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Optoisolators (1738)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Approbation d'agence Nombre de Canaux Type de sortie Tension - alimentation Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package COURANT - Sortie / Canal Taux de Donnés Temps de Hausse / Chute (Typ) Tension - Sortie (max) Tension - Forme (VF) (TYP) Courant - DC Forward (IF) (Max) Tension - isolement Tension - Hors de l'ÉTAT COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entrées - Côté 1 / Côté 2 Immunité Transitoire en Mode Commun (min) Délai de propagation tplh / tphl (max) Ratio de Transfert Actual (Min) Ratio de Transfert de Courant (Max) Allumez / desactivez le temps (typ) Saturation VCE (max) Circuit de Croisment Zéro Dv / dt state (min) Courant - Trigger LED (IFT) (Max) ALLUMER LE TEMPS
TLP550(HIT-O,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550 (HIT-O, F) -
RFQ
 ECAD 3464 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète TLP550 - 1 (illimité) 264-TLP550 (hit-of) EAR99 8541.49.8000 50
TLP127(KMC-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 (KMC-TPL, F) -
RFQ
 ECAD 9945 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 MD (4 pistes), Aile du Mouette TLP127 Dc 1 Darlington 6 MFSOP, 4 Avance - 1 (illimité) 264-TLP127 (KMC-TPLF) TR EAR99 8541.49.8000 3 000 150m 40 µs, 15 µs 300 V 1,15 V 50 mA 2500 VRM 1000% @ 1mA - 50 µs, 15 µs 1,2 V
TLP385(D4-YH,E Toshiba Semiconductor and Storage Tlp385 (d4-yh, e 0,5500
RFQ
 ECAD 3567 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLP385 Dc 1 Transistor 6-So, 4 Avance télécharger Rohs conforme 1 (illimité) Tlp385 (d4-yhe EAR99 8541.49.8000 125 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 5000vrms 75% @ 5mA 150% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP732(GR-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP732 (GR-LF1, F) -
RFQ
 ECAD 1171 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète TLP732 - 1 (illimité) 264-TLP732 (GR-LF1F) EAR99 8541.49.8000 50
TLX9300(TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLX9300 (TPL, F 3.1500
RFQ
 ECAD 14 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLX9300 Dc 1 Transistor 6-SOP télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 50m - 40V 1,25 V 30 mA 3750 VRM 100% @ 5mA 900% @ 5mA 15 µs, 50 µs 400 mV
TLP2761F(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2761F (F) -
RFQ
 ECAD 7422 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) TLP2761 AC, DC 1 Push-pull, pôle totem 2,7 V ~ 5,5 V 6-SO - Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 50 10 mA 15MBD 3NS, 3NS 1,5 V 10m 5000vrms 1/0 20kV / µs 80ns, 80ns
TLP293-4(V4GBTPE Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4 (V4GBTPE 1.6300
RFQ
 ECAD 3551 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 125 ° C Support de surface 16-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) TLP293 Dc 4 Transistor 16-SO télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 2 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP750F(D4-TP4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP750F (D4-TP4, F) -
RFQ
 ECAD 5112 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète TLP750 - 1 (illimité) 264-TLP750F (D4-TP4F) EAR99 8541.49.8000 1 500
TLP184(GR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP184 (Gr, SE 0,5100
RFQ
 ECAD 4422 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLP184 AC, DC 1 Transistor 6-SOP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) TLP184 (GRSE EAR99 8541.49.8000 125 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP265J(V4T7TR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP265J (V4T7TR, E 0,8400
RFQ
 ECAD 3858 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLP265 CQC, Cur, Ur, VDE 1 Triac 6-SOP télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 1,27 V 50 mA 3750 VRM 600 V 70 mA 1MA (TYP) Non 500 V / µs (TYP) 7m 20 µs
TLP512(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP512 (TP1, F) -
RFQ
 ECAD 7752 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Ruban Adhésif (tr) Obsolète TLP512 - 1 (illimité) 264-TLP512 (TP1F) TR EAR99 8541.49.8000 1 500
TLX9188(GBTPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLX9188 (GBTPL, F 3 4000
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes Dc 1 Transistor 6-SOP télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 50m 2 µs, 3µs 200 V 1,27 V 30 mA 3750 VRM 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP558(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP558 (F) -
RFQ
 ECAD 2611 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C Par le trou 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) TLP558 Dc 1 Trois états 4,5 V ~ 20V 8 plombs télécharger Rohs conforme 1 (illimité) TLP558F EAR99 8541.49.8000 50 40 mA 5Mbps 35ns, 20ns 1,55 V 10m 2500 VRM 1/0 1kV / µs 400ns, 400ns
TLP280-4(GB,J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP280-4 (GB, J, F) -
RFQ
 ECAD 6528 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 16-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grandeur) TLP280 AC, DC 4 Transistor 16-SOP télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 50 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 50 mA 2500 VRM 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP2768A(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2768A (D4, E -
