télécharger | 1 (illimité) | 264-TLP781 (d4 gb-tp6ftr | EAR99 | 8541.49.8000 | 2 000 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000vrms | 100% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | |||||||
![]() | Tlp385 (gb, e | 0,5500 | ![]() | 4799 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes | TLP385 | Dc | 1 | Transistor | 6-So, 4 Avance | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | TLP385 (GBE | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,25 V | 50 mA | 5000vrms | 100% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 300 mV | ||||||
![]() | TLP624-2 (BV-TP5, F) | - | ![]() | 2670 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | * | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | TLP624 | - | 1 (illimité) | 264-TLP624-2 (BV-TP5F) TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 500 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP160G (DMT7-TPL, F | - | ![]() | 7461 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | * | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | TLP160 | - | 1 (illimité) | 264-TLP160G (DMT7-TPLFTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3 000 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP550 (Meiden, F) | - | ![]() | 7226 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | * | Tube | Obsolète | TLP550 | - | 1 (illimité) | 264-TLP550 (Meidenf) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP2719 (E | 1.7200 | ![]() | 1683 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | TLP2719 | Dc | 1 | Collectionner OUVER | 4,5 V ~ 20V | 6-SO | télécharger | 1 (illimité) | 264-TLP2719 (E | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 8 mA | 1MBD | - | 1,6 V | 25m | 5000vrms | 1/0 | 10kV / µs | 800ns, 800ns | |||||||
![]() | TLP2955 (MBD, F) | - | ![]() | 4867 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 125 ° C | Par le trou | 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) | Dc | 1 | Push-pull, pôle totem | 3V ~ 20V | 8 plombs | télécharger | 264-TLP2955 (MBDF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 mA | 5Mbps | 1,55 V | 25m | 5000vrms | 1/0 | 20kV / µs | 250ns, 250ns | ||||||||||
![]() | TLP785F (GRH-T7, F | - | ![]() | 4567 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Par le trou | 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) | TLP785 | Dc | 1 | Transistor | À 4 plombes | télécharger | 1 (illimité) | 264-TLP785F (GRH-T7FTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2 000 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000vrms | 150% @ 5mA | 300% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | |||||||
![]() | TLP385 (BLL-TPR, E | 0,5500 | ![]() | 5465 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes | TLP385 | Dc | 1 | Transistor | 6-So, 4 Avance | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3 000 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,25 V | 50 mA | 5000vrms | 200% @ 5mA | 400% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 300 mV | |||||||
![]() | Tlp3906 (e | 1.9500 | ![]() | 99 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes | TLP3906 | Dc | 1 | Photovoltaïque | 6-SOP | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 30 µA (TYP) | - | 7v | 1,65 V | 30 mA | 3750 VRM | - | - | 200 µs, 300 µs | - | |||||||
![]() | TLP628M (GB-LF5, E | 0,9100 | ![]() | 3140 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 4 sous-marins | TLP628 | Dc | 1 | Transistor | 4 md | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50m | 5,5 µs, 10 µs | 350 V | 1,25 V | 50 mA | 5000vrms | 100% @ 5mA | 600% @ 5mA | 10 µs, 10 µs | 400 mV | ||||||||
![]() | TLP759F (FA1T4S, J, F | - | ![]() | 3809 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Par le trou | 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) | Dc | 1 | Base de transistor AVEC | 8 plombs | télécharger | 264-TLP759F (FA1T4SJF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8m | - | 20V | 1,65 V | 25 mA | 5000vrms | 20% @ 16mA | - | - | - | |||||||||
![]() | TLP2409 (TP, F) | - | ![]() | 1678 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | TLP2409 | Dc | 1 | Transistor | 8-so | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2 500 | 16MA | - | 20V | 1,57 V | 25 mA | 3750 VRM | 20% @ 16mA | - | 800ns, 800ns (max) | - | |||||||
![]() | TLP184 (Y-TPL, SE | 0.4900 | ![]() | 7881 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes | TLP184 | AC, DC | 1 | Transistor | 6-SOP | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3 000 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,25 V | 50 mA | 3750 VRM | 50% @ 5mA | 150% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 300 mV | |||||||
![]() | TLP184 (E) | - | ![]() | 9693 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes | TLP184 | AC, DC | 1 | Transistor | 6-SOP | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50m | 5 µs, 9µs | 80V | 1,25 V | 50 mA | 3750 VRM | 50% @ 5mA | 400% @ 5mA | 9µs, 9µs | 300 mV | |||||||
![]() | TLP127 (Canod-Tpl, F | - | ![]() | 6177 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 6 MD (4 pistes), Aile du Mouette | TLP127 | Dc | 1 | Darlington | 6 MFSOP, 4 Avance | - | 1 (illimité) | 264-TLP127 (Canod-TPLFTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3 000 | 150m | 40 µs, 15 µs | 300 V | 1,15 V | 50 mA | 2500 VRM | 1000% @ 1mA | - | 50 µs, 15 µs | 1,2 V |
Volume de RFQ moyen quotidien
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