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Optoisolators (15749)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Approbation d'agence	Nombre de Canaux	Type de sortie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	COURANT - Sortie / Canal	Taux de Donnés	Temps de Hausse / Chute (Typ)	Tension - Sortie (max)	Tension - Forme (VF) (TYP)	Courant - DC Forward (IF) (Max)	Tension - isolement	Tension - Hors de l'ÉTAT	COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max)	Current - Hold (IH)	Entrées - Côté 1 / Côté 2	Immunité Transitoire en Mode Commun (min)	Délai de propagation tplh / tphl (max)	Ratio de Transfert Actual (Min)	Ratio de Transfert de Courant (Max)	Allumez / desactivez le temps (typ)	Saturation VCE (max)	Circuit de Croisment Zéro	Dv / dt state (min)	Courant - Trigger LED (IFT) (Max)	ALLUMER LE TEMPS
4n27fvm	-	RFQ	7031	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	4N27	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	4n27fvm-ndr	EAR99	8541.49.8000	1 000	-		-	30V	1,18 V	60 mA	7500VPK							10% @ 10mA	-	2µs, 2µs	500 mV
MOC8104S	-	RFQ	8681	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	MOC810	Dc		1	Transistor		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	MOC8104S-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	50m		1 µs, 2µs	30V	1,15 V	100 mA	5300 VRM							160% @ 10mA	256% @ 10mA	2 µs, 3µs	400 mV
MOC8113	-	RFQ	8038	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	MOC811	Dc		1	Transistor		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	MOC8113S-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	-		3µs, 14µs	70V	1,15 V	90 mA	5300 VRM							100% @ 10mA	-	4,2 µs, 23 µs	400 mV
MCT2S	-	RFQ	1488	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	Mct2	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	MCT2S-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	50m		-	30V	1,25 V	100 mA	5300 VRM							20% @ 10mA	-	2µs, 2µs	400 mV
PS2533-1	-	RFQ	2333	Celoir	Népoc	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	4-DIP (0,300 ", 7,62 mm)		Dc		1	Darlington		À 4 plombes	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté		EAR99	8541.49.8000	100	150m		100 µs, 100 µs	350 V	1,15 V	80 mA	5000vrms							1500% @ 1MA	6500% @ 1MA	-	1V
EL1112 (TB)	-	RFQ	9138	Everlight Electronics Co Ltd	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 110 ° C	Support de surface	6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur), 5 pistes	EL1112	Dc		1	Base de transistor AVEC		5-SOP	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.49.8000	2 000	50m		2 µs, 3µs	80V	1,5 V (max)	60 mA	5000vrms							63% @ 10mA	125% @ 10mA	4 µs, 3µs	400 mV
H11AG3S	-	RFQ	1052	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	H11A	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	H11AG3S-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	50m		-	30V	1,5 V (max)	50 mA	5300 VRM							20% @ 1mA	-	5 µs, 5 µs	400 mV
EL3011 (TB)	-	RFQ	5112	Everlight Electronics Co Ltd	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	El3011		CSA, Demko, Fimko, Nemko, Semko, UL	1	Triac		6 mm	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		3903110005	EAR99	8541.49.8000	1 000					1,18 V	60 mA	5000vrms	250 V	100 mA	250µA (TYP)								Non	100 V / µs (TYP)	10m	-
HCPL2531	-	RFQ	8001	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	8 mm, Aile de Mouette	HCPL2531	Dc		2	Transistor		8 mm	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	50	8m		-	20V	1,45 V	25 mA	2500 VRM							19% @ 16mA	50% @ 16mA	450ns, 300ns	-
HCPL-2601-000E	2.8100	RFQ	8	Broadcom Limited	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	Par le trou	8-Dip (0,300 ", 7,62 mm)	HCPL-2601	Dc		1	Collectionnez OUVER, SCHOTTKY SERRÉ	4,5 V ~ 5,5 V	8 plombs	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	50	50 mA	10mbd	24 ns, 10ns		1,5 V	20 mA	3750 VRM				1/0	10kV / µs	100ns, 100ns
FOD0738	-	RFQ	5710	onsemi	-	Boîte	Obsolète	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	FOD073	Dc		2	Push-pull, pôle totem	4,5 V ~ 5,5 V	8-SOIC	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	3 000	2 mA	15MBD	12ns, 8ns		1,45 V	20 mA	2500 VRM				2/0	25kV / µs	60ns, 60ns
PC123	-	RFQ	4244	Microélectronique Tranchante	-	Tube	Obsolète	-30 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	4-DIP (0,300 ", 7,62 mm)		Dc		1	Transistor		À 4 plombes	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)		425-1308-5	EAR99	8541.49.8000	50	50m		4 µs, 3µs	70V	1,2 V	50 mA	5000vrms							50% @ 5mA	600% @ 5mA	-	200 MV
SFH618A-3	1.1200	RFQ	3	Division Opto de Vishay Semi-conducteur	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	4-DIP (0,300 ", 7,62 mm)	SFH618	Dc		1	Transistor		À 4 plombes	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	100	50m		3,5 µs, 5 µs	55V	1,1 V	60 mA	5300 VRM							100% @ 1mA	200% @ 1mA	6µs, 5,5 µs	400 mV
TLP732 (GB-LF2, F)	-	RFQ	1724	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	*	Tube	Obsolète				TLP732							-		1 (illimité)		264-TLP732 (GB-LF2F)	EAR99	8541.49.8000	50