RFQ
 ECAD 4058 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) TLP2768 Dc 1 Collectionnez OUVER, SCHOTTKY SERRÉ 2,7 V ~ 5,5 V 6-SO télécharger 1 (illimité) 264-TLP2768A (D4E EAR99 8541.49.8000 125 25 mA 20MBD 30ns, 30ns 1,55 V 25m 5000vrms 1/0 20kV / µs 60ns, 60ns
TLP2367(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2367 (TPR, E 2.5600
RFQ
 ECAD 21 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur), 5 pistes TLP2367 Dc 1 Push-pull, pôle totem 2,7 V ~ 5,5 V 6-So, 5 Avance télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 10 mA 50mbd 2NS, 1NS 1,6 V 15m 3750 VRM 1/0 25kV / µs 20ns, 20ns
TLP631(BL-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP631 (BL-LF2, F) -
RFQ
 ECAD 9698 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète TLP631 - 1 (illimité) 264-TLP631 (BL-LF2F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP2304(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2304 (TPR, E 1.4100
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur), 5 pistes TLP2304 Dc 1 Collectionner OUVER 4,5 V ~ 30V 6-So, 5 Avance télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 15 mA 1MBD - 1,55 V 25m 3750 VRM 1/0 20kV / µs 550ns, 400ns
TLP632(BL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP632 (BL, F) -
RFQ
 ECAD 1062 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète TLP632 - 1 (illimité) 264-TLP632 (BLF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP781(D4-GB-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (d4 gb-lf6, f -
RFQ
 ECAD 3421 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 4 sous-marins TLP781 Dc 1 Transistor 4 md télécharger 1 (illimité) 264-TLP781 (d4 gb-lf6f EAR99 8541.49.8000 100 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP2719(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2719 (TP4, E 1.7500
RFQ
 ECAD 945 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) TLP2719 Dc 1 Collectionner OUVER 4,5 V ~ 20V 6-SO télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 1 500 8 mA 1MBD - 1,6 V 25m 5000vrms 1/0 10kV / µs 800ns, 800ns
TLP733F(D4-GR,M,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP733F (D4-Gr, M, F) -
RFQ
 ECAD 8922 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète TLP733 - 1 (illimité) 264-TLP733F (D4-Grmf) EAR99 8541.49.8000 50
TLP627M(LF5,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627M (LF5, E 0,9300
RFQ
 ECAD 7235 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 4 sous-marins TLP627 Dc 1 Darlington 4 md télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 100 150m 60 µs, 30 µs 300 V 1,25 V 50 mA 5000vrms 1000% @ 1mA - 110 µs, 30 µs 1,2 V
TLP385(D4-GB,E Toshiba Semiconductor and Storage Tlp385 (d4 g, e 0,5400
RFQ
 ECAD 9333 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLP385 Dc 1 Transistor 6-So, 4 Avance télécharger Rohs conforme 1 (illimité) TLP385 (D4-GBE EAR99 8541.49.8000 125 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 5000vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP3062(S,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP3062 (S, C, F) -
RFQ
 ECAD 1388 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Par le trou 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm), 5 pistes TLP3062 BSI, SEMKO, UR 1 Triac 6-Dip (coupé), 5 plomb télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 50 1,15 V 50 mA 5000vrms 600 V 100 mA 600µA (TYP) Oui 200 V / µs 10m -
TLP2066(V4-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2066 (V4-TPL, F) -
RFQ
 ECAD 7211 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 5 pistes Dc 1 Push-pull, pôle totem 3V ~ 3,6 V 6 MFSOP, 5 Avance - 264-TLP2066 (V4-TPLF) EAR99 8541.49.8000 1 10 mA 20 Mbps 5NS, 4NS 1,6 V 25m 3750 VRM 1/0 15kV / µs 60ns, 60ns
TLP2358(TPL,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2358 (TPL, E) 1.0200
RFQ
 ECAD 5634 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur), 5 pistes TLP2358 Dc 1 Push-pull, pôle totem 3V ~ 20V 6-So, 5 Avance télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 25 mA - 15ns, 12ns 1,55 V 20 mA 3750 VRM 1/0 20kV / µs 250ns, 250ns
TLP2955(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2955 (TP1, F) -
RFQ
 ECAD 4558 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 8 mm, Aile de Mouette Dc 1 Push-pull, pôle totem 3V ~ 20V 8 mm télécharger 264-TLP2955 (TP1F) EAR99 8541.49.8000 1 25 mA 5Mbps 1,55 V 25m 5000vrms 1/0 20kV / µs 250ns, 250ns
TLP751(D4-O-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP751 (D4-O-LF2, F) -
RFQ
 ECAD 6376 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) TLP751 Dc 1 Base de transistor AVEC 8 plombs - Rohs conforme Non applicable TLP751 (D4-O-LF2F) EAR99 8541.49.8000 1 500 8m - 15V 1,65 V 25 mA 5000vrms 10% @ 16mA - 200 ns, 1 µs -
TLP118(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP118 (E 2.0200
RFQ
 ECAD 125 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur), 5 pistes TLP118 Dc 1 Collectionner OUVER 4,5 V ~ 5,5 V 6-So, 5 Avance télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 125 25 mA - 30ns, 30ns - 25m 3750 VRM 1/0 15kV / µs 60ns, 60ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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