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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page | Sic programmable |
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![]() | S29GL064S90BHI043 | - | ![]() | 8561 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q100, GL-S | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-VFBGA | S29GL064 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-fbga (8.15x6.15) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 500 | Non volatile | 64mbitons | 90 ns | Éclair | 8m x 8, 4m x 16 | Parallèle | 60ns | ||||
![]() | LE25S161MDTWG | - | ![]() | 8518 | 0,00000000 | onsemi | - | En gros | Obsolète | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 488-LE25S161MDTWG | OBSOLÈTE | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | Ds28e02p-w10 + 4 | - | ![]() | 8701 | 0,00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrée | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 6 MD, J-LEAD | DS28E02 | Eeprom | 1,75 V ~ 3,65 V | 6 tso | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 175-DS28E02P-W10 + 4TR | OBSOLÈTE | 4 000 | Non volatile | 1kbit | 2 µs | Eeprom | 256 x 4 | 1-Wire® | 25 ms | |||||
![]() | AF032GEC5A-2001A2 | 63.7900 | ![]() | 16 | 0,00000000 | ATP Electronics, Inc. | Automobile | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C | Support de surface | 153-fbga | AF032 | Flash - Nand (PSLC) | 153-BGA (11,5x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 1282-AF032GEC5A-2001A2 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 760 | Non volatile | 256 GBIT | Éclair | 32g x 8 | EMMC | ||||||
![]() | MT53E1536M32D4DT-046 AIT: A TR | - | ![]() | 4559 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | MT53E1536 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | Mt53e1536m32d4dt-046ait: ATR | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 2 000 | 2.133 GHz | Volatil | 48gbit | Drachme | 1,5 GX 32 | - | - | ||||||
![]() | CG8019AA | - | ![]() | 8941 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Plateau | Obsolète | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 234 | ||||||||||||||||||
Cat25160VP2igt3c | - | ![]() | 9576 | 0,00000000 | onsemi | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-WFDFN | Cat25160 | Eeprom | 1,8 V ~ 5,5 V | 8-TDFN (2x3) | - | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 488-CAT25160VP2igt3ctr | OBSOLÈTE | 3 000 | 10 MHz | Non volatile | 16kbit | Eeprom | 2k x 8 | Pimenter | 5 ms | ||||||
![]() | R1LV5256ESP-7SI # B0 | - | ![]() | 1480 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tube | Abandonné à sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 28-SOIC (0,330 ", 8,40 mm de grandeur) | R1LV5256 | Sram | 2,7 V ~ 3,6 V | 28-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Volatil | 256kbit | 70 ns | Sram | 32k x 8 | Parallèle | 70ns | ||||
![]() | AM27S35PC | 7.9200 | ![]() | 43 | 0,00000000 | Micro-appareils avancé | - | En gros | Actif | 0 ° C ~ 75 ° C (TA) | Par le trou | 24-dip (0,300 ", 7,62 mm) | AM27S35 | Bal de Promo | 4,75 V ~ 5,25 V | 24 points | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | Non volatile | 8kbit | 40 ns | Bal de Promo | 1k x 8 | Parallèle | - | ||||
![]() | S25fl032p0xnfv010 | - | ![]() | 7266 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Plat | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-UDFN | S25FL032 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-USON (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | -S25fl032p0xnfv010 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 490 | 104 MHz | Non volatile | 32mbitons | Éclair | 4m x 8 | Spi - quad e / o | 5 µs, 3ms | |||
![]() | EDB8164B4PR-1D-FR TR | - | ![]() | 1765 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 216-WFBGA | EDB8164 | Sdram - mobile lpddr2 | 1,14 V ~ 1,95 V | 216-FBGA (12x12) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 533 MHz | Volatil | 8 Gbit | Drachme | 128m x 64 | Parallèle | - | ||||
![]() | Idt71v3557s80bq8 | - | ![]() | 5406 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 165-TBGA | Idt71v3557 | Sram - Synchronous, SDR (ZBT) | 3.135V ~ 3 465V | 165-Cabga (13x15) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 71V3557S80BQ8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2 000 | Volatil | 4,5 Mbit | 8 ns | Sram | 128k x 36 | Parallèle | - | |||
![]() | IS42S16400D-6BLI | - | ![]() | 2020 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 60-TFBGA | IS42S16400 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 60 minibga (6,4x10.1) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 286 | 166 MHz | Volatil | 64mbitons | 5 ns | Drachme | 4m x 16 | Parallèle | - | |||
![]() | SM668PE4-AC | - | ![]() | 4970 | 0,00000000 | Silicon Motion, Inc. | - | Plateau | Obsolète | SM668 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | SST25VF020B-80-4C-Q3AE | - | ![]() | 3556 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | SST25 | Tube | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-UFDFN | Sst25vf020 | Éclair | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-USON (3x2) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | 80 MHz | Non volatile | 2mbitons | Éclair | 256k x 8 | Pimenter | 10 µs | |||||
