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Optoisolators (1738)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Approbation d'agence Nombre de Canaux Type de sortie Tension - alimentation Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package COURANT - Sortie / Canal Taux de Donnés Temps de Hausse / Chute (Typ) Tension - Sortie (max) Tension - Forme (VF) (TYP) Courant - DC Forward (IF) (Max) Tension - isolement Tension - Hors de l'ÉTAT COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entrées - Côté 1 / Côté 2 Immunité Transitoire en Mode Commun (min) Délai de propagation tplh / tphl (max) Ratio de Transfert Actual (Min) Ratio de Transfert de Courant (Max) Allumez / desactivez le temps (typ) Saturation VCE (max) Circuit de Croisment Zéro Dv / dt state (min) Courant - Trigger LED (IFT) (Max) ALLUMER LE TEMPS Grade Qualification
TLP3083F(TP4,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3083F (TP4, F 1.7900
RFQ
 ECAD 8342 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 mm, Aile de Mouette, 5 pistes TLP3083 CQC, CSA, CUL, UL, VDE 1 Triac 6 mm télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 1 000 1,15 V 50 mA 5000vrms 800 V 100 mA 600 µA Oui 2kV / µs (type) 5ma -
TLP5772H(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5772H (TP, E 2.4700
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) TLP5772 Dc 1 Push-pull, pôle totem 15V ~ 30V 6-SO télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 1 500 - 56ns, 25ns 1,55 V 8m 5000vrms 1/0 35kV / µs 150ns, 150ns
TLP628MF(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628MF (E 0,9100
RFQ
 ECAD 5073 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 125 ° C Par le trou 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) TLP628 Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) 264-TLP628MF (E EAR99 8541.49.8000 100 50m 5,5 µs, 10 µs 350 V 1,25 V 50 mA 5000vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 10 µs, 10 µs 400 mV
TLP3910(C20,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP3910 (C20, E 3.3700
RFQ
 ECAD 2174 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) TLP3910 Dc 2 Photovoltaïque 6-SO télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 125 - - 24V 3,3 V 30 mA 5000vrms - - 300 µs, 100 µs -
TLP185(BLL-TPR,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (BLL-TPR, E) -
RFQ
 ECAD 4214 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLP185 Dc 1 Transistor 6-SOP télécharger Rohs conforme TLP185 (BLL-TPRE) EAR99 8541.49.8000 3 000 50m 5 µs, 9µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 200% @ 5mA 600% @ 5mA 9µs, 9µs 300 mV
TLP182(GB-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP182 (GB-TPL, E 0,5700
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLP182 AC, DC 1 Transistor 6-SOP télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP2958(D4-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2958 (D4-TP1, F) -
RFQ
 ECAD 1964 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 8 mm, Aile de Mouette Dc 1 Push-pull, pôle totem 3V ~ 20V 8 mm télécharger 264-TLP2958 (D4-TP1F) EAR99 8541.49.8000 1 25 mA 5Mbps 15NS, 10NS 1,55 V 25m 5000vrms 1/0 20kV / µs 250ns, 250ns
TLP190B(OMT-TLUC,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP190B (OMT-Tluc, F -
RFQ
 ECAD 1361 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface 6 MD (4 pistes), Aile du Mouette TLP190 Dc 1 Photovoltaïque 6 MFSOP, 4 Avance télécharger 264-TLP190B (OMT-Tlucf EAR99 8541.49.8000 1 12µA - 8v 1,4 V 50 mA 2500 VRM - - 200 µs, 1 ms -
TLP2355(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2355 (TPR, E 1.0200
RFQ
 ECAD 4732 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur), 5 pistes TLP2355 Dc 1 Push-pull, pôle totem 3V ~ 20V 6-So, 5 Avance télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 25 mA - 15ns, 12ns 1,55 V 20 mA 3750 VRM 1/0 25kV / µs 250ns, 250ns
TLP531(Y-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP531 (Y-LF2, F) -
RFQ
 ECAD 8609 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète TLP531 - 1 (illimité) 264-TLP531 (Y-LF2F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP531(BL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP531 (BL, F) -
RFQ
 ECAD 1240 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète TLP531 - 1 (illimité) 264-TLP531 (BLF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP731(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP731 (F) -
RFQ
 ECAD 3594 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète TLP731 - 1 (illimité) 264-TLP731 (F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP785(GRH,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (GRH, F -
RFQ
 ECAD 6028 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP785 Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) 264-TLP785 (GRHF EAR99 8541.49.8000 100 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 150% @ 5mA 300% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP570(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP570 (F) -
RFQ
 ECAD 5832 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète TLP570 - 1 (illimité) 264-TLP570 (F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP759F(D4-IGM,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759F (D4-IGM, J, F -
RFQ
