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Optoisolators (1738)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Approbation d'agence Nombre de Canaux Type de sortie Tension - alimentation Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package COURANT - Sortie / Canal Taux de Donnés Temps de Hausse / Chute (Typ) Tension - Sortie (max) Tension - Forme (VF) (TYP) Courant - DC Forward (IF) (Max) Tension - isolement Tension - Hors de l'ÉTAT COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entrées - Côté 1 / Côté 2 Immunité Transitoire en Mode Commun (min) Délai de propagation tplh / tphl (max) Ratio de Transfert Actual (Min) Ratio de Transfert de Courant (Max) Allumez / desactivez le temps (typ) Saturation VCE (max) Circuit de Croisment Zéro Dv / dt state (min) Courant - Trigger LED (IFT) (Max) ALLUMER LE TEMPS
TLP781(YH-TP6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (YH-TP6, F) -
RFQ
 ECAD 8852 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 4 sous-marins TLP781 Dc 1 Transistor 4 md télécharger 1 (illimité) 264-TLP781 (YH-TP6F) TR EAR99 8541.49.8000 2 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 75% @ 5mA 150% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP627M(LF1,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627M (LF1, E 0,9200
RFQ
 ECAD 3910 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 4 sous-marins TLP627 Dc 1 Darlington 4 md télécharger 1 (illimité) 264-TLP627M (LF1E EAR99 8541.49.8000 100 150m 60 µs, 30 µs 300 V 1,25 V 50 mA 5000vrms 1000% @ 1mA - 110 µs, 30 µs 1,2 V
TLP266J(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP266J (V4-TPL, E 0,9300
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba TLP Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLP266 1 Triac 6-SOP télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 1,27 V 30 mA 3750 VRM 600 V 70 mA 600µA (TYP) Oui 200 V / µs 10m 30 µs
TLP531(GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP531 (GB, F) -
RFQ
 ECAD 7338 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète TLP531 - 1 (illimité) 264-TLP531 (GBF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP550(YASK-O,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550 (Yask-O, F) -
RFQ
 ECAD 6088 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète TLP550 - 1 (illimité) 264-TLP550 (Yask-of) EAR99 8541.49.8000 50
TLP185(Y,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (Y, SE -
RFQ
 ECAD 5524 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLP185 Dc 1 Base de transistor AVEC 6-SOP télécharger Rohs conforme 1 (illimité) TLP185 (YSE EAR99 8541.49.8000 125 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP266J(V4-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP266J (V4-TPR, E 0,9300
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba TLP Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLP266 1 Triac 6-SOP télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 1,27 V 30 mA 3750 VRM 600 V 70 mA 600µA (TYP) Oui 200 V / µs 10m 30 µs
TLP781(D4GRLL6TC,F Toshiba Semiconductor and Storage Tlp781 (d4grll6tc, f -
RFQ
 ECAD 1217 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP781 Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) 264-TLP781 (d4grll6tcftr EAR99 8541.49.8000 2 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 100% @ 5mA 200% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP358(D4-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage Tlp358 (d4-lf1, f) -
RFQ
 ECAD 2941 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 8 mm, Aile de Mouette TLP358 Dc 1 Push-pull, pôle totem 15V ~ 30V 8 mm télécharger 264-TLP358 (D4-LF1F) EAR99 8541.49.8000 1 5.5 A - 17ns, 17ns 1,57 V 20 mA 3750 VRM 1/0 20kV / µs 500ns, 500ns
TLP250HF(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250HF (D4, F) -
RFQ
 ECAD 5407 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -40 ° C ~ 125 ° C Par le trou 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) TLP250 Dc 1 Push-pull, pôle totem 10V ~ 30V 8 plombs télécharger 1 (illimité) 264-TLP250HF (D4F) EAR99 8541.49.8000 50 2 A - 50ns, 50ns 1,57 V 5ma 3750 VRM 1/0 40kV / µs 500ns, 500ns
TLP280-4(GB-TP,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP280-4 (GB-TP, J, F -
RFQ
 ECAD 6888 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban de Coupé (CT) Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 16-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grandeur) TLP280 AC, DC 4 Transistor 16-SOP télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 2 500 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 50 mA 2500 VRM 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP385(D4YH-TL,E Toshiba Semiconductor and Storage Tlp385 (d4yh-tl, e 0,5600
RFQ
 ECAD 6568 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLP385 Dc 1 Transistor 6-So, 4 Avance télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 5000vrms 75% @ 5mA 150% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP293(BLL-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293 (BLL-TPL, E 0,5100
RFQ
 ECAD 3760 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 125 ° C Support de surface 4-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) TLP293 Dc 1 Transistor 4-SO télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 2 500 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 200% à 500 µA 400% à 500 µA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP105(DPW-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP105 (DPW-TPL, F) -
RFQ
