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Optoisolators (1738)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Approbation d'agence | Nombre de Canaux | Type de sortie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | COURANT - Sortie / Canal | Taux de Donnés | Temps de Hausse / Chute (Typ) | Tension - Sortie (max) | Tension - Forme (VF) (TYP) | Courant - DC Forward (IF) (Max) | Tension - isolement | Tension - Hors de l'ÉTAT | COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) | Current - Hold (IH) | Entrées - Côté 1 / Côté 2 | Immunité Transitoire en Mode Commun (min) | Délai de propagation tplh / tphl (max) | Ratio de Transfert Actual (Min) | Ratio de Transfert de Courant (Max) | Allumez / desactivez le temps (typ) | Saturation VCE (max) | Circuit de Croisment Zéro | Dv / dt state (min) | Courant - Trigger LED (IFT) (Max) | ALLUMER LE TEMPS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 4N26 (Cour, f) | - |  | 5618 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | À Travers Le Trou | 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm) | 4N26 | Dc | 1 | Base de transistor AVEC | 6 plombs | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 100 mA | 2µs, 200µs | 30V | 1,15 V | 80 mA | 2500 VRM | 20% @ 10mA | - | - | 500 mV | |||||||||||||||
 | TLP716 (D4-MBS-TP, F | - | | 8296 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,268 ", 6,80 mm de grandeur) | Dc | 1 | Push-pull, pôle totem | 4,5 V ~ 5,5 V | Aile de Goéland à 6 sdip | télécharger | 264-TLP716 (D4-MBS-TPF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 10 mA | 15MBD | 15NS, 15NS | 1,65 V | 20 mA | 5000vrms | 1/0 | 10kV / µs | 75ns, 75ns | |||||||||||||||||
| TLP759 (D4IM-T5, J, F | - | | 6616 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | À Travers Le Trou | 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) | TLP759 | Dc | 1 | Base de transistor AVEC | 8 plombs | télécharger | 264-TLP759 (D4IM-T5JF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8m | - | - | 1,65 V | 25 mA | 5000vrms | 20% @ 16mA | - | - | - | ||||||||||||||||
 | TLP2160 (F) | - | | 3836 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | TLP2160 | Dc | 2 | Push-pull, pôle totem | 2,7 V ~ 5,5 V | 8-so | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | TLP2160F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 10 mA | 20MBD | 15NS, 15NS | 1,55 V | 25m | 2500 VRM | 2/0 | 20kV / µs | 40ns, 40ns | ||||||||||||||
| TLP785 (Gr, F | 0,2172 | | 1540 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | TLP785 | Dc | 1 | Transistor | télécharger | 1 (illimité) | 264-TLP785 (grf | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000vrms | 100% @ 5mA | 300% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | ||||||||||||||||||
| TLP2270 (D4-TP4, E | 3.0900 | | 7263 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 8-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | TLP2270 | AC, DC | 2 | Push-pull, pôle totem | 2,7 V ~ 5,5 V | 8-so | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 500 | 10 mA | 20MBD | 1,3ns, 1ns | 1,5 V | 8m | 5000vrms | 2/0 | 20kV / µs | 60ns, 60ns | ||||||||||||||||
| TLP632 (Gr, F) | - | | 5656 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | * | Tube | Obsolète | TLP632 | - | 1 (illimité) | 264-TLP632 (GRF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP109 (IGM-TPL, E | 1.2600 | | 4130 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur), 5 pistes | TLP109 | Dc | 1 | Transistor | 6-So, 5 Avance | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3 000 | 8m | - | 20V | 1,64 V | 20 mA | 3750 VRM | 25% @ 10mA | 75% @ 10mA | 450 ns, 450ns | - | |||||||||||||||
| TLP2631 (TP5, F) | - | | 7126 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | * | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | TLP2631 | - | 1 (illimité) | 264-TLP2631 (TP5F) TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP785F (D4GLT7, F | 0,7200 | | 8544 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -25 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | 4 sous-marins | TLP785 | Dc | 1 | Transistor | 4 md | télécharger | Rohs conforme | Non applicable | EAR99 | 8541.49.8000 | 4 000 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 25 mA | 5000vrms | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | |||||||||||||||
 | TLP5702H (TP4, E | 1.8300 | | 4460 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | TLP5702 | Dc | 1 | Push-pull, pôle totem | 15V ~ 30V | 6-SO | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 500 | - | 37ns, 50ns | 1,55 V | 20 mA | 5000vrms | 1/0 | 50kV / µs | 200ns, 200ns | |||||||||||||||||
| TLP754F (LF4, F) | - | | 9479 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 8 mm, Aile de Mouette | Dc | 1 | Collectionner OUVER | 4,5 V ~ 30V | 8 mm | télécharger | 264-TLP754F (LF4, F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 15 mA | 1Mbps | - | 1,55 V | 20 mA | 5000vrms | 1/0 | 20kV / µs | 550ns, 400ns | |||||||||||||||||
 | TLP184 (GB-TPR, SE | 0,5100 | | 4005 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes | TLP184 | AC, DC | 1 | Transistor | 6-SOP | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3 000 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,25 V | 50 mA | 3750 VRM | 100% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 300 mV | |||||||||||||||
 | TLP293 (GR-TPL, E | 0,5100 | | 4289 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 4-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) | TLP293 | Dc | 1 | Transistor | 4-SO | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2 500 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,25 V | 50 mA | 3750 VRM | 100% @ 5mA | 300% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 300 mV | |||||||||||||||
