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Mémoire (70500)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page	Sic programmable
FM25C020ULMT8	0,3000	RFQ	4	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur)	FM25C020	Eeprom	2,7 V ~ 5,5 V	8-TSSOP	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Vendeur indéfini		EAR99	8542.32.0051	1	2,1 MHz	Non volatile	2kbit		Eeprom	256 x 8	Pimenter	15 ms
GS82583ED18GK-625I	697.5000	RFQ	14	GSI Technology Inc.	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 100 ° C (TJ)	Support de surface	260-BGA	GS82583ED18	Sram - Port Quad, synchrone	1,25 V ~ 1,35 V	260-BGA (22x14)	-	Rohs3 conforme	4 (72 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2B	8542.32.0041	10	675 MHz	Volatil	288mbitons		Sram	16m x 18	Parallèle	-
S25FL512SAGBHI213	10.9900	RFQ	1848	Infineon Technologies	FL-S	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	24 TBGA	S25FL512	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	24-bga (8x6)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	2 500	133 MHz	Non volatile	512mbitons		Éclair	64m x 8	Spi - quad e / o	-
S25FL164K0XMFV003	-	RFQ	8753	Nexperia USA Inc.	-	En gros	Actif								-				2156-S25FL164K0XMFV003			1
AS6C1616B-55BIN	8.9822	RFQ	4923	Alliance Memory, Inc.	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-LFBGA	AS6C1616	Sram - asynchrone	2,7 V ~ 3,6 V	48-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	1450-AS6C1616B-55BIN	EAR99	8542.32.0041	480		Volatil	16mbitons	55 ns	Sram	1m x 16	Parallèle	55ns
IS25WE01G-RILE	12.5055	RFQ	2855	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	24 lbga		Flash - Ni (SLC)	1,7 V ~ 1,95 V	24-lfbga (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS25WE01G-RILE			480	104 MHz	Non volatile	1 gbit	10 ns	Éclair	128m x 8	Spi - quad e / o, qpi, dtr	50 µs, 2 ms
7130la25pfi8	-	RFQ	7950	Renesas Electronics America Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	64 LQFP	7130la	Sram - double port, asynchrone	4,5 V ~ 5,5 V	64-TQFP (14x14)	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0041	750		Volatil	8kbit	25 ns	Sram	1k x 8	Parallèle	25ns
S28HS02GTFPBHM050	-	RFQ	7201	Nexperia USA Inc.	-	En gros	Actif								-				2156-S28HS02GTFPBHM050			1
CY7C1313CV18-250BZC	34.9600	RFQ	54	Cypress Semiconductor Corp	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165 LBGA	CY7C1313	Sram - Synchrone, Qdr II	1,7 V ~ 1,9 V	165-fbga (13x15)	télécharger	Rohs non conforme				3A991B2A	8542.32.0041	9	250 MHz	Volatil	18mbitons		Sram	1m x 18	Parallèle	-	Non Vérifié
EMMC128-TY29-5B111	16.8700	RFQ	45	Kingston	-	Plateau	Actif	-25 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	153-WFBGA	EMMC128	Flash - Nand (TLC)	1,8 V, 3,3 V	153-WFBGA (11,5x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Vendeur indéfini	3217-EMMC128-TY29-5B111	EAR99	8542.31.0001	1		Non volatile	1 tbit		Éclair	128g x 8	EMMC
R1RW0416DSB-0PR # D1	6.2000	RFQ	7154	Renesas Electronics America Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur)		Sram - asynchrone	3V ~ 3,6 V	44-TSOP II	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		559-R1RW0416DSB-0PR # D1			135		Volatil	4mbbitons	10 ns	Sram	256k x 16	Parallèle	10ns
MX25U6432FZNI02	1.6400	RFQ	43	Macronix	MXSMIO ™	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-WDFN	MX25U6432	Flash - ni	1,65 V ~ 2V	8-wson (6x5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	1092-MX25U6432FZNI02	3A991B1A	8542.32.0071	570	133 MHz	Non volatile	64mbitons		Éclair	8m x 8	Spi - quad e / o, qpi	40 µs, 3 ms
IS62WV51216EFBLL-45BI-TR	4.6281	RFQ	6802	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-VFBGA	IS62WV51216	Sram - asynchrone	2.2V ~ 3,6 V	48-VFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	2 500		Volatil	8mbitons	45 ns	Sram	512k x 16	Parallèle	55ns
K4B1G1646-BYMA000	4.0000	RFQ	1	Samsung Semiconductor, Inc.	*	Plateau	Actif								-	Rohs3 conforme		Vendeur indéfini	3277-K4B1G1646-BYMA000			224
MT62F768M64D4EJ-031 AIT: A	93.4500	RFQ	9757	Micron Technology Inc.	-	En gros	Actif				MT62F768				-			Atteindre non affecté	557-mt62f768m64d4ej-031ait: A			1 190