 ECAD 6810 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 5 pistes TLP105 Dc 1 Push-pull, pôle totem 4,5 V ~ 20V 6 MFSOP, 5 Avance télécharger 264-TLP105 (DPW-TPLF) EAR99 8541.49.8000 1 25 mA 5Mbps 30ns, 30ns 1,57 V 20 mA 3750 VRM 1/0 10kV / µs 250ns, 250ns
TLP785F(GRH-F7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (GRH-F7, F -
RFQ
 ECAD 1720 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) TLP785 Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) 264-TLP785F (GRH-F7F EAR99 8541.49.8000 100 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 150% @ 5mA 300% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP385(GRL-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage Tlp385 (grl-tpl, e 0,5400
RFQ
 ECAD 3612 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLP385 Dc 1 Transistor 6-So, 4 Avance télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 5000vrms 100% @ 5mA 200% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP268J(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP268J (TPL, E 0.9900
RFQ
 ECAD 2880 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLP268 CQC, Cur, Ur 1 Triac 6-SOP télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 1,27 V 30 mA 3750 VRM 600 V 70 mA 200 µA (TYP) Oui 500 V / µs (TYP) 3MA 100 µs
TLP620-4(GB-LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-4 (GB-LF5, F) -
RFQ
 ECAD 6109 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 16 DIP (0,300 ", 7,62 mm) AC, DC 4 Transistor 16 plombs télécharger 264-TLP620-4 (GB-LF5F) EAR99 8541.49.8000 1 50m 2 µs, 3µs 55V 1,15 V 50 mA 5000vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP2710(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2710 (TP4, E 1,6000
RFQ
 ECAD 1480 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) TLP2710 Dc 1 Push-pull, pôle totem 2,7 V ~ 5,5 V 6-SO télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 1 500 10 mA 5MBD 11ns, 13ns 1,9 V (max) 8m 5000vrms 1/0 25kV / µs 250ns, 250ns
TLP781(GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (GB, F) -
RFQ
 ECAD 3381 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP781 Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger Rohs conforme 1 (illimité) TLP781GBF 5A991G 8541.49.8000 100 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP525G(FUJT,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP525G (Fujt, F) -
RFQ
 ECAD 7033 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Par le trou 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP525 CSA, cul, ul 1 Triac À 4 plombes télécharger 264-TLP525G (FUJTF) EAR99 8541.49.8000 1 1,15 V 50 mA 2500 VRM 400 V 100 mA 600 µA Non 200 V / µs 10m -
TLP785(D4-Y-T6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (D4-Y-T6, F -
RFQ
 ECAD 4691 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP785 Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) 264-TLP785 (D4-Y-T6FTR EAR99 8541.49.8000 2 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP781(TP6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (TP6, F) -
RFQ
 ECAD 3754 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 4 sous-marins TLP781 Dc 1 Transistor 4 md télécharger 1 (illimité) 264-TLP781 (TP6F) TR EAR99 8541.49.8000 2 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP785(D4BL-T6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (D4BL-T6, F -
RFQ
 ECAD 3703 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP785 Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) 264-TLP785 (D4BL-T6FTR EAR99 8541.49.8000 4 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 200% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP2766(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2766 (TP, F) -
RFQ
 ECAD 2345 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,268 ", 6,80 mm de grandeur) Dc 1 Push-pull, pôle totem 2,7 V ~ 5,5 V Aile de Goéland à 6 sdip télécharger 264-TLP2766 (TPF) EAR99 8541.49.8000 1 10 mA 20 Mbps 15NS, 15NS 1,55 V 25m 5000vrms 1/0 20kV / µs 55ns, 55ns
TLP388(E Toshiba Semiconductor and Storage Tlp388 (e 0,8000
RFQ
 ECAD 9779 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes Tlp388 Dc 1 Transistor 6-So, 4 Avance télécharger 1 (illimité) 264-TLP388 (E EAR99 8541.49.8000 125 50m 2 µs, 3µs 350 V 1,25 V 50 mA 5000vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP2768F(D4MBSTP,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP2768F (D4MBSTP, F -
RFQ
 ECAD 9277 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,268 ", 6,80 mm de grandeur) Dc 1 Collectionnez OUVER, SCHOTTKY SERRÉ 2,7 V ~ 5,5 V Aile de Goéland à 6 sdip télécharger 264-TLP2768F (D4MBSTPF EAR99 8541.49.8000 1 25 mA 20MBD 30ns, 30ns 1,55 V 25m 5000vrms 1/0 20kV / µs 60ns, 60ns
TLP550(HITNA,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550 (Hitna, F) -
RFQ
 ECAD 2750 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète TLP550 - 1 (illimité) 264-TLP550 (HITNAF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP532(FANUC1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP532 (FANUC1, F) -
RFQ
 ECAD 9186 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète TLP532 - 1 (illimité) 264-TLP532 (FANUC1F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP531(MBSIN-TP5,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP531 (MbSin-TP5, F -
RFQ
 ECAD 5651 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Ruban Adhésif (tr) Obsolète TLP531 - 1 (illimité) 264-TLP531 (mbSin-TP5Ftr EAR99 8541.49.8000 1 500
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    30 000 000

    Unité de produit standard

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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