HMHAA280R3V	-	RFQ	6659	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	4-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grandeur)	Hmhaa28	AC, DC		1	Transistor		4 minutes-plate	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	50m		3 µs, 3µs	80V	1,4 V (max)	50 mA	3750 VRM							50% @ 5mA	600% @ 5mA	-	400 mV
ACPL-824-500E	0,4601	RFQ	1418	Broadcom Limited	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-30 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	8 mm, Aile de Mouette	ACPL-824	AC, DC		2	Transistor		8 mm	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	50m		4 µs, 3µs	70V	1,2 V	50 mA	5000vrms							20% @ 1mA	300% @ 1mA	-	200 MV
SFH6326-X017	0,9440	RFQ	4441	Division Opto de Vishay Semi-conducteur	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	8 mm, Aile de Mouette	SFH6326	Dc		2	Transistor		8 mm	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	2 000	8m		-	25V	1,33 V	25 mA	5300 VRM							19% @ 16mA	-	200 ns, 500ns	-
PC3H7	-	RFQ	7292	Microélectronique Tranchante	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-30 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	4-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grandeur)		Dc		1	Transistor		4 minutes-plate	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.49.8000	3 000	50m		4 µs, 3µs	80V	1,2 V	50 mA	2500 VRM							20% @ 1mA	400% @ 1mA	-	200 MV
CNY173M_F132	-	RFQ	4776	onsemi	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)	CNY173	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	50m		4µs, 3,5 µs (max)	70V	1,35 V	60 mA	4170vrms							100% @ 10mA	200% @ 10mA	2 µs, 3µs	400 mV
H11G3W	-	RFQ	1064	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6-Dip (0,400 ", 10,16 mm)	H11G	Dc		1	Darlington Avec la base		6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	H11g3w-ndr	EAR99	8541.49.8000	1 000	-		-	55V	1,3 V	60 mA	5300 VRM							200% @ 1mA	-	5 µs, 100 µs	1,2 V
MCT5201300W	-	RFQ	3510	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6-Dip (0,400 ", 10,16 mm)	Mct5	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	MCT5201300W-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	150m		2,5 µs, 16 µs	30V	1,25 V	50 mA	5300 VRM							120% @ 5mA	-	3µs, 12 µs	400 mV
H11A1SR2M	0,7900	RFQ	994	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	H11A1	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 mm	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	-		-	30V	1,18 V	60 mA	4170vrms							50% @ 10mA	-	2µs, 2µs	400 mV
ICPL2630	2.2700	RFQ	2	ISOCOM Components 2004 Ltd	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	8-Dip (0,300 ", 7,62 mm)		Dc		2	Transistor		8 plombs	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	50	50m		40ns, 10ns	7v	1,4 V	20 mA	5000vrms							-	-	40ns, 35ns	-
PS2911-1-V-F3-MA	-	RFQ	3931	Celoir	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	4 mm, plombes plombes		Dc		1	Transistor		4 minutes-plate	télécharger		1 (illimité)	Atteindre Affeté		EAR99	8541.49.8000	3 500	40m		5 µs, 10 µs	40V	1,1 V	50 mA	2500 VRM							100% @ 1mA	200% @ 1mA	40 µs, 120 µs	300 mV
CNY17F-2X019T	0 2997	RFQ	2718	Division Opto de Vishay Semi-conducteur	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 110 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	CNY17	Dc		1	Transistor		6 mm	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	50m		2µs, 2µs	70V	1,39 V	60 mA	5000vrms							63% @ 10mA	125% @ 10mA	3µs, 2,3 µs	400 mV
TLP2962 (TP1, F)	1.2600	RFQ	1	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C	Support de surface	8 mm, Aile de Mouette	TLP2962	Dc		1	Collectionner OUVER	2,7 V ~ 5,5 V	8 mm	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.49.8000	1 500	50 mA	15MBD	3NS, 12NS		1,55 V	20 mA	5000vrms				1/0	20kV / µs	75ns, 75ns
HCPL-263N-020E	3.4716	RFQ	7566	Broadcom Limited	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	Par le trou	8-Dip (0,300 ", 7,62 mm)	HCPL-263	Dc		2	Collectionnez OUVER, SCHOTTKY SERRÉ	4,5 V ~ 5,5 V	8 plombs	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	50	50 mA	10mbd	42ns, 12ns		1,3 V	10m	5000vrms				2/0	15kV / µs	100ns, 100ns
TLP2200 (TP1, F)	-	RFQ	5811	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	8 mm, Aile de Mouette	TLP2200	Dc		1	Trois états	4,5 V ~ 20V	8 mm	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.49.8000	1 500	25 mA	2,5 MBD	35ns, 20ns		1,55 V	10m	2500 VRM				1/0	1kV / µs	400ns, 400ns
4N24	32.3402	RFQ	2291	TT Electronics / Optek Technology	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 125 ° C	Par le trou	To-78-6 Metal Can		Dc		1	Base de transistor AVEC		To-78-6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	250	50m		20 µs, 20 µs	35V	1,3 V (max)	40 mA	1000vdc							100% @ 10mA	-	-	300 mV
MOC8107300W	-	RFQ	5311	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6-Dip (0,400 ", 10,16 mm)	MOC810	Dc		1	Transistor		6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	MOC8107300W-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	50m		1 µs, 2µs	70V	1,15 V	100 mA	5300 VRM							100% @ 10mA	300% @ 10mA	2 µs, 3µs	400 mV

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Optoisolators (15749)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²