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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page | Sic programmable |
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![]() | 5962-8976404MXA | - | ![]() | 3534 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | Par le trou | 48-DIP (0,600 ", 15,24 mm) | 5962-8976404 | Sram - double port, synchrone | 4,5 V ~ 5,5 V | Bradé à 48 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 800-5962-8976404MXA | OBSOLÈTE | 8 | Volatil | 32kbit | 55 ns | Sram | 4k x 8 | Parallèle | 55ns | ||||
![]() | M30082040108X0IWAY | 20.3740 | ![]() | 2257 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | Pad Exposé 8-WDFN | M30082040108 | Mram (magnétororesistif) | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-DFN (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 800-M30082040108X0IWAY | EAR99 | 8542.32.0071 | 225 | 108 MHz | Non volatile | 8mbitons | Bélier | 2m x 4 | - | - | ||||
![]() | M30082040108X0ISAY | 20.3740 | ![]() | 5954 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur) | M30082040108 | Mram (magnétororesistif) | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 800-M30082040108X0ISAY | EAR99 | 8542.32.0071 | 150 | 108 MHz | Non volatile | 8mbitons | Bélier | 2m x 4 | - | - | ||||
![]() | CAT28LV256G25 | - | ![]() | 4148 | 0,00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 32 LCC (J-LEAD) | Cat28lv256 | Eeprom | 3V ~ 3,6 V | 32-PLCC (13.97x11.43) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | Non volatile | 256kbit | 250 ns | Eeprom | 32k x 8 | Parallèle | 10 ms | ||||
![]() | 04184arlac-5n | 43.2000 | ![]() | 841 | 0,00000000 | Ibm | - | En gros | Actif | Support de surface | télécharger | Non applicable | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 4mbbitons | Sram | 256k x 18 | ||||||||||||||
CAT93C66VGI-1.8-T3 | 0,1000 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | CAT93C66 | Eeprom | 1,8 V ~ 5,5 V | 8-SOIC | télécharger | Non applicable | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.32.0051 | 3 000 | 2 MHz | Non volatile | 4kbit | Eeprom | 512 x 8, 256 x 16 | Microwire | - | |||||
GS82582D38GE-550I | 492.0000 | ![]() | 5 | 0,00000000 | GSI Technology Inc. | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | Support de surface | 165 LBGA | GS82582D38 | Sram - port quad, synchrone, qdr ii + | 1,7 V ~ 1,9 V | 165-FPBGA (15x17) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 2364-GS82582D38GE-550I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 550 MHz | Volatil | 288mbitons | Sram | 8m x 36 | Parallèle | - | ||||
![]() | MT58L64L18FT-8.5 | 5.4600 | ![]() | 12 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | MT58L64L18 | Sram - synchrone | 3.135V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20.1) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 500 | 100 MHz | Volatil | 1mbit | 8,5 ns | Sram | 64k x 18 | Parallèle | - | |||
![]() | CY7C1665KV18-450BZXC | 316.6300 | ![]() | 245 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | En gros | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 165 LBGA | CY7C1665 | Sram - synchrone, qdr ii + | 1,7 V ~ 1,9 V | 165-fbga (15x17) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | 1 | 450 MHz | Volatil | 144mbitons | Sram | 4m x 36 | Parallèle | - | Non Vérifié | |||||
![]() | MT57W2MH8CF-4 | 28.3700 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 165-TBGA | Sram - synchrone | 1,7 V ~ 1,9 V | 165-fbga (13x15) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 250 MHz | Volatil | 18mbitons | 450 PS | Sram | 2m x 8 | Hstl | - | ||||
![]() | MT58L64L36PT-7.5 | 4.2600 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | SRAM - Standard | 3.135V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20.1) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 500 | 133 MHz | Volatil | 2mbitons | 4 ns | Sram | 64k x 36 | Parallèle | - | ||||
![]() | CY7C1471V25-133AXC | 148.8400 | ![]() | 569 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | Nobl ™ | En gros | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | CY7C1471 | Sram - synchrone, d. | 2 375V ~ 2 625V | 100-TQFP (14x20) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 1 | 133 MHz | Volatil | 72mbitons | 6.5 ns | Sram | 2m x 36 | Parallèle | - | Non Vérifié | ||||
![]() | MT58L32L32PT-6 | 10.9700 | ![]() | 38 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | SRAM - Standard | 3.135V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20.1) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 500 | 166 MHz | Volatil | 1mbit | 3,5 ns | Sram | 32k x 32 | Parallèle | - | ||||
