SIC
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Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Approbation d'agence Nombre de Canaux Type de sortie Tension - alimentation Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package COURANT - Sortie / Canal Taux de Donnés Temps de Hausse / Chute (Typ) Tension - Sortie (max) Tension - Forme (VF) (TYP) Courant - DC Forward (IF) (Max) Tension - isolement Tension - Hors de l'ÉTAT COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entrées - Côté 1 / Côté 2 Immunité Transitoire en Mode Commun (min) Délai de propagation tplh / tphl (max) Ratio de Transfert Actual (Min) Ratio de Transfert de Courant (Max) Allumez / desactivez le temps (typ) Saturation VCE (max) Circuit de Croisment Zéro Dv / dt state (min) Courant - Trigger LED (IFT) (Max) ALLUMER LE TEMPS
FOD2200V onsemi FOD2200V -
RFQ
ECAD 7984 0,00000000 onsemi - Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C Par le trou 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) FOD2200 Dc 1 Trois états 4,5 V ~ 20V 8 plombs télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 1 000 25 mA 2,5 MBD 80ns, 25ns 1,4 V 10m 5000vrms 1/0 10kV / µs 300ns, 300ns
PC3H7J00001H SHARP/Socle Technology PC3H7J00001H -
RFQ
ECAD 5046 0,00000000 Technologie Sharp / Socle - Ruban Adhésif (tr) Abandonné à sic - - - - - - - Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 10 500 - - - - - - - - -
4N25FVM onsemi 4n25fvm -
RFQ
ECAD 7161 0,00000000 onsemi - Tube Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 mm, Aile de Mouette 4N25 Dc 1 Base de transistor AVEC 6 mm télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté 4n25fvm-ndr EAR99 8541.49.8000 1 000 - - 30V 1,18 V 60 mA 7500VPK 20% @ 10mA - 2µs, 2µs 500 mV
TCLT1117 Vishay Semiconductor Opto Division TCLT1117 0 2596
RFQ
ECAD 5393 0,00000000 Division Opto de Vishay Semi-conducteur - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur), 5 pistes TCLT1117 Dc 1 Base de transistor AVEC 6-SOP, 5 broches télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 3 000 50m 3µs, 4,7 µs 70V 1,25 V 60 mA 5000vrms 80% @ 5mA 160% @ 5mA 6µs, 5µs 300 mV
HCPL0530R2 onsemi HCPL0530R2 -
RFQ
ECAD 5137 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) HCPL05 Dc 2 Transistor 8-SOIC télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 2 500 8m - 20V 1,45 V 25 mA 2500 VRM 7% @ 16mA 50% @ 16mA 450ns, 500ns -
HCPL-2631#300 Broadcom Limited HCPL-2631 # 300 3.1606
RFQ
ECAD 4771 0,00000000 Broadcom Limited - Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface 8 mm, Aile de Mouette HCPL-2631 Dc 2 Collectionnez OUVER, SCHOTTKY SERRÉ 4,5 V ~ 5,5 V Aile de Goéland à 8 tremblements télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 516-1090-5 EAR99 8541.49.8000 50 50 mA 10mbd 24 ns, 10ns 1,5 V 15m 3750 VRM 2/0 10kV / µs 100ns, 100ns
CNY75B Vishay Semiconductor Opto Division CNY75B 0,6600
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Division Opto de Vishay Semi-conducteur - Tube Actif -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm) CNY75 Dc 1 Base de transistor AVEC 6 plombs télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 50 50m 3µs, 3,7 µs 70V 1,25 V 60 mA 5000vrms 100% @ 10mA 200% @ 10mA 5,5 µs, 4 µs 300 mV
FOD2741ATV onsemi FOD2741ATV 1.9200
RFQ
ECAD 500 0,00000000 onsemi - En gros Actif -40 ° C ~ 85 ° C Par le trou 8-Dip (0,400 ", 10,16 mm) FOD2741 Dc 1 Transistor 8 MDIP télécharger Rohs3 conforme Non applicable Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 1 000 50m - 30V 1,5 V (max) 5000vrms 100% @ 10mA 200% @ 10mA - 400 mV
H11AA1S1(TA)-V Everlight Electronics Co Ltd H11AA1S1 (TA) -V -
RFQ
ECAD 7212 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 mm, Aile de Mouette H11AA AC, DC 1 Base de transistor AVEC 6 mm télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 3907171214 EAR99 8541.49.8000 1 000 - 10 µs, 10 µs (max) 80V 1,2 V 60 mA 5000vrms 20% @ 10mA - 10 µs, 10 µs (max) 400 mV
