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Mémoire (70500)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page	Sic programmable
S25HS01GTDPBHI030	17.6100	RFQ	1	Infineon Technologies	HS-T	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	24 TBGA	S25HS01	Flash - ni	1,7 V ~ 2V	24-bga (8x6)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	260	133 MHz	Non volatile	1 gbit		Éclair	128m x 8	Spi - quad e / o, qpi	-
CY62148GN-45ZSXIT	4.6200	RFQ	7420	Infineon Technologies	MOBL®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	32-SOIC (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	CY62148	Sram - asynchrone	4,5 V ~ 5,5 V	32-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	1 000		Volatil	4mbbitons	45 ns	Sram	512k x 8	Parallèle	45ns
Cydmx064b16-65bvxi	6.9400	RFQ	3	Cypress Semiconductor Corp	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100-VFBGA	Cydmx	Sram - double port, mobl	1,8 V ~ 3,3 V	100-VFBGA (6x6)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8542.32.0041	44		Volatil	64kbit	65 ns	Sram	4K x 16	Parallèle	65ns	Non Vérifié
CY7C09369V-9AC	22.5600	RFQ	311	Cypress Semiconductor Corp	-	En gros	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	CY7C09369	Sram - double port, synchrone	3V ~ 3,6 V	100-TQFP (14x14)	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre Affeté		3A991B2B	8542.32.0041	1	67 MHz	Volatil	288kbit	9 ns	Sram	16k x 18	Parallèle	-
MT29F1T08CUCABH8-6R: A TR	-	RFQ	9053	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	152 LBGA	MT29F1T08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	152 LBGA (14x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	1 000	167 MHz	Non volatile	1 tbit		Éclair	128g x 8	Parallèle	-
IS25LP256D-RMLE	-	RFQ	5143	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur)	IS25LP256	Flash - ni	2,3V ~ 3,6 V	16 ans	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	44	133 MHz	Non volatile	256mbitons	7 ns	Éclair	32m x 8	En série	800 µs
24AA025E64T-I / OT	0,3600	RFQ	753	Technologie des micropuces	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	SOT-23-6	24AA025E64	Eeprom	1,7 V ~ 5,5 V	SOT-23-6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0051	3 000	400 kHz	Non volatile	2kbit	900 ns	Eeprom	256 x 8	I²c	5 ms
W29n08gwbiba tr	13.2900	RFQ	4479	Electronique Winbond	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	63-VFBGA		Flash - Nand (SLC)	1,7 V ~ 1,95 V	63-VFBGA (9x11)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		256-W29N08GWBIBATr	3A991B1A	8542.32.0071	2 500		Non volatile	8 Gbit	25 ns	Éclair	512m x 16	Onfi	35ns, 700 µs
HM9-6516BD6129	30.3400	RFQ	169	Harris Corporation	*	En gros	Actif								-	Non applicable	3 (168 Heures)	Vendeur indéfini		EAR99	8542.32.0041	1
IS61DDB41M36-250M3	-	RFQ	3013	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Abandonné à sic	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165 LBGA	IS61DDB41	Sram - Synchrones, DDR II	1,71 V ~ 1,89 V	165-LFBGA (15x17)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	105	250 MHz	Volatil	36mbitons	5,85 ns	Sram	1m x 36	Parallèle	-
S34ML01G200TFI900	-	RFQ	3468	Cypress Semiconductor Corp	Ml-2	Plateau	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	S34ML01	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	48 TSOP	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	96		Non volatile	1 gbit		Éclair	128m x 8	Parallèle	25ns
LE24CB642TT-TLM-H	0,3100	RFQ	2	Sanyo	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	8-TSSOP, 8 MSOP (0,118 ", 3,00 mm de grand)	LE24CB642	Eeprom	2,7 V ~ 5,5 V	8 MSOP	-	Non applicable	3 (168 Heures)	Vendeur indéfini			0000.00.0000	2 000	400 kHz	Non volatile	64kbit	900 ns	Eeprom	8k x 8	I²c	10 ms
712288-081-C	110.0000	RFQ	3200	Prolabs	*	Colis de Vente au Détail	Actif								-	Rohs conforme			4932-712288-081-C	EAR99	8473.30.5100	1
S27KL0643DPBHV020	4.0075	RFQ	6085	Infineon Technologies	Hyperram ™ KL	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	24-VBGA	S27KL0643	Psram (pseudo sram)	2,7 V ~ 3,6 V	24-fbga (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0002	3 380	166 MHz	Volatil	64mbitons	36 ns	Psram	8m x 8	Spi - e / s octal	36ns