 ECAD 6010 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) Dc 1 Base de transistor AVEC 8 plombs télécharger 264-TLP759F (D4-IGMJF EAR99 8541.49.8000 1 8m - 20V 1,65 V 25 mA 5000vrms 20% @ 16mA - - -
TLP2531(QCPL4531,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP2531 (QCPL4531, F -
RFQ
 ECAD 6037 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) TLP2531 Dc 2 Base de transistor AVEC 8 plombs télécharger 264-TLP2531 (QCPL4531F EAR99 8541.49.8000 1 8m - 15V 1,65 V 25 mA 2500 VRM 19% @ 16mA 30% @ 16mA 200ns, 300ns -
TLP781F(D4DLTGRH,F Toshiba Semiconductor and Storage Tlp781f (d4dltgrh, f -
RFQ
 ECAD 1288 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) TLP781F Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) 264-TLP781F (d4dltgrhf EAR99 8541.49.8000 100 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 150% @ 5mA 300% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP2348(V4-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2348 (V4-TPR, E 1.1200
RFQ
 ECAD 7824 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 110 ° C Support de surface 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur), 5 pistes TLP2348 Dc 1 Push-pull, pôle totem 4,5 V ~ 30V 6-So, 5 Avance télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 50 mA 10Mbps 3NS, 3NS 1,55 V 15m 3750 VRM 1/0 30kV / µs 120ns, 120ns
TLP2766F(D4MBSTP,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP2766F (D4MBSTP, F -
RFQ
 ECAD 6271 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,268 ", 6,80 mm de grandeur) TLP2766 Dc 1 Push-pull, pôle totem 2,7 V ~ 5,5 V Aile de Goéland à 6 sdip télécharger 264-TLP2766F (D4MBSTPF EAR99 8541.49.8000 1 10 mA 20MBD 15NS, 15NS 1,55 V 25m 5000vrms 1/0 20kV / µs 55ns, 55ns
TLP358(D4-LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage Tlp358 (d4-lf5, f) -
RFQ
 ECAD 9293 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 8 mm, Aile de Mouette TLP358 Dc 1 Push-pull, pôle totem 15V ~ 30V 8 mm télécharger 264-TLP358 (D4-LF5F) EAR99 8541.49.8000 1 5.5 A - 17ns, 17ns 1,57 V 20 mA 3750 VRM 1/0 20kV / µs 500ns, 500ns
TLP626(FUJI,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626 (Fuji, F) -
RFQ
 ECAD 6112 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) AC, DC 1 Transistor À 4 plombes télécharger 264-TLP626 (Fujif) EAR99 8541.49.8000 1 50m 8 µs, 8 µs 55V 1,15 V 60 mA 5000vrms 100% @ 1mA 1200% @ 1mA 10 µs, 8 µs 400 mV
TLP781F(D4NKODGB7F Toshiba Semiconductor and Storage Tlp781f (d4nkodgb7f -
RFQ
 ECAD 3296 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) TLP781F Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) 264-TLP781F (D4NKODGB7F EAR99 8541.49.8000 100 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP781(BL-TP6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (BL-TP6, F) -
RFQ
 ECAD 3612 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 4 sous-marins TLP781 Dc 1 Transistor 4 md télécharger 1 (illimité) 264-TLP781 (BL-TP6F) TR EAR99 8541.49.8000 2 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 200% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLX9185A(GBTPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLX9185A (GBTPL, F 3.1500
RFQ
 ECAD 23 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLX9185 Dc 1 Transistor 6-SOP télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 50m 3 µs, 5 µs 80V 1,27 V 30 mA 3750 VRM 100% @ 5mA 600% @ 5mA 5 µs, 5 µs 400 mV Automobile AEC-Q101
TLP781(D4GRT6-TC,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (D4GRT6-TC, F -
RFQ
 ECAD 4172 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP781 Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) 264-TLP781 (D4GRT6-TCFTR EAR99 8541.49.8000 2 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP759(D4MB-F2,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 (D4MB-F2, J, F -
RFQ
 ECAD 2825 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) Dc 1 Base de transistor AVEC 8 plombs télécharger 264-TLP759 (D4MB-F2JF EAR99 8541.49.8000 1 8m - 20V 1,65 V 25 mA 5000vrms 20% @ 16mA - - -
TLP759(D4YSK1T1J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 (d4ysk1t1j, f -
RFQ
 ECAD 1393 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) Dc 1 Base de transistor AVEC 8 plombs télécharger 264-TLP759 (D4YSK1T1JF EAR99 8541.49.8000 1 8m - 20V 1,65 V 25 mA 5000vrms 20% @ 16mA - - -
TLP628M(GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628M (GB, E 0,9100
RFQ
 ECAD 5715 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 125 ° C Par le trou 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP628 Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 100 50m 5,5 µs, 10 µs 350 V 1,25 V 50 mA 5000vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 10 µs, 10 µs 400 mV
TLP9114B(NIS-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9114B (NIS-TL, F) -
RFQ
 ECAD 5447 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * En gros Obsolète - 264-TLP9114B (NIS-TLF) EAR99 8541.49.8000 1
TLP2710(LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2710 (LF4, E 1.6200
RFQ
 ECAD 9051 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) TLP2710 Dc 1 Push-pull, pôle totem 2,7 V ~ 5,5 V 6-SO télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 125 10 mA 5MBD 11ns, 13ns 1,9 V (max) 8m 5000vrms 1/0 25kV / µs 250ns, 250ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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