CNY172SM onsemi CNY172SM 0,6900
RFQ
ECAD 2 0,00000000 onsemi - Tube Actif -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 mm, Aile de Mouette CNY172 Dc 1 Base de transistor AVEC 6 mm télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté CNY172SM-NDR EAR99 8541.49.8000 50 50m 4µs, 3,5 µs (max) 70V 1,35 V 60 mA 4170vrms 63% @ 10mA 125% @ 10mA 2 µs, 3µs 400 mV
SFH617A-3X001 Vishay Semiconductor Opto Division SFH617A-3X001 1.0300
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Division Opto de Vishay Semi-conducteur - Tube Actif -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) SFH617 Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 100 50m 2µs, 2µs 70V 1,35 V 60 mA 5300 VRM 100% @ 10mA 200% @ 10mA 3µs, 2,3 µs 400 mV
HCPL-0723-500 Broadcom Limited HCPL-0723-500 5.6906
RFQ
ECAD 6596 0,00000000 Broadcom Limited - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) HCPL-0723 Logique 1 Push-pull, pôle totem 4,5 V ~ 5,5 V 8-si haut télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 1 500 10 mA 50mbd 8ns, 6ns - - 3750 VRM 1/0 10kV / µs 22NS, 22NS
HCPL-261A-000E Broadcom Limited HCPL-261A-000E 3,3000
RFQ
ECAD 517 0,00000000 Broadcom Limited - Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C Par le trou 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) HCPL-261 Dc 1 Collectionnez OUVER, SCHOTTKY SERRÉ 4,5 V ~ 5,5 V 8 plombs télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 50 50 mA 10mbd 42ns, 12ns 1,3 V 10m 3750 VRM 1/0 1kV / µs 100ns, 100ns
H11D1-X009 Vishay Semiconductor Opto Division H11d1-x009 0,6576
RFQ
ECAD 5243 0,00000000 Division Opto de Vishay Semi-conducteur - Tube Actif -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 mm, Aile de Mouette H11 Dc 1 Base de transistor AVEC 6 mm télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 2 000 100 mA 2,5 µs, 5,5 µs 300 V 1,1 V 60 mA 5300 VRM 20% @ 10mA - 5 µs, 6µs 400 mV
PS2703-1-F3-L-A Renesas Electronics America Inc PS2703-1-F3-LA -
RFQ
ECAD 7342 0,00000000 Renesas Electronics America Inc Népoc Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 4 sous-marins PS2703 Dc 1 Transistor 4-SOP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 559-1445-2 EAR99 8541.49.8000 3 500 30m 10 µs, 10 µs 120 V 1,1 V 50 mA 3750 VRM 100% @ 5mA 300% @ 5mA - 300 mV
H11L3M onsemi H11L3M 1.0700
RFQ
ECAD 7974 0,00000000 onsemi - Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C Par le trou 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm) H11L3 Dc 1 Collectionner OUVER 3V ~ 15V 6 plombs télécharger Rohs3 conforme Non applicable Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 50 50 mA 1 MHz 100ns, 100ns 1,2 V 30m 4170vrms 1/0 - 4µs, 4µs
EL817(S)(D)(TB)-VG Everlight Electronics Co Ltd El817 (s) (d) (TB) -vg -
RFQ
ECAD 4547 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Ruban Adhésif (tr) Abandonné à sic -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 4 sous-marins Dc 1 Transistor 4 md télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 1 000 50m 6µs, 8µs 80V 1,2 V 60 mA 5000vrms 300% @ 5mA 600% @ 5mA - 200 MV
TLP759(IGM-LF5,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 (IGM-LF5, J, F -
RFQ
ECAD 9136 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 8 mm, Aile de Mouette TLP759 Dc 1 Base de transistor AVEC 8 mm télécharger 264-TLP759 (IGM-LF5JF EAR99 8541.49.8000 1 8m - - 1,65 V 25 mA 5000vrms 25% @ 10mA 75% @ 10mA - -
FOD2711AV Fairchild Semiconductor FOD2711AV 0,4800
RFQ
ECAD 4 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif -40 ° C ~ 85 ° C Par le trou 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) Dc 1 Transistor 8 plombs télécharger EAR99 8541.49.8000 623 50m - 30V 1,5 V (max) 5000vrms 100% @ 10mA 200% @ 10mA - 400 mV
H11L1 Isocom Components 2004 LTD H11L1 1.1100
RFQ