Cy62138vnll-70bai	3.1200	RFQ	498	Cypress Semiconductor Corp	*	En gros	Actif								télécharger		Vendeur indéfini	Atteindre Affeté	2156-CY62138VNLL-70BAI-428			1
Gd5f1gq5ueyigy	2.3296	RFQ	8895	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	Gd5f	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-WDFN		Flash - Nand (SLC)	2,7 V ~ 3,6 V	8-WSON (6x8)	télécharger				1970-gd5f1gq5ueyigy			4 800	133 MHz	Non volatile	1 gbit	7 ns	Éclair	256m x 4	Spi - quad e / o, qpi, dtr	600 µs
843313-b21-C	143.7500	RFQ	7200	Prolabs	*	Colis de Vente au Détail	Actif								-	Rohs conforme			4932-843313-B21-C	EAR99	8473.30.5100	1
TMS55161-60DGH	7.0000	RFQ	4	Texas Instruments	*	En gros	Actif								télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre Affeté		EAR99	8542.32.0071	1
S25FL256LDPNFB013	-	RFQ	1657	Nexperia USA Inc.	-	En gros	Actif								-				2156-S25FL256LDPNFB013			1
IS29GL256S-10DHV02	-	RFQ	2295	Infineon Technologies	GL-S	Plateau	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	64 LBGA	IS29GL256	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	64-fbga (9x9)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1		Non volatile	256mbitons	100 ns	Éclair	32m x 8	Parallèle	60ns
IS49NLC36800-25BI	-	RFQ	8343	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	144-TFBGA	IS49NLC36800	Rldram 2	1,7 V ~ 1,9 V	144-FCBGA (11x18,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	104	400 MHz	Volatil	288mbitons	20 ns	Drachme	8m x 36	Parallèle	-
IS25LQ025B-JKLE-TR	-	RFQ	2338	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-WDFN	IS25LQ025	Flash - ni	2,3V ~ 3,6 V	8-wson (6x5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	4 500	104 MHz	Non volatile	256kbit		Éclair	32k x 8	Spi - quad e / o	800 µs
Cy7c1021bn-15zxct	2.1200	RFQ	2	Cypress Semiconductor Corp	-	En gros	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	Cy7c1021	Sram - asynchrone	4,5 V ~ 5,5 V	44-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme				3A991B2B	8542.32.0041	142		Volatil	1mbit	15 ns	Sram	64k x 16	Parallèle	15NS	Non Vérifié
W25Q64JVSSAQ	-	RFQ	8340	Electronique Winbond	SPIFLASH®	Tube	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur)	W25Q64	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	8-SOIC	-		3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	256-W25Q64JVSSAQ			1	133 MHz	Non volatile	64mbitons	6 ns	Éclair	8m x 8	Spi - quad e / o	3 ms
MT44K32M36RB-093F: A TR	-	RFQ	3003	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	168 TBGA	MT44K32M36	Rldram 3	1,28 V ~ 1,42 V	168-BGA (13,5x13,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 000	1 066 GHz	Volatil	1 125 Gbit	7,5 ns	Drachme	32m x 36	Parallèle	-
24FC01T-E / MS	0,3400	RFQ	2	Technologie des micropuces	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	8-TSSOP, 8 MSOP (0,118 ", 3,00 mm de grand)	24FC01	Eeprom	1,7 V ~ 5,5 V	8 MSOP	télécharger	Rohs3 conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0051	2 500	1 MHz	Non volatile	1kbit	450 ns	Eeprom	128 x 8	I²c	5 ms
Ndq46pfp-7nit tr	-	RFQ	3266	INSignnis Technology Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	-	-		Sdram - ddr4	1,14 V ~ 1,26 V	-	-				1982-ndq46pfp-7nittr	OBSOLÈTE		2 500	1 333 GHz	Volatil	4 Gbit	18 ns	Drachme	256m x 16	Coffre	15NS
7008L12G	-	RFQ	3279	Renesas Electronics America Inc	-	Tube	Acheter la Dernière	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Par le trou	84-BPGA		Sram - double port, asynchrone	4,5 V ~ 5,5 V	84-PGA (27.94x27.94)	-				800-7008L12G			1		Volatil	512kbit	12 ns	Sram	64k x 8	Parallèle	12ns
M3004316045nx0ibcr	10.2011	RFQ	8501	Renesas Electronics America Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	484-BGA		Mram (magnétororesistif)	2,7 V ~ 3,6 V	484-Cabga (23x23)	-	Rohs3 conforme			800-M3004316045nx0ibcrtr			1		Non volatile	4mbbitons	45 ns	Bélier	256k x 16	Parallèle	45ns
W958d6nwsx4i tr	2.3600	RFQ	2511	Electronique Winbond	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif								-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)					4 000

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Mémoire (70500)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²