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Optoisolators (1738)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Nombre de Canaux Type de sortie Tension - alimentation Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package COURANT - Sortie / Canal Taux de Donnés Temps de Hausse / Chute (Typ) Tension - Sortie (max) Tension - Forme (VF) (TYP) Courant - DC Forward (IF) (Max) Tension - isolement Tension - Hors de l'ÉTAT COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entrées - Côté 1 / Côté 2 Immunité Transitoire en Mode Commun (min) Délai de propagation tplh / tphl (max) Ratio de Transfert Actual (Min) Ratio de Transfert de Courant (Max) Allumez / desactivez le temps (typ) Saturation VCE (max) Circuit de Croisment Zéro Dv / dt state (min) Courant - Trigger LED (IFT) (Max) ALLUMER LE TEMPS
TLP552(HO,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP552 (HO, F) -
RFQ
 ECAD 8201 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète TLP552 - 1 (illimité) 264-TLP552 (HOF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP632(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP632 (F) -
RFQ
 ECAD 9713 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP632 Dc 1 Transistor 6 plombs télécharger Rohs conforme 1 (illimité) TLP632F EAR99 8541.49.8000 50 50m 2 µs, 3µs 55V 1,15 V 60 mA 5000vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP266J(V4T7TL,E Toshiba Semiconductor and Storage Tlp266j (v4t7tl, e 0,9200
RFQ
 ECAD 2489 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba TLP Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLP266 1 Triac 6-SOP télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 1,27 V 30 mA 3750 VRM 600 V 70 mA 600µA (TYP) Oui 200 V / µs 10m 30 µs
TLP5832(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5832 (E 2.8300
RFQ
 ECAD 4832 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -40 ° C ~ 110 ° C Support de surface 8-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) Dc 1 Push-pull, pôle totem 15V ~ 30V 8-so télécharger 1 (illimité) 264-TLP5832 (E EAR99 8541.49.8000 75 - 15ns, 8ns 1,55 V 20 mA 5000vrms 1/0 20kV / µs 200ns, 200ns
TLP388(D4GB-TR,E Toshiba Semiconductor and Storage Tlp388 (d4gb-tr, e 0,7800
RFQ
 ECAD 7489 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes Tlp388 Dc 1 Transistor 6-So, 4 Avance télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 50m 2 µs, 3µs 350 V 1,25 V 50 mA 5000vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP185(GB-TPL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (GB-TPL, SE 0,6100
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLP185 Dc 1 Transistor 6-SOP télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP732(D4-NEMIC,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP732 (D4-Némic, F) -
RFQ
 ECAD 5116 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète TLP732 - 1 (illimité) 264-TLP732 (D4-NEMICF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP2662(D4-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2662 (D4-TP1, F) 1.8800
RFQ
 ECAD 5134 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 8 mm, Aile de Mouette TLP2662 Dc 2 Collectionner OUVER 2,7 V ~ 5,5 V 8 mm télécharger Rohs conforme Non applicable EAR99 8541.49.8000 1 500 25 mA 10mbd 12nS, 3NS 1,55 V 20 mA 5000vrms 2/0 20kV / µs 75ns, 75ns
TLP2631TP1F Toshiba Semiconductor and Storage TLP2631TP1F -
RFQ
 ECAD 5085 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface 8 mm, Aile de Mouette TLP2631 Dc 2 Collectionnez OUVER, SCHOTTKY SERRÉ 4,5 V ~ 5,5 V 8 mm télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 1 500 16 MA 10mbd 30ns, 30ns 1,65 V 20 mA 2500 VRM 2/0 1kV / µs 75ns, 75ns
TLP2105(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2105 (F) -
RFQ
 ECAD 224 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) TLP2105 Dc 2 Push-pull, pôle totem 4,5 V ~ 20V 8-so télécharger Rohs conforme 1 (illimité) TLP2105F EAR99 8541.49.8000 100 25 mA 5Mbps 30ns, 30ns 1,65 V 20 mA 2500 VRM 2/0 10kV / µs 250ns, 250ns
TLP292-4(LGB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4 (LGB, E 1.7900
RFQ
 ECAD 6005 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 125 ° C Support de surface 16-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) TLP292 AC, DC 4 Transistor 16-SO télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 50 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 100% @ 500µA 600% à 500 µA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP161J(T5TR,U,C,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP161J (T5TR, U, C, F -
RFQ
 ECAD 6551 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Ruban Adhésif (tr) Obsolète TLP161J - 1 (illimité) 264-TLP161J (T5Trucftr EAR99 8541.49.8000 3 000
TLP571(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP571 (LF1, F) -
RFQ
 ECAD 9065 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète TLP571 - 1 (illimité) 264-TLP571 (LF1F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP293(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293 (E 0,5100
RFQ