![]() | Int70p1784 | - | ![]() | 8356 | 0,00000000 | Ibm | * | En gros | Actif | - | Non applicable | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | CAT24C04LGI | - | ![]() | 5711 | 0,00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Par le trou | 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) | CAT24C04 | Eeprom | 1,7 V ~ 5,5 V | 8 PDI | télécharger | Non applicable | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | 400 kHz | Non volatile | 4kbit | 900 ns | Eeprom | 512 x 8 | I²c | 5 ms | |||
![]() | 3229L7640 | - | ![]() | 3241 | 0,00000000 | Ibm | * | En gros | Actif | - | Non applicable | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | NDB16PFC-5EIT | 3.8250 | ![]() | 8738 | 0,00000000 | INSignnis Technology Corporation | NDB1L | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 84-TFBGA | NDB16 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-fbga (8x12,5) | - | 1982-NDB16PFC-5EIT | 2 500 | 533 MHz | Volatil | 1 gbit | 350 PS | Drachme | 64m x 16 | Sstl_18 | 15NS | |||||||
![]() | 70V37S12Pfi8 | - | ![]() | 7008 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Acheter la Dernière | - | 800-70V37S12pfi8tr | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | 7026L12JI | - | ![]() | 1179 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tube | Acheter la Dernière | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 84 LCC (J-LEAD) | Sram - double port, asynchrone | 4,5 V ~ 5,5 V | 84-PLCC (29.31x29.31) | - | 800-7026L12JI | 1 | Volatil | 256kbit | 12 ns | Sram | 16k x 16 | Parallèle | 12ns | |||||||||
![]() | 7130SA55JT / R / C | - | ![]() | 2574 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tube | Acheter la Dernière | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 52 LCC (J-LEAD) | Sram - double port, asynchrone | 4,5 V ~ 5,5 V | 52-PLCC (19.13x19.13) | - | 800-7130SA55JT / R / C | 1 | Volatil | 8kbit | 55 ns | Sram | 1k x 8 | Parallèle | 55ns | |||||||||
![]() | IS43LQ16128AL-062BI-TR | - | ![]() | 6849 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 200-VFBGA | Sdram - mobile lpddr4x | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 200-VFBGA (10x14,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS43LQ16128AL-062BI-TR | 2 500 | 1,6 GHz | Volatil | 2 gbit | 3,5 ns | Drachme | 128m x 16 | Lvstl | 18n | ||||||
![]() | IS64WV51216EEBLL-10BLA3-TR | 11.9035 | ![]() | 3640 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFBGA | Sram - asynchrone | 2,4 V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (6x8) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS64WV51216EEBLL-10BLA3-TR | 2 500 | Volatil | 8mbitons | 10 ns | Sram | 512k x 16 | Parallèle | 10ns | |||||||
![]() | IS61WV204816AL-12TLI-TR | 17.8353 | ![]() | 9975 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | Sram - asynchrone | 1,65 V ~ 2,2 V | 48-tsop i | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS61WV204816ALL-12TLI-TR | 1 500 | Volatil | 32mbitons | 12 ns | Sram | 2m x 16 | Parallèle | 12ns | |||||||
![]() | IS46LQ16128A-062BLA2-TR | - | ![]() | 1418 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 200-VFBGA | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 200-VFBGA (10x14,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS46LQ16128A-062BLA2-TR | 2 500 | 1,6 GHz | Volatil | 2 gbit | 3,5 ns | Drachme | 128m x 16 | Lvstl | 18n | ||||||
![]() | IS46TR16256B-107MBLA2 | 10.1514 | ![]() | 8628 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | En gros | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | Sdram - ddr3 | 1 425V ~ 1 575 V | 96-TWBGA (9x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS46TR16256B-107MBLA2 | 190 | 933 MHz | Volatil | 4 Gbit | 20 ns | Drachme | 256m x 16 | Parallèle | 15NS | ||||||
![]() | A02-M308GD5-2-C | 70.0000 | ![]() | 2332 | 0,00000000 | Prolabs | * | Colis de Vente au Détail | Actif | - | Rohs conforme | 4932-A02-M308GD5-2-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | 708643-B21-C | 125.0000 | ![]() | 9758 | 0,00000000 | Prolabs | * | Colis de Vente au Détail | Actif | - | Rohs conforme | 4932-708643-B21-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | CAT24C256WE-GT3 | 0,5400 | ![]() | 15 | 0,00000000 | onsemi | Automobile, AEC-Q100 | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Eeprom | 1,8 V ~ 5,5 V | 8-SOIC | - | 2156-CAT24C256WE-GT3 | 555 | 400 kHz | Non volatile | 256kbit | 900 ns | Eeprom | 32k x 8 | I²c | 5 ms | ||||||||
![]() | X28HC256JZ-90 | 38.0823 | ![]() | 6140 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 32 LCC (J-LEAD) | Eeprom | 4,5 V ~ 5,5 V | 32-PLCC (13.97x11.43) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 20-X28HC256JZ-90 | 1 | Non volatile | 256kbit | 90 ns | Eeprom | 32k x 8 | Parallèle | 5 ms | |||||||
![]() | H6Y75AA # ABA-C | 19.7500 | ![]() | 3829 | 0,00000000 | Prolabs | * | Colis de Vente au Détail | Actif | - | Rohs conforme | 4932-H6Y75AA # ABA-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 |
Volume de RFQ moyen quotidien
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