IS46R16160F-6TLA2	5.3646	RFQ	6088	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS46R16160	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	66-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	108	166 MHz	Volatil	256mbitons	700 PS	Drachme	16m x 16	Parallèle	15NS
T0e52aa-c	150 0000	RFQ	3618	Prolabs	*	Colis de Vente au Détail	Actif								-	Rohs conforme			4932-T0E52AA-C	EAR99	8473.30.5100	1
MX25UM25645GXDI00	5.6100	RFQ	7880	Macronix	Octabus ™	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	24-TBGA, CSPBGA		Flash - Ni (SLC)	1,65 V ~ 2V	24-CSPBGA (6x8)	-		3 (168 Heures)		1092-MX25UM25645GXDI00			480	200 MHz	Non volatile	256mbitons	5 ns	Éclair	32m x 8, 256m x 1	Pimenter	60 µs, 750 µs
MT62F4G32D8DV-023 WT ES: B	90.4650	RFQ	6434	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Actif	-25 ° C ~ 85 ° C	-	-		Sdram - mobile lpddr5	-	-	-				557-MT62F4G32D8DV-023WTES: B			1	4.266 GHz	Volatil	128 GBIT		Drachme	4G x 32	Parallèle	-
AT27C256R-70TU	-	RFQ	3080	Technologie des micropuces	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	28-TSSOP (0 465 ", 11,80 mm de grosur)	AT27C256	Eprom - OTP	4,5 V ~ 5,5 V	28 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0061	234		Non volatile	256kbit	70 ns	Eprom	32k x 8	Parallèle	-
AS4C512M8D3LC-12BCN	8.4579	RFQ	3165	Alliance Memory, Inc.	-	Plateau	Actif				AS4C512				télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	1450-AS4C512M8D3LC-12BCN	EAR99	8542.32.0036	242
M5M51008DVP-70H # ST	6.3000	RFQ	353	Renesas Electronics America Inc	*	En gros	Actif								télécharger	Non applicable	3 (168 Heures)	Vendeur indéfini		EAR99	8542.32.0041	1 000
CY7C1314KV18-333BZC	30.6800	RFQ	1	Cypress Semiconductor Corp	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165 LBGA	CY7C1314	Sram - Synchrone, Qdr II	1,7 V ~ 1,9 V	165-fbga (13x15)	télécharger	Rohs non conforme				3A991B2A	8542.32.0041	10	333 MHz	Volatil	18mbitons		Sram	512k x 36	Parallèle	-	Non Vérifié
MT29F1G08ABBEAM68M3WC1L	2.8800	RFQ	8851	Micron Technology Inc.	-	En gros	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	Mourir	MT29F1G08	Flash - Nand (SLC)	1,7 V ~ 1,95 V	Mourir	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	557-MT29F1G08ABBEAM68M3WC1L			1		Non volatile	1 gbit		Éclair	128m x 8	-	-
RMLV3216AGBG-5S2 # KC0	23.9400	RFQ	5890	Renesas Electronics America Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFBGA		Sram - asynchrone	2,7 V ~ 3,6 V	48-TFBGA (7,5x8,5)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		559-RMLV3216AGBG-5S2 # KC0TR			1		Volatil	32mbitons	55 ns	Sram	4m x 8, 2m x 16	Parallèle	55ns
W25r128fvpig	-	RFQ	7893	Electronique Winbond	SPIFLASH®	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-WDFN	W25R128	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	8-wson (6x5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	256-W25R128FVPIG	OBSOLÈTE	8542.32.0071	100	104 MHz	Non volatile	128mbitons		Éclair	16m x 8	Spi - quad e / o	50 µs, 3 ms
C-1333D3DRLPR / 8G	62.5000	RFQ	2891	Prolabs	*	Colis de Vente au Détail	Actif								-	Rohs conforme			4932-C-333D3DRLPR / 8G	EAR99	8473.30.5100	1
MB85RC128APNF-G-JNE1	3.4300	RFQ	11	Kaga Fei America, Inc.	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	MB85RC128	Fram (Ferroelectric RAM)	3V ~ 3,6 V	8-SOP	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	95	1 MHz	Non volatile	128kbit	900 ns	Fracture	16k x 8	I²c	-
IS26KS512S-DPBLA100-TR	-	RFQ	2539	Infineon Technologies	-	En gros	Acheter la Dernière								-							1
Ndq46pfp-7xit	-	RFQ	9348	INSignnis Technology Corporation	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	-	-		Sdram - ddr4	1,14 V ~ 1,26 V	-	-				1982-ndq46pfp-7xit	OBSOLÈTE		2 500	1 333 GHz	Volatil	4 Gbit	18 ns	Drachme	256m x 16	Coffre	15NS

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
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Unité de produit standard
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Mémoire (70500)

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