 ECAD 3658 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Actif -55 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6 MD (4 pistes), Aile du Mouette TLP293 Dc 1 Transistor 6 MFSOP, 4 Avance télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 175 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP734(D4-C173,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP734 (D4-C173, F) -
RFQ
 ECAD 9944 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète TLP734 - 1 (illimité) 264-TLP734 (D4-C173F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP9104A(TOYOG2TLF Toshiba Semiconductor and Storage TLP9104A (Toyog2TLF -
RFQ
 ECAD 4143 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * En gros Obsolète - 264-TLP9104A (Toyog2TLF EAR99 8541.49.8000 1
TLP2719(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2719 (TP, E 1.7500
RFQ
 ECAD 6083 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) TLP2719 Dc 1 Collectionner OUVER 4,5 V ~ 20V 6-SO télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 1 500 8 mA 1MBD - 1,6 V 25m 5000vrms 1/0 10kV / µs 800ns, 800ns
TLP731(GR-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP731 (GR-LF2, F) -
RFQ
 ECAD 4124 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète TLP731 - 1 (illimité) 264-TLP731 (GR-LF2F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP532(BL-TP5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP532 (BL-TP5, F) -
RFQ
 ECAD 2519 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Ruban Adhésif (tr) Obsolète TLP532 - 1 (illimité) 264-TLP532 (BL-TP5F) TR EAR99 8541.49.8000 1 500
TLP781F(GR-TP7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (GR-TP7, F) -
RFQ
 ECAD 9957 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 4 sous-marins TLP781F Dc 1 Transistor 4 md télécharger 1 (illimité) 264-TLP781F (GR-TP7F) TR EAR99 8541.49.8000 2 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP781(GB-LF6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (GB-LF6, F) -
RFQ
 ECAD 8264 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 4 sous-marins TLP781 Dc 1 Transistor 4 md télécharger Rohs conforme 1 (illimité) 5A991G 8541.49.8000 100 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
4N38A(SHORT,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4N38A (Cour, F) -
RFQ
 ECAD 9550 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm) 4N38 Dc 1 Base de transistor AVEC 6 plombs - Rohs conforme 1 (illimité) 4N38A (Shortf) EAR99 8541.49.8000 50 100 mA - 80V 1,15 V 80 mA 2500 VRM 10% @ 10mA - 3 µs, 3µs 1v
TLP627M(TP5,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627M (TP5, E 0,9300
RFQ
 ECAD 5883 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 4 sous-marins TLP627 Dc 1 Darlington 4 md télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 1 500 150m 60 µs, 30 µs 300 V 1,25 V 50 mA 5000vrms 1000% @ 1mA - 110 µs, 30 µs 1,2 V
TLP628M(TP1,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628M (TP1, E 0,9100
RFQ
 ECAD 7614 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 125 ° C Support de surface 4 MD (0,300 ", 7,62 mm) TLP628 Dc 1 Transistor 4 md télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 1 500 50m 5,5 µs, 10 µs 350 V 1,25 V 50 mA 5000vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 10 µs, 10 µs 400 mV
TLP719F(AD-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP719F (ad-tp, f) -
RFQ
 ECAD 4645 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6-SOIC (0,268 ", 6,80 mm de grandeur) Dc 1 Transistor Aile de Goéland à 6 sdip - 264-TLP719F (AD-TPF) EAR99 8541.49.8000 1 8m - 20V 1,65 V 25 mA 5000vrms 20% @ 16mA - 800ns, 800ns (max) -
TLP750(D4-O-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP750 (D4-O-LF2, F) -
RFQ
 ECAD 7625 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète TLP750 - 1 (illimité) 264-TLP750 (D4-O-LF2F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP759F(D4IMF4,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759F (D4IMF4, J, F -
RFQ
 ECAD 4027 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) TLP759 Dc 1 Base de transistor AVEC 8 plombs télécharger 264-TLP759F (D4IMF4JF EAR99 8541.49.8000 1 - - - 1,65 V 25 mA 5000vrms 20% @ 16mA - - -
TLP9121A(TOYOGTL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP9121A (Toyogtl, F -
RFQ
 ECAD 7371 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * En gros Obsolète - 264-TLP9121A (Toyogtlf EAR99 8541.49.8000 1
TLP290-4(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP290-4 (TP, E 1.6300
RFQ
 ECAD 1378 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 16-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) TLP290 AC, DC 4 Transistor 16-SO télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 2 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,2 V 50 mA 2500 VRM 50% @ 5mA 400% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP2395(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2395 (E -
RFQ
 ECAD 7558 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur), 5 pistes TLP2395 Dc 1 Push-pull, pôle totem 3V ~ 20V 6-So, 5 Avance - 1 (illimité) 264-TLP2395 (E EAR99 8541.49.8000 150 25 mA 5Mbps 15ns, 12ns 1,5 V 20 mA 3750 VRM 1/0 20kV / µs 250ns, 250ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

Quantité: 1

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