![]() | IS26KL512S-DABLI00 | - | ![]() | 3738 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 24-VBGA | IS26KL512 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-VFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS26KL512S-DABLI00 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 338 | 100 MHz | Non volatile | 512mbitons | 96 ns | Éclair | 64m x 8 | Parallèle | - | ||
![]() | At45db321e-mwhf-t | 4.4500 | ![]() | 3248 | 0,00000000 | Adesto Technologies | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | Pad Exposé 8-VDFN | AT45DB321 | Éclair | 2,3V ~ 3,6 V | 8-VDFN (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 000 | 85 MHz | Non volatile | 32mbitons | Éclair | 528 octets x 8192 pages | Pimenter | 8 µs, 4 ms | ||||
![]() | CY7C0852AV-133AXI | - | ![]() | 9630 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 176 LQFP | CY7C0852 | Sram - double port, synchrone | 3.135V ~ 3 465V | 176-TQFP (24x24) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 40 | 133 MHz | Volatil | 4,5 Mbit | Sram | 128k x 36 | Parallèle | - | ||||
![]() | W25n01jwtbit tr | 3.4909 | ![]() | 5105 | 0,00000000 | Electronique Winbond | SPIFLASH® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | W25N01 | Flash - Nand (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V | 24-TFBGA (8x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 256-W25N01JWTBITTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 000 | 166 MHz | Non volatile | 1 gbit | 6 ns | Éclair | 128m x 8 | Spi - quad e / o, qpi, dtr | 700 µs | ||
![]() | S25FL132K0XMFB043 | - | ![]() | 6118 | 0,00000000 | Nexperia USA Inc. | - | En gros | Actif | - | 2156-S25FL132K0XMFB043 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | IS42S83200B-6T-TR | - | ![]() | 2530 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | IS42S83200 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 500 | 166 MHz | Volatil | 256mbitons | 5.4 ns | Drachme | 32m x 8 | Parallèle | - | |||
![]() | Cy7c1021bv33l-10vxc | 1.5400 | ![]() | 272 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 44-BSOJ (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | Cy7c1021 | Sram - asynchrone | 3V ~ 3,6 V | 44-soj | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | Volatil | 1mbit | 10 ns | Sram | 64k x 16 | Parallèle | 10ns | ||||
![]() | CY7C1440AV33-250AXCT | 52.9300 | ![]() | 220 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | * | En gros | Actif | télécharger | Vendeur indéfini | Atteindre non affecté | 2156-CY7C1440AV33-250AXCT-428 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | 70914S25PFGI | - | ![]() | 8943 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 80 LQFP | 70914S | Sram - double port, synchrone | 4,5 V ~ 5,5 V | 80-TQFP (14x14) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | Volatil | 36kbit | 25 ns | Sram | 4K x 9 | Parallèle | - | ||||
![]() | CAT28C16AWI-12T | - | ![]() | 8236 | 0,00000000 | onsemi | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 24-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | CAT28C16 | Eeprom | 4,5 V ~ 5,5 V | 24 cols | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 000 | Non volatile | 16kbit | 120 ns | Eeprom | 2k x 8 | Parallèle | 5 ms | |||||
![]() | FM24C64LEN | 0,6000 | ![]() | 7360 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Par le trou | 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) | FM24C64 | Eeprom | 2,5 V ~ 5,5 V | 8 plombs | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | 100 kHz | Non volatile | 64kbit | 3,5 µs | Eeprom | 8k x 8 | I²c | 6 ms | |||
![]() | CY7C1412AV18-250BZC | 47.0800 | ![]() | 129 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 165 LBGA | CY7C1412 | Sram - Synchrone, Qdr II | 1,7 V ~ 1,9 V | 165-fbga (15x17) | télécharger | Rohs non conforme | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 250 MHz | Volatil | 36mbitons | Sram | 2m x 18 | Parallèle | - | Non Vérifié | |||||
![]() | 70v17l12pfi8 | - | ![]() | 1180 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Acheter la Dernière | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | Sram - double port, asynchrone | 3V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x14) | - | 800-70v17l12pfi8tr | 1 | Volatil | 288kbit | 12 ns | Sram | 32k x 9 | Lvttl | 12ns | |||||||||
![]() | IS43QR16256A-083RBI-TR | - | ![]() | 4541 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | IS43QR16256 | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 96-TWBGA (9x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 500 | 1,2 GHz | Volatil | 4 Gbit | Drachme | 256m x 16 | Parallèle | 15NS | ||||
MB85RS2MTYPNF-G-AWERE2 | 4.9893 | ![]() | 7304 | 0,00000000 | Kaga Fei America, Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MB85RS2 | Fram (Ferroelectric RAM) | 1,8 V ~ 3,6 V | 8-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 500 | 50 MHz | Non volatile | 2mbitons | Fracture | 256k x 8 | Pimenter | - |
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