| Tlp331 (bv, f) | - | | 1266 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | À Travers Le Trou | 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Tlp331 | Dc | 1 | Base de transistor AVEC | 6 plombs | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50m | 8 µs, 8 µs | 55V | 1,15 V | 50 mA | 5000vrms | 200% @ 1mA | 1200% @ 1mA | 10 µs, 8 µs | 400 mV | |||||||||||||||
| TLP291 (Gr, SE | 0,6000 | | 8905 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 4-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) | TLP291 | Dc | 1 | Transistor | 4-SO | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | TLP291 (GRSE | EAR99 | 8541.49.8000 | 175 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,25 V | 50 mA | 3750 VRM | 150% @ 5mA | 300% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 300 mV | ||||||||||||||
| TLP2370 (V4-TPR, E | 1.7700 | | 8434 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur), 5 pistes | TLP2370 | Dc | 1 | Push-pull, pôle totem | 2,7 V ~ 5,5 V | 6-So, 5 Avance | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3 000 | 10 mA | 20 Mbps | 3NS, 2NS | 1,5 V | 8m | 3750 VRM | 1/0 | 20kV / µs | 60ns, 60ns | ||||||||||||||||
 | TLP785F (GB-LF7, F | - | | 8031 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 4 sous-marins | TLP785 | Dc | 1 | Transistor | 4 md | télécharger | 1 (illimité) | 264-TLP785F (GB-LF7F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000vrms | 100% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | |||||||||||||||
 | Tlp260jtprpf | - | | 5567 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 4 sous-marins | TLP260 | Ur | 1 | Triac | 4-SOP | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3 000 | 1,15 V | 50 mA | 3000vrms | 600 V | 70 mA | 1MA (TYP) | Non | 500 V / µs (TYP) | 10m | 30 µs | ||||||||||||||||
| TLP124 (TPL-PP, F) | - | | 5763 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 6 MD (4 pistes), Aile du Mouette | TLP124 | Dc | 1 | Transistor | 6 MFSOP, 4 Avance | - | Rohs conforme | 1 (illimité) | TLP124 (TPL-PPF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3 000 | 50m | 8 µs, 8 µs | 80V | 1,15 V | 3750 VRM | 100% @ 1mA | 1200% @ 1mA | 10 µs, 8 µs | 400 mV | |||||||||||||||
| TLP781F (D4-Y-TP7, F | - | | 9935 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 4 sous-marins | TLP781F | Dc | 1 | Transistor | 4 md | télécharger | 1 (illimité) | 264-TLP781F (D4-Y-TP7FTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2 000 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000vrms | 50% @ 5mA | 150% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | |||||||||||||||
 | TLP105 (F) | - | | 6829 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Acheter la Dernière | -40 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 5 pistes | TLP105 | Dc | 1 | Push-pull, pôle totem | 4,5 V ~ 20V | 6 MFSOP, 5 Avance | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | 5A991 | 8541.49.8000 | 150 | 25 mA | 5Mbps | 30ns, 30ns | 1,57 V | 20 mA | 3750 VRM | 1/0 | 10kV / µs | 250ns, 250ns | |||||||||||||||
| TLP163J (TPR, U, C, F) | - | | 5514 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes | TLP163 | Ur | 1 | Triac | 6 MFSOP, 4 Avance | télécharger | Rohs conforme | 3 (168 Heures) | 5A991 | 8541.49.8000 | 3 000 | 1,15 V | 50 mA | 2500 VRM | 600 V | 70 mA | 600µA (TYP) | Oui | 200 V / µs | 10m | 30 µs | |||||||||||||||
 | TLP292-4 (LGBTP, E | 1.7900 | | 5371 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 16-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) | TLP292 | AC, DC | 4 | Transistor | 16-SO | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2 000 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,25 V | 50 mA | 3750 VRM | 100% @ 500µA | 600% à 500 µA | 3 µs, 3µs | 300 mV | |||||||||||||||
| TLP781 (d4-gr-lf6, f | - | | 6070 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 4 sous-marins | TLP781 | Dc | 1 | Transistor | 4 md | télécharger | 1 (illimité) | 264-TLP781 (d4-gr-lf6f | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000vrms | 100% @ 5mA | 300% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | |||||||||||||||
| TLP293 (YH-TPL, E | 0,5800 | | 6964 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 4-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) | TLP293 | Dc | 1 | Transistor | 4-SO | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2 500 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,25 V | 50 mA | 3750 VRM | 75% à 500 µA | 150% à 500 µA | 3 µs, 3µs | 300 mV | |||||||||||||||
| TLP9121A (NCNGBTL, F | - | | 4176 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | * | En gros | Obsolète | - | 264-TLP9121A (NCNGBTLF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP512 (F) | - | | 7043 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | À Travers Le Trou | 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TLP512 | Dc | 1 | Transistor | 6 plombs | - | Rohs conforme | 1 (illimité) | TLP512F | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 8m | - | 15V | 1,65 V | 25 mA | 2500 VRM | 15% @ 16mA | - | 800ns, 800ns (max) | - | ||||||||||||||
 | TLP385 (D4GH-TL, E | 0,5400 | | 4173 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes | TLP385 | Dc | 1 | Transistor | 6-So, 4 Avance | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3 000 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,25 V | 50 mA | 5000vrms | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 300 mV | |||||||||||||||
| TLP185 (YL-TPL, SE | - | | 9890 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes | TLP185 | Dc | 1 | Base de transistor AVEC | 6-SOP | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | TLP185 (YL-TPLSE | EAR99 | 8541.49.8000 | 3 000 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,25 V | 50 mA | 3750 VRM | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 300 mV |
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