ECAD 6903 0,00000000 ISOCOM Components 2004 Ltd - Tube Actif -25 ° C ~ 85 ° C Par le trou 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm) Dc 1 Collectionner OUVER 3V ~ 15V 6 plombs télécharger Rohs3 conforme Non applicable Atteindre non affecté H11L1IS EAR99 8541.49.8000 65 50 mA 1 MHz 100ns, 50ns - 50m 5000vrms 1/0 - 6µs, 3µs
LOC110PTR IXYS Integrated Circuits Division Loc110ptr 3.1900
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Division des circuits Integrés ixys - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface 8 mm, Aile de Mouette Loc110 Dc 1 Photovoltaïque, liéarisé 8 platspack télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 1 000 - - - 1,2 V 3750 VRM - - - -
4N37300 onsemi 4N37300 -
RFQ
ECAD 3961 0,00000000 onsemi - Tube Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm) 4N37 Dc 1 Base de transistor AVEC 6 plombs télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté 4N37300-NDR EAR99 8541.49.8000 1 000 - - 30V 1,18 V 100 mA 5300 VRM 100% @ 10mA - 2µs, 2µs 300 mV
4N37SR2VM onsemi 4N37SR2VM 0,7100
RFQ
ECAD 1 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 mm, Aile de Mouette 4N37 Dc 1 Base de transistor AVEC 6 mm télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 1 000 - - 30V 1,18 V 60 mA 4170vrms 100% @ 10mA - 2µs, 2µs 300 mV
HCPL0637R1 onsemi HCPL0637R1 -
RFQ
ECAD 9661 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) HCPL06 Dc 2 Collectionnez OUVER, SCHOTTKY SERRÉ 4,5 V ~ 5,5 V 8-SOIC télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 1 000 15 mA 10Mbps 17ns, 5ns 1,75 V (max) - 3750 VRM 2/0 5kV / µs 75ns, 75ns
VOA300 Vishay Semiconductor Opto Division VOA300 3.2703
RFQ
ECAD 2308 0,00000000 Division Opto de Vishay Semi-conducteur Automobile, AEC-Q102 Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 8 mm, Aile de Mouette VOA300 Dc 3 Photovoltaïque, liéarisé 8 mm télécharger 751-VOA300TR EAR99 8541.49.8000 2 000 - 800ns, 800ns - 1,4 V 60 mA 5300 VRM - - - -
HCPL-061N#500 Broadcom Limited HCPL-061N # 500 2.4743
RFQ
ECAD 6916 0,00000000 Broadcom Limited - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) HCPL-061 Dc 1 Collectionnez OUVER, SCHOTTKY SERRÉ 4,5 V ~ 5,5 V 8-si haut télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 1 500 50 mA 10mbd 42ns, 12ns 1,3 V 10m 3750 VRM 1/0 1kV / µs 100ns, 100ns
BRT23-M Vishay Semiconductor Opto Division BRT23-M -
RFQ
ECAD 7133 0,00000000 Division Opto de Vishay Semi-conducteur - Tube Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Par le trou 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm) BRT23 CQC, UL 1 Triac 6 plombs télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 2 000 1,16 V 60 mA 5300 VRM 800 V 300 mA 500 µA Oui 10kV / µs 3MA 35 µs
PVI5033RSPBF Infineon Technologies PVI5033RSPBF 17.1500
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Infineon Technologies PVI Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface 8 mm, Aile de Mouette PVI5033 Dc 2 Photovoltaïque 8 mm télécharger Rohs3 conforme 4 (72 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 50 5µA - 10V - 40 mA 3750 VRM - - 2,5 ms, 500 µs (max) -
PS2561DL-1Y-V-A Renesas Electronics America Inc PS2561DL-1Y-VA 0,8700
RFQ
ECAD 3818 0,00000000 Renesas Electronics America Inc Népoc Tube Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 4 sous-marins PS2561 Dc 1 Transistor 4 md télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre Affeté EAR99 8541.49.8000 100 50m 3 µs, 5 µs 80V 1,2 V 40 mA 5000vrms 50% @ 5mA 400% @ 5mA - 300 mV
TLP785F(D4YHT7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (D4YHT7, F -
RFQ
ECAD 7277 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) TLP785 Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) 264-TLP785F (D4YHT7FTR EAR99 8541.49.8000 2 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 75% @ 5